LI Song

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	1163	1085
h-индекс	13	13
i10-индекс	16	15

320

160

240

201820192020202120222023202420257 70 103 159 223 217 314 69

Общий доступ

Просмотреть все

20 статей

3 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Gali ÁdámWigner Research Centre for Physics, Hungarian Academy of SciencesПодтвержден адрес электронной почты в домене wigner.mta.hu
Alice HuAssociate Professor, City University of Hong KongПодтвержден адрес электронной почты в домене cityu.edu.hk
Jyh-Pin ChouGraduate School of Advanced Technology, National Taiwan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ntu.edu.tw
Gergő ThieringWigner Research Centre for PhysicsПодтвержден адрес электронной почты в домене wigner.mta.hu
Péter UdvarhelyiUniversity of California, Los AngelesПодтвержден адрес электронной почты в домене ucla.edu
Viktor IvádyEötvös Loránd University, Physics of Complex Systems Department, Budapest, HungaryПодтвержден адрес электронной почты в домене ttk.elte.hu
Minglei SunThe University of Texas at DallasПодтвержден адрес электронной почты в домене utdallas.edu
Anton PershinПодтвержден адрес электронной почты в домене wigner.hu
Peter LiawUniversity of TennesseeПодтвержден адрес электронной почты в домене utk.edu
Martin B PlenioProfessor of Theoretical Physics, Universität Ulm, GermanyПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-ulm.de
Mehdi AbdiShanghai Jiao Tong UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене sjtu.edu.cn
Hongti ZhangSchool of Physical Science and Technology, ShanghaiTech UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене shanghaitech.edu.cn
Yang LuChair Professor of Nanomechanics, Department of Mechanical Engineering, the University of Hong KongПодтвержден адрес электронной почты в домене hku.hk
Peter DeakProfessor of Physics, University of BremenПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-bremen.de
Bing HuangProfessor, Beijing Computational Science Research Center & Beijing Normal UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене csrc.ac.cn
Vincent JacquesLaboratoire Charles Coulomb, Université de Montpellier and CNRS, UMR 5221, Montpellier, FranceПодтвержден адрес электронной почты в домене umontpellier.fr

LI Song

Beijing Computational Science Research Center; Wigner RCP

Подтвержден адрес электронной почты в домене csrc.ac.cn

Defects in semiconductors Density functional theory Quantum information processing


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Lattice distortion in a strong and ductile refractory high-entropy alloy C Lee, G Song, MC Gao, R Feng, P Chen, J Brechtl, Y Chen, K An, W Guo, ... Acta Materialia 160, 158-172, 2018	505	2018
Ab initio theory of the negatively charged boron vacancy qubit in hexagonal boron nitride V Ivády, G Barcza, G Thiering, S Li, H Hamdi, JP Chou, Ö Legeza, A Gali npj Computational Materials 6 (1), 41, 2020	173	2020
First-principles calculations of the electronic properties of SiC-based bilayer and trilayer heterostructures S Li, M Sun, JP Chou, J Wei, H Xing, A Hu Physical Chemistry Chemical Physics 20 (38), 24726-24734, 2018	85	2018
Coherent control of an ultrabright single spin in hexagonal boron nitride at room temperature NJ Guo, S Li, W Liu, YZ Yang, XD Zeng, S Yu, Y Meng, ZP Li, ZA Wang, ... Nature Communications 14 (1), 2893, 2023	56	2023
Giant shift upon strain on the fluorescence spectrum of V_NN_B color centers in h-BN S Li, JP Chou, A Hu, MB Plenio, P Udvarhelyi, G Thiering, M Abdi, A Gali npj Quantum Information 6 (1), 85, 2020	41	2020
Carbon defect qubit in two-dimensional WS₂ S Li, G Thiering, P Udvarhelyi, V Ivády, A Gali Nature communications 13 (1), 1210, 2022	38	2022
Oxygenated (113) diamond surface for nitrogen-vacancy quantum sensors with preferential alignment and long coherence time from first principles S Li, JP Chou, J Wei, M Sun, A Hu, A Gali Carbon 145, 273-280, 2019	36	2019
Ultraviolet quantum emitters in hexagonal boron nitride from carbon clusters S Li, A Pershin, G Thiering, P Udvarhelyi, A Gali The Journal of Physical Chemistry Letters 13 (14), 3150-3157, 2022	33	2022
Molecular doping of blue phosphorene: a first-principles investigation M Sun, W Tang, S Li, JP Chou, A Hu, U Schwingenschlögl Journal of Physics: Condensed Matter 32 (5), 055501, 2019	33	2019
Identification of an oxygen defect in hexagonal boron nitride S Li, A Gali The Journal of Physical Chemistry Letters 13 (41), 9544-9551, 2022	29	2022
A study of strain-induced indirect-direct bandgap transition for silicon nanowire applications S Li, JP Chou, H Zhang, Y Lu, A Hu Journal of Applied Physics 125 (8), 2019	22	2019
Modified Embedded Atom Method Potential for Modeling the Thermodynamic Properties of High Thermal Conductivity Beryllium Oxide J Wei, W Zhou, S Li, P Shen, S Ren, A Hu, W Zhou ACS Omega, 2019	18	2019
Ab initio Theory of The Negatively Charged Boron Vacancy Qubit in Hexagonal Boron Nitride. npj Computational Materials 6 V Ivády, G Barcza, G Thiering, S Li, H Hamdi, J Chou, Ö Legeza, A Gali	17	2020
Bistable carbon-vacancy defects in h-BN S Li, A Gali Frontiers in Quantum Science and Technology 1 (1), 1007756, 2022	12	2022
Electronic and magnetic properties of zigzag GaN nanoribbons with hydrogenation and fluorination S Li, H Xing, R Xie, Y Zeng, Y Huang, A Lu, X Chen Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 97, 144-150, 2018	12	2018
First-principles investigation of water adsorption on FeCrAl (1 1 0) surfaces J Wei, S Li, W Zhou, P Shen, S Ren, A Hu, W Zhou Applied Surface Science 465, 259-266, 2019	10	2019
Exceptionally strong coupling of defect emission in hexagonal boron nitride to stacking sequences S Li, A Pershin, P Li, A Gali npj 2D Materials and Applications 8 (1), 16, 2024	9	2024
“Deep Ultra-Strength”-Induced Band Structure Evolution in Silicon Nanowires S Li, H Zhang, JP Chou, J Wei, Y Lu, A Hu The Journal of Physical Chemistry C 122 (27), 15780-15785, 2018	7	2018
Ab initio theory of negatively charged boron vacancy qubit in hBN V Ivády, G Barcza, G Thiering, S Li, H Hamdi, Ö Legeza, JP Chou, A Gali arXiv preprint arXiv:1910.07767, 2019	6	2019
All‐Epitaxial Self‐Assembly of Silicon Color Centers Confined Within Sub‐Nanometer Thin Layers Using Ultra‐Low Temperature Epitaxy J Aberl, EP Navarrete, M Karaman, DH Enriquez, C Wilflingseder, ... Advanced Materials 36 (48), 2408424, 2024	5*	2024

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы