Thorsten Schultz

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	2361	2152
h-индекс	25	23
i10-индекс	43	43

520

260

130

390

2017201820192020202120222023202420257 65 125 229 394 422 496 518 91

Общий доступ

Просмотреть все

53 статьи

6 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Norbert KochInstitut für Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universität zu Berlin and Helmholtz-Zentrum BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.hu-berlin.de
Patrick AmsalemHumboldt Universität Berlin, IM2NP marseilleПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.hu-berlin.de
Soohyung ParkKorea Institute of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Holger von WencksternUniversität LeipzigПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de
Marius GrundmannUniversität LeipzigПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de
Xiaomin XuAssociate Professor, Shenzhen International Graduate School (SIGS), Tsinghua UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене sz.tsinghua.edu.cn
Emil J.W. List-KratochvilHumboldt Universität zu Berlin and Helmholtz-Zentrum BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене hu-berlin.de
Nicola PinnaHumboldt-Universität zu BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене hu-berlin.de
Max KneißResearcher, Universität LeipzigПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de
Niklas MutzDoktorand der Physik, Humboldt-Universität zu BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене hu-berlin.de
Michael LorenzUniversität Leipzig, Felix-Bloch-Institut für FestkörperphysikПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de
Ali HanPhD, University of Science and Technology of ChinaПодтвержден адрес электронной почты в домене kaust.edu.sa
Yury GogotsiA.J. Drexel Nanomaterials Institute, Department of Materials Science and Engineering, DrexelПодтвержден адрес электронной почты в домене drexel.edu
Fengshuo Zupostdoc, Humboldt-Universität zu BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.hu-berlin.de
Dieter NeherUniversity of Potsdam, Institute of Physics and AstronomyПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-potsdam.de
Seth MarderUniversity of Colorado-Boulder and National Renewable Energy LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене colorado.edu
Kanit HantanasirisakulallnexПодтвержден адрес электронной почты в домене allnex.com
Nathan C. FreyPrescient Design, GenentechПодтвержден адрес электронной почты в домене mit.edu
Steven J MayProfessor of Materials Science and Engineering, Drexel UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене drexel.edu
Dominique LungwitzPostdoctoral Research Fellow, University of CambridgeПодтвержден адрес электронной почты в домене cam.ac.uk

Thorsten Schultz

Helmholtz-Zentrum Berlin

Подтвержден адрес электронной почты в домене helmholtz-berlin.de

Organic Inorganic semiconductors interfaces photoelectron spectroscopy


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Surface Termination Dependent Work Function and Electronic Properties of Ti₃C₂T_x MXene T Schultz, NC Frey, K Hantanasirisakul, S Park, SJ May, VB Shenoy, ... Chemistry of Materials 31 (17), 6590-6597, 2019	508	2019
Direct determination of monolayer MoS 2 and WSe 2 exciton binding energies on insulating and metallic substrates S Park, N Mutz, T Schultz, S Blumstengel, A Han, A Aljarb, LJ Li, ... 2D Materials 5 (2), 025003, 2018	200	2018
Tin-assisted heteroepitaxial PLD-growth of κ-Ga2O3 thin films with high crystalline quality M Kneiß, A Hassa, D Splith, C Sturm, H Von Wenckstern, T Schultz, ... APL Materials 7 (2), 2019	134	2019
Growth of Nb-Doped Monolayer WS₂ by Liquid-Phase Precursor Mixing Z Qin, L Loh, J Wang, X Xu, Q Zhang, B Haas, C Alvarez, H Okuno, ... ACS nano 13 (9), 10768-10775, 2019	129	2019
Surface state density determines the energy level alignment at hybrid perovskite/electron acceptors interfaces F Zu, P Amsalem, M Ralaiarisoa, T Schultz, R Schlesinger, N Koch ACS applied materials & interfaces 9 (47), 41546-41552, 2017	117	2017
Electronic properties of a 1D intrinsic/p-doped heterojunction in a 2D transition metal dichalcogenide semiconductor Z Song, T Schultz, Z Ding, B Lei, C Han, P Amsalem, T Lin, D Chi, ... ACS nano 11 (9), 9128-9135, 2017	81	2017
Reliable work function determination of multicomponent surfaces and interfaces: the role of electrostatic potentials in ultraviolet photoelectron spectroscopy T Schultz, T Lenz, N Kotadiya, G Heimel, G Glasser, R Berger, PWM Blom, ... Advanced Materials Interfaces 4 (19), 1700324, 2017	78	2017
Demonstration of the key substrate-dependent charge transfer mechanisms between monolayer MoS₂ and molecular dopants S Park, T Schultz, X Xu, B Wegner, A Aljarb, A Han, LJ Li, VC Tung, ... Communications Physics 2 (1), 109, 2019	70	2019
Tuning the work function of GaN with organic molecular acceptors T Schultz, R Schlesinger, J Niederhausen, F Henneberger, S Sadofev, ... Physical Review B 93 (12), 125309, 2016	62	2016
Excited-State Charge Transfer Enabling MoS₂/Phthalocyanine Photodetectors with Extended Spectral Sensitivity N Mutz, S Park, T Schultz, S Sadofev, S Dalgleish, L Reissig, N Koch, ... The Journal of Physical Chemistry C 124 (5), 2837-2843, 2020	55	2020
The Schottky–Mott rule expanded for two-dimensional semiconductors: Influence of substrate dielectric screening S Park, T Schultz, D Shin, N Mutz, A Aljarb, HS Kang, CH Lee, LJ Li, X Xu, ... ACS nano 15 (9), 14794-14803, 2021	50	2021
The optical signatures of molecular-doping induced polarons in poly (3-hexylthiophene-2, 5-diyl): individual polymer chains versus aggregates AE Mansour, D Lungwitz, T Schultz, M Arvind, AM Valencia, C Cocchi, ... Journal of Materials Chemistry C 8 (8), 2870-2879, 2020	47	2020
Thermally‐Activated Gold‐Mediated TMDC Exfoliation and A Unique Gold‐Mediated Transfer M Heyl, D Burmeister, T Schultz, S Pallasch, G Ligorio, N Koch, ... physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2020	46	2020
Influence of oxygen deficiency on the rectifying behavior of transparent-semiconducting-oxide–metal interfaces T Schultz, S Vogt, P Schlupp, H von Wenckstern, N Koch, M Grundmann Physical Review Applied 9 (6), 064001, 2018	40	2018
Epitaxial κ-(AlxGa1− x) 2O3 thin films and heterostructures grown by tin-assisted VCCS-PLD P Storm, M Kneiß, A Hassa, T Schultz, D Splith, H Von Wenckstern, ... APL Materials 7 (11), 2019	39	2019
Modulation of the work function by the atomic structure of strong organic electron acceptors on H‐Si (111) H Wang, SV Levchenko, T Schultz, N Koch, M Scheffler, M Rossi Advanced Electronic Materials 5 (5), 1800891, 2019	36	2019
Type‐I Energy Level Alignment at the PTCDA—Monolayer MoS₂ Interface Promotes Resonance Energy Transfer and Luminescence Enhancement S Park, N Mutz, SA Kovalenko, T Schultz, D Shin, A Aljarb, LJ Li, V Tung, ... Advanced Science 8 (12), 2100215, 2021	34	2021
Solubility limit and material properties of a κ-(AlxGa1− x) 2O3 thin film with a lateral cation gradient on (00.1) Al2O3 by tin-assisted PLD A Hassa, C Sturm, M Kneiß, D Splith, H Von Wenckstern, T Schultz, ... APL Materials 8 (2), 2020	33	2020
Spectroelectrochemically determined energy levels of PM6: Y6 blends and their relevance to solar cell performance D Neusser, B Sun, WL Tan, L Thomsen, T Schultz, L Perdigón-Toro, ... Journal of Materials Chemistry C 10 (32), 11565-11578, 2022	31	2022
A multifunctional interlayer for solution processed high performance indium oxide transistors A Kyndiah, A Ablat, S Guyot-Reeb, T Schultz, F Zu, N Koch, P Amsalem, ... Scientific Reports 8 (1), 10946, 2018	31	2018

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы