Fan Ren

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	59887	18112
h-индекс	108	56
i10-индекс	1002	386

3700

1850

925

2775

19911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025161 259 324 416 445 645 508 530 566 905 765 907 1247 1280 1336 1792 1862 2350 2078 2167 2414 2171 2426 2102 2122 2016 2172 2364 3054 3264 3393 3534 3680 3674 561

Общий доступ

Просмотреть все

273 статьи

23 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене mse.ufl.edu
Brent P. GilaUniversity of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ufl.edu
Jihyun KimSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Wayne JohnsonSoundside Partners LLCПодтвержден адрес электронной почты в домене soundsidepartners.com
Jenshan LinUniversity of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ieee.org
Soohwan JangDankook UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене dankook.ac.kr
Young-Woo HeoSchool of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (경북대학교 신소재공학부 교수)Подтвержден адрес электронной почты в домене knu.ac.kr
Byung-Hwan ChuIBM, Samsung, U or FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ufl.edu
Ivan KravchenkoORNLПодтвержден адрес электронной почты в домене ornl.gov

Fan Ren

University of Florida, Bell Lab, AT&T

Подтвержден адрес электронной почты в домене che.ufl.edu - Главная страница

semiconductor


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
A review of Ga2O3 materials, processing, and devices SJ Pearton, J Yang, PH Cary, F Ren, J Kim, MJ Tadjer, MA Mastro Applied Physics Reviews 5 (1), 2018	2742	2018
GaN: Processing, defects, and devices SJ Pearton, JC Zolper, RJ Shul, F Ren Journal of applied physics 86 (1), 1-78, 1999	2354	1999
Wide band gap ferromagnetic semiconductors and oxides SJ Pearton, CR Abernathy, ME Overberg, GT Thaler, DP Norton, ... Journal of Applied Physics 93 (1), 1-13, 2003	1225	2003
Hydrogen-selective sensing at room temperature with ZnO nanorods HT Wang, BS Kang, F Ren, LC Tien, PW Sadik, DP Norton, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 86 (24), 2005	724	2005
Fabrication and performance of GaN electronic devices SJ Pearton, F Ren, AP Zhang, KP Lee Materials Science and Engineering: R: Reports 30 (3-6), 55-212, 2000	669	2000
Perspective: Ga2O3 for ultra-high power rectifiers and MOSFETS SJ Pearton, F Ren, M Tadjer, J Kim Journal of Applied Physics 124 (22), 2018	631	2018
ZnO nanowire growth and devices YW Heo, DP Norton, LC Tien, Y Kwon, BS Kang, F Ren, SJ Pearton, ... Materials Science and Engineering: R: Reports 47 (1-2), 1-47, 2004	582	2004
Perspective—opportunities and future directions for Ga2O3 MA Mastro, A Kuramata, J Calkins, J Kim, F Ren, SJ Pearton ECS Journal of Solid State Science and Technology 6 (5), P356, 2017	506	2017
Site-specific growth of ZnO nanorods using catalysis-driven molecular-beam epitaxy YW Heo, V Varadarajan, M Kaufman, K Kim, DP Norton, F Ren, ... Applied physics letters 81 (16), 3046-3048, 2002	502	2002
Magnetic properties of n-GaMnN thin films GT Thaler, ME Overberg, B Gila, R Frazier, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 80 (21), 3964-3966, 2002	450	2002
GaN-based diodes and transistors for chemical, gas, biological and pressure sensing SJ Pearton, BS Kang, S Kim, F Ren, BP Gila, CR Abernathy, J Lin, ... Journal of Physics: Condensed Matter 16 (29), R961, 2004	448	2004
Ionizing radiation damage effects on GaN devices SJ Pearton, F Ren, E Patrick, ME Law, AY Polyakov ECS Journal of solid state science and technology 5 (2), Q35, 2015	394	2015
Hydrogen sensing at room temperature with Pt-coated ZnO thin films and nanorods LC Tien, PW Sadik, DP Norton, LF Voss, SJ Pearton, HT Wang, BS Kang, ... Applied Physics Letters 87 (22), 2005	357	2005
A survey of ohmic contacts to III-V compound semiconductors AG Baca, F Ren, JC Zolper, RD Briggs, SJ Pearton Thin solid films 308, 599-606, 1997	340	1997
Depletion-mode ZnO nanowire field-effect transistor YW Heo, LC Tien, Y Kwon, DP Norton, SJ Pearton, BS Kang, F Ren Applied Physics Letters 85 (12), 2274-2276, 2004	338	2004
Recent advances in wide bandgap semiconductor biological and gas sensors SJ Pearton, F Ren, YL Wang, BH Chu, KH Chen, CY Chang, W Lim, J Lin, ... Progress in Materials Science 55 (1), 1-59, 2010	333	2010
GaN electronics SJ Pearton, F Ren Advanced Materials 12 (21), 1571-1580, 2000	296	2000
Effect of temperature on metal–oxide–semiconductor field-effect transistors F Ren, M Hong, SNG Chu, MA Marcus, MJ Schurman, A Baca, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 73 (26), 3893-3895, 1998	283	1998
Enantioselective arylative dearomatization of indoles via Pd-catalyzed intramolecular reductive Heck reactions C Shen, RR Liu, RJ Fan, YL Li, TF Xu, JR Gao, YX Jia Journal of the American Chemical Society 137 (15), 4936-4939, 2015	272	2015
Electrical effects of plasma damage in XA Cao, SJ Pearton, AP Zhang, GT Dang, F Ren, RJ Shul, L Zhang, ... Applied physics letters 75 (17), 2569-2571, 1999	266	1999

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы