Yong-Hang Zhang

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	8266	2763
h-индекс	46	22
i10-индекс	178	60

600

300

150

450

1991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202524 58 70 56 96 115 147 109 109 100 106 72 108 96 117 119 127 118 104 140 194 316 338 271 442 504 495 394 517 523 566 589 494 528 63

Общий доступ

Просмотреть все

38 статей

18 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Shane R JohnsonArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Ding DingPrincipal Test EngineerПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Shi LiuResearch Associate of Electrical Engineering, Arizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Shui-Qing (Fisher) YuUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Elizabeth H. SteenbergenRaytheon TechnologiesПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Xin-Hao ZhaoArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Yuan ZhaoArizona State University, Northwestern UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Jacek K. FurdynaUniversity of Notre DameПодтвержден адрес электронной почты в домене nd.edu
Oray Orkun CellekArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Jing-Jing LiArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Zhiyuan LinPhD studentПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Zhaoyu HeArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Swee Hoe Limuniversity of california, san diegoПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Wei DuAssociate Professor, Department of Electrical Engineering, University of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
mathieu boccardEPFLПодтвержден адрес электронной почты в домене epfl.ch
Stephen J SweeneyProfessor of Photonics and Nanotechnology, James Watt School of Engineering, University of GlasgowПодтвержден адрес электронной почты в домене glasgow.ac.uk
Yiyin ZhouUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Preston T. WebsterAir Force Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене us.af.mil
Joe Margetis, PhDApplied MaterialsПодтвержден адрес электронной почты в домене amat.com
Richard A. SorefResearch Professor of Engineering, The University of Massachusetts at BostonПодтвержден адрес электронной почты в домене rcn.com

Yong-Hang Zhang

Prof., School of Electrical, Computer and Energy Engineering

Подтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu - Главная страница

semiconductors molecular beam epitaxy optoelectronics semiconductor lasers photodetectors


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Significantly improved minority carrier lifetime observed in a long-wavelength infrared III-V type-II superlattice comprised of InAs/InAsSb EH Steenbergen, BC Connelly, GD Metcalfe, H Shen, M Wraback, ... Applied Physics Letters 99 (25), 251110-251110-3, 2011	370	2011
Monocrystalline CdTe solar cells with open-circuit voltage over 1 V and efficiency of 17% Y Zhao, M Boccard, S Liu, J Becker, XH Zhao, CM Campbell, E Suarez, ... Nature Energy 1 (6), 16067, 2016	242	2016
High Power Vcsels With Transverse Mode Control N Samal, S Johnson, YH Zhang US Patent App. 10/592,999, 2005	235	2005
Si-Based GeSn Photodetectors toward Mid-Infrared Imaging Applications H. Tran, T. Pham, J. Margetis, Y. Zhou, W. Dou, P. C. Grant, J. M. Grant, S ... ACS Photonics 6 (11), 2807-2815, 2019	222	2019
Electrically injected GeSn lasers on Si operating up to 100 K Y Zhou, Y Miao, S Ojo, H Tran, G Abernathy, JM Grant, S Amoah, ... Optica 7 (8), 924-928, 2020	215	2020
Long-wave infrared nBn photodetectors based on InAs/InAsSb type-II superlattices HS Kim, OO Cellek, ZY Lin, ZY He, XH Zhao, S Liu, H Li, YH Zhang APPLIED PHYSICS LETTERS 101, 161114, 2012	184	2012
Structural and optical properties of self‐assembled InGaAs quantum dots D Leonard, S Fafard, K Pond, YH Zhang, JL Merz, PM Petroff Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1994	184	1994
Continuous wave operation of InAs/InAsxSb1− x midinfrared lasers YH Zhang Applied physics letters 66 (2), 118-120, 1995	162	1995
Changes in luminescence emission induced by proton irradiation: InGaAs/GaAs quantum wells and quantum dots R Leon, GM Swift, B Magness, WA Taylor, YS Tang, KL Wang, P Dowd, ... Applied Physics Letters 76 (15), 2074-2076, 2000	159	2000
Tunable optical gratings based on buckled nanoscale thin films on transparent elastomeric substrates C Yu, K O’Brien, YH Zhang, H Yu, H Jiang Applied Physics Letters 96 (4), 041111, 2010	155	2010
Collective excitations in antidots K Kern, D Heitmann, P Grambow, YH Zhang, K Ploog Physical review letters 66 (12), 1618, 1991	154	1991
Monolithic infrared silicon photonics: the rise of (Si) GeSn semiconductors O Moutanabbir, S Assali, X Gong, E O'Reilly, CA Broderick, B Marzban, ... Applied Physics Letters 118 (11), 110502, 2021	148	2021
Mid‐wave infrared diode lasers based on GaInSb/InAs and InAs/AlSb superlattices DH Chow, RH Miles, TC Hasenberg, AR Kost, YH Zhang, HL Dunlap, ... Applied physics letters 67 (25), 3700-3702, 1995	143	1995
Simultaneous Enhancement of Electrical Conductivity and Thermopower of Bi2Te3 by Multifunctionality of Native Defects J Suh, KM Yu, D Fu, X Liu, F Yang, J Fan, DJ Smith, YH Zhang, ... Advanced Materials 27 (24), 3681-3686, 2015	126	2015
Structural properties of Bi2Te3 and Bi2Se3 topological insulators grown by molecular beam epitaxy on GaAs (001) substrates X Liu, DJ Smith, J Fan, YH Zhang, H Cao, YP Chen, J Leiner, BJ Kirby, ... Applied Physics Letters 99 (17), 171903, 2011	123	2011
Midwave infrared stimulated emission from a GaInSb/InAs superlattice RH Miles, DH Chow, YH Zhang, PD Brewer, RG Wilson Applied physics letters 66 (15), 1921-1923, 1995	117	1995
Measurement of InAsSb bandgap energy and InAs/InAsSb band edge positions using spectroscopic ellipsometry and photoluminescence spectroscopy P. T. Webster, N. A. Riordan, S. Liu, E. H. Steenbergen, R. A. Synowicki, Y ... J. Appl. Phys. 118, 245706, 2015	115	2015
Luminescence coupling effects on multijunction solar cell external quantum efficiency measurement SH Lim, JJ Li, EH Steenbergen, YH Zhang Progress in Photovoltaics: Research and Applications 21 (3), 344-350, 2013	102	2013
Large g-factor enhancement in high-mobility InAs/AlSb quantum wells YG Sadofyev, A Ramamoorthy, B Naser, JP Bird, SR Johnson, YH Zhang Applied physics letters 81 (10), 1833-1835, 2002	88	2002
Growth, steady-state, and time-resolved photoluminescence study of CdTe/MgCdTe double heterostructures on InSb substrates using molecular beam epitaxy MJ DiNezza, XH Zhao, S Liu, YH Zhang APPLIED PHYSICS LETTERS 103, 193901, 2013	78	2013

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы