Trupti Ranjan Lenka

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	2468	1968
h-индекс	25	21
i10-индекс	85	69

540

270

135

405

201320142015201620172018201920202021202220232024202510 37 43 79 89 105 124 215 273 420 432 539 86

Общий доступ

Просмотреть все

31 статья

42 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Hieu Pham Trung NguyenTexas Tech UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ttu.edu
Ravi Teja VelpulaNew Jersey Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене njit.edu
Rajan SinghMLR Institute of Technology, HyderabadПодтвержден адрес электронной почты в домене mlrinstitutions.ac.in
Raghunandan SwainParala Maharaja Engineering College, Odisha, IndiaПодтвержден адрес электронной почты в домене pmec.ac.in
Barsha JainSolidigm Technology, New Jersey Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене solidigm.com
Kanjalochan JenaAssistant Professor, LNMIIT, JaipurПодтвержден адрес электронной почты в домене lnmiit.ac.in
Ajit Kumar PandaElectronics Center of ExcellenceПодтвержден адрес электронной почты в домене ieee.org
Dr. S.K. TripathyNational Institute of Technology SilcharПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.nits.ac.in
Bui, Ha Quoc Thang (Victor Bui)New Jersey Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене njit.edu
Nour El I BoukorttGhent UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ugent.be
Fazal A TalukdarProfessor (HAG) in ECE , National Institute of Technology SilcharПодтвержден адрес электронной почты в домене nits.ac.in
P. Susthitha Menon, SM.IEEE, SM.Opti...Associate Professor at Institute of Microengineering and Nanoelectronics(IMEN), Univ. Keb. MalaysiaПодтвержден адрес электронной почты в домене ukm.edu.my
Srimanta BaishyaNIT SilcharПодтвержден адрес электронной почты в домене nits.ac.in
Dr. Soumyaranjan Routray, SRM Univ...SRM Institute of Science and Technology, KattankulathurПодтвержден адрес электронной почты в домене ieee.org
Fen LinPrincipal Investigator, Solar Energy Research Institute of S'pore, National University of S'poreПодтвержден адрес электронной почты в домене nus.edu.sg
Dr. Ashutosh SrivastavaSchool of Computer Science Engineering and Technology, Bennett UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bennett.edu.in
Samadrita DasIndian Institute of Technology MadrasПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.nits.ac.in
Giovanni CrupiUniversity of MessinaПодтвержден адрес электронной почты в домене unime.it
Dr. Achinta BaidyaMizoram UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене mzu.edu.in
Dr. G. AMARNATHAssociate Professor, Marri Laxman Reddy Institute of Technology and ManagementПодтвержден адрес электронной почты в домене mlritm.ac.in

Trupti Ranjan Lenka

National Institute of Technology Silchar, Assam, INDIA

Подтвержден адрес электронной почты в домене ieee.org - Главная страница

HEMT HFET LED Solar Cell MEMS


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
The dawn of Ga2O3 HEMTs for high power electronics-A review R Singh, TR Lenka, DK Panda, RT Velpula, B Jain, HQT Bui, HPT Nguyen Materials Science in Semiconductor Processing 119, 105216, 2020	147	2020
Characteristics study of 2DEG transport properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT TR Lenka, AK Panda Semiconductors 45 (5), 650-656, 2011	117	2011
Full-Color InGaN/AlGaN Nanowire Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy: A Promising Candidate for Next Generation Micro Displays HQT Bui, RT Velpula, B Jain, OH Aref, HD Nguyen, TR Lenka, ... Micromachines 10 (8), 492, 2019	71	2019
High performance electron blocking layer-free InGaN/GaN nanowire white-light-emitting diodes B Jain, RT Velpula, HQ Thang Bui, HD Nguyen, TR Lenka, TK Nguyen, ... Optics express 28 (1), 665-675, 2020	57	2020
Numerical simulations on CZTS/CZTSe based solar cell with ZnSe as an alternative buffer layer using SCAPS- 1D A Srivastava, P Dua, TR Lenka, SK Tripathy Materials Today: Proceedings, 2020	47	2020
Theoretical investigations on enhancement of photovoltaic efficiency of nanostructured CZTS/ZnS/ZnO based Solar Cell device S Vallisree, R Thangavel, TR Lenka Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE) 29 (9), 7262–7272, 2018	45	2018
Impact of Thin High-K Dielectrics and Gate Metals on RF Characteristics of 3D Double Gate Junctionless Transistor A Baidya, TR Lenka, S Baishya Materials Science in Semiconductor Processing 71, 413–420, 2017	44	2017
Modelling, simulation, optimization of Si/ZnO and Si/ZnMgO heterojunction solar cells S Vallisree, R Thangavel, TR Lenka Materials Research Express 6 (2), 025910, 2018	40	2018
AlGaN/GaN-based HEMT on SiC substrate for microwave characteristics using different passivation layers TR Lenka, AK Panda Pramana 79, 151-163, 2012	40	2012
A Model for Doubly Clamped Piezoelectric Energy Harvesters with Segmented Electrodes R Kashyap, TR Lenka, S Baishya IEEE Electron Device Letters 36 (12), 1369-1372, 2015	38	2015
A novel β‐Ga2O3 HEMT with fT of 166 GHz and X‐band POUT of 2.91 W/mm R Singh, TR Lenka, RT Velpula, B Jain, HQT Bui, HPT Nguyen International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices …, 2020	34	2020
Improving carrier transport in AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes using a strip-in-a-barrier structure RT Velpula, B Jain, HQT Bui, FM Shakiba, J Jude, M Tumuna, HD Nguyen, ... Applied Optics 59 (17), 5276-5281, 2020	34	2020
InGaN-based solar cells: a wide solar spectrum harvesting technology for twenty-first century SR Routray, TR Lenka CSI Transactions on ICT, 1-14, 2017	33	2017
Structural, electronic and optical properties of Ag2MgSn (S/Se) 4 quaternary chalcogenides as solar cell absorber layer: an Ab-initio study A Srivastava, P Sarkar, SK Tripathy, TR Lenka, PS Menon, F Lin, ... Solar Energy 209, 206-213, 2020	32	2020
Modeling of Forward Gate Leakage Current in MOSHEMT Using Trap-Assisted Tunneling and Poole-Frenkel Emission R Swain, K Jena, TR Lenka IEEE Transactions on Electron Devices 63 (6), 2346 - 2352, 2016	32	2016
Modeling and comparative analysis of DC characteristics of AlGaN/GaN HEMT and MOSHEMT devices K Jena, R Swain, TR Lenka International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices …, 2016	31	2016
Role of nanoscale AlN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/(Al, In) N/GaN-based HEMT TR Lenka, AK Panda Semiconductors 45, 1211-1218, 2011	31	2011
Effects of varying the fin width, fin height, gate dielectric material, and gate length on the DC and RF performance of a 14-nm SOI FinFET structure NEI Boukortt, TR Lenka, S Patanè, G Crupi Electronics 11 (1), 91, 2021	30	2021
Numerical simulations of novel quaternary chalcogenide Ag2MgSn (S/Se) 4 based thin film solar cells using SCAPS 1-D A Srivastava, SK Tripathy, TR Lenka, V Goyal Solar Energy 239, 337-349, 2022	29	2022
Mixed-mode simulation and analysis of 3D double gate junctionless nanowire transistor for CMOS circuit applications A Baidya, TR Lenka, S Baishya Superlattices and Microstructures 100, 14-23, 2016	28	2016

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы