Holger von Wenckstern

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	8996	3704
h-индекс	48	32
i10-индекс	167	92

820

410

205

615

20052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202557 83 147 175 232 380 309 419 401 417 455 431 464 558 686 797 801 620 792 576 118

Общий доступ

Просмотреть все

114 статей

63 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Marius GrundmannUniversität LeipzigПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de
Florian SchmidtRobert Bosch GmbH Reutlingen, DeutschlandПодтвержден адрес электронной почты в домене de.bosch.com
Andreas RahmSolarion AGПодтвержден адрес электронной почты в домене solarion.de
Rüdiger Schmidt-GrundTechnische Universität IlmenauПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-ilmenau.de
Christof P. DietrichJulius-Maximilians-Universität WürzburgПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-wuerzburg.de
Martin LangeGerman Environment Agency (Germany)Подтвержден адрес электронной почты в домене uba.de
Bingqiang Cao (曹丙强)Professor of Semiconductor Physics, University of Jinan & Nuchip Optoelectronic Devices Co., Ltd.Подтвержден адрес электронной почты в домене ujn.edu.cn
Pablo EsquinaziUniversity of LeipzigПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de
Dominik LauschCEO of DENKweit GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене denkweit.de
Otwin BreitensteinResearcher, Max Planck Institute, Associate Professor, University HalleПодтвержден адрес электронной почты в домене mpi-halle.mpg.de
Tobias VossTechnische Universität BraunschweigПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-braunschweig.de
Kerstin Baar geb. BrachwitzPolymer-Technik Elbe GmbH, WittenbergПодтвержден адрес электронной почты в домене polymertechnik.com
Rueben J. MendelsbergFreeform FutureПодтвержден адрес электронной почты в домене freeformfuture.com
Pedro BarquinhaAssociate Professor, NOVA FCTПодтвержден адрес электронной почты в домене fct.unl.pt
Joan RedwingPenn State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Dr. John V KennedyPrincipal Scientist, GNS Science,Подтвержден адрес электронной почты в домене gns.cri.nz
Christian NenstielTechnische Universität BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.tu-berlin.de
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of BerlinПодтвержден адрес электронной почты в домене tu-berlin.de
Markus R. WagnerPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikПодтвержден адрес электронной почты в домене pdi-berlin.de
Detlef KlimmLeibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, GermanyПодтвержден адрес электронной почты в домене ikz-berlin.de

Holger von Wenckstern

Universität Leipzig

Подтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-leipzig.de

oxide semiconductors transparent electronics pulsed-laser deposition combinatorial material synthesis defect spectroscopy


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on -plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition EM Kaidashev, M Lorenz, H Von Wenckstern, A Rahm, HC Semmelhack, ... Applied Physics Letters 82 (22), 3901-3903, 2003	801	2003
Cuprous iodide–ap‐type transparent semiconductor: History and novel applications M Grundmann, FL Schein, M Lorenz, T Böntgen, J Lenzner, ... physica status solidi (a) 210 (9), 1671-1703, 2013	362	2013
Group‐III sesquioxides: growth, physical properties and devices H Von Wenckstern Advanced Electronic Materials 3 (9), 1600350, 2017	238	2017
Mean barrier height of Pd Schottky contacts on ZnO thin films H von Wenckstern, G Biehne, RA Rahman, H Hochmuth, M Lorenz, ... Applied physics letters 88 (9), 2006	202	2006
Optical and electrical properties of epitaxial (Mg, Cd) xZn1− xO, ZnO, and ZnO:(Ga, Al) thin films on c-plane sapphire grown by pulsed laser deposition M Lorenz, EM Kaidashev, H Von Wenckstern, V Riede, C Bundesmann, ... Solid-State Electronics 47 (12), 2205-2209, 2003	198	2003
Recent progress on ZnO‐based metal‐semiconductor field‐effect transistors and their application in transparent integrated circuits H Frenzel, A Lajn, H Von Wenckstern, M Lorenz, F Schein, Z Zhang, ... Advanced Materials 22 (47), 5332-5349, 2010	188	2010
Transparent semiconducting oxides: Materials and devices M Grundmann, H Frenzel, A Lajn, M Lorenz, F Schein, H Von Wenckstern Physica status solidi (a) 207 (6), 1437-1449, 2010	187	2010
Transparent p-CuI/n-ZnO heterojunction diodes FL Schein, H von Wenckstern, M Grundmann Applied Physics Letters 102 (9), 2013	179	2013
Defects in virgin and -implanted ZnO single crystals studied by positron annihilation, Hall effect, and deep-level transient spectroscopy G Brauer, W Anwand, W Skorupa, J Kuriplach, O Melikhova, C Moisson, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 74 (4), 045208, 2006	169	2006
Optical signatures of deep level defects in Ga2O3 H Gao, S Muralidharan, N Pronin, MR Karim, SM White, T Asel, G Foster, ... Applied Physics Letters 112 (24), 2018	165	2018
Epitaxial stabilization of pseudomorphic α-Ga2O3 on sapphire (0001) R Schewski, G Wagner, M Baldini, D Gogova, Z Galazka, T Schulz, ... Applied physics express 8 (1), 011101, 2014	150	2014
Phosphorus acceptor doped ZnO nanowires prepared by pulsed-laser deposition BQ Cao, M Lorenz, A Rahm, H Von Wenckstern, C Czekalla, J Lenzner, ... Nanotechnology 18 (45), 455707, 2007	146	2007
Lateral homogeneity of Schottky contacts on -type ZnO H Von Wenckstern, EM Kaidashev, M Lorenz, H Hochmuth, G Biehne, ... Applied physics letters 84 (1), 79-81, 2004	140	2004
Tin-assisted heteroepitaxial PLD-growth of κ-Ga2O3 thin films with high crystalline quality M Kneiß, A Hassa, D Splith, C Sturm, H Von Wenckstern, T Schultz, ... APL Materials 7 (2), 2019	134	2019
Determination of the mean and the homogeneous barrier height of Cu Schottky contacts on heteroepitaxial β‐Ga₂O₃ thin films grown by pulsed laser deposition D Splith, S Müller, F Schmidt, H Von Wenckstern, JJ van Rensburg, ... physica status solidi (a) 211 (1), 40-47, 2014	131	2014
Anionic and cationic substitution in ZnO H Von Wenckstern, H Schmidt, M Brandt, A Lajn, R Pickenhain, M Lorenz, ... Progress in Solid State Chemistry 37 (2-3), 153-172, 2009	122	2009
Control of the conductivity of Si‐doped β‐Ga₂O₃ thin films via growth temperature and pressure S Müller, H von Wenckstern, D Splith, F Schmidt, M Grundmann physica status solidi (a) 211 (1), 34-39, 2014	116	2014
ZnO metal-semiconductor field-effect transistors with Ag-Schottky gates H Frenzel, A Lajn, M Brandt, H Wenckstern, G Biehne, H Hochmuth, ... Applied Physics Letters 92 (19), 2008	112	2008
Oxide bipolar electronics: materials, devices and circuits M Grundmann, F Klüpfel, R Karsthof, P Schlupp, FL Schein, D Splith, ... Journal of Physics D: Applied Physics 49 (21), 213001, 2016	105	2016
Lattice parameters and Raman-active phonon modes of β-(AlxGa1− x) 2O3 C Kranert, M Jenderka, J Lenzner, M Lorenz, H Von Wenckstern, ... Journal of Applied Physics 117 (12), 2015	99	2015

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы