Friedrich Schäffler

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	11231	1665
h-индекс	55	19
i10-индекс	199	36

580

290

145

435

1988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202535 44 59 83 165 182 167 220 163 168 255 155 251 255 226 215 273 324 438 443 394 414 535 561 537 540 436 390 350 410 347 367 364 396 341 301 241 22

Общий доступ

Просмотреть все

48 статей

10 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Michael MühlbergerSenior Researcher, Functional Surfaces and Nanostructures, Profactor GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене profactor.at
Moritz BrehmJohannes Kepler University LinzПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at
Gerhard AbstreiterTU München, Walter Schottky Institut, Institute for Advanced StudyПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Gunther SpringholzProfessor for Physics, Johannes Kepler University of Linz, AustriaПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at
Martyna GrydlikJohannes Kepler University LinzПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at
Koike KazutoOsaka Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене oit.ac.jp
Erich GornikTU WienПодтвержден адрес электронной почты в домене tuwien.ac.at
Moshe EizenbergTechnion and Guangdong Technion- Israel Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене technion.ac.il
Maksym V. KovalenkoETH Zurich and EmpaПодтвержден адрес электронной почты в домене ethz.ch
Roman LeitsmannGruppeneiter AQcomputare, Technical University ChemnitzПодтвержден адрес электронной почты в домене hrz.tu-chemnitz.de
Friedhelm BechstedtProfessor für Festkörpertheorie, Friedrich Schiller Universität JenaПодтвержден адрес электронной почты в домене ifto.physik.uni-jena.de
Rolf HaugLeibniz Universität HannoverПодтвержден адрес электронной почты в домене nano.uni-hannover.de
Maryna BodnarchukEmpa-Swiss Federal Laboratories for Materials Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене empa.ch
Gottfried StrasserProfessor Materials Engineering for Nanoelectronics, TU WienПодтвержден адрес электронной почты в домене tuwien.ac.at
Thomas BererQorvo IncПодтвержден адрес электронной почты в домене berer.org
Gregor LangerResearch Center for Non-Destructive TestingПодтвержден адрес электронной почты в домене recendt.at
Ulrich (Uli) ZeitlerRadboud University Nijmegen, High Filed Magnet LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене science.ru.nl
Amina Taleb IbrahimiCNRS Research Director - Science Director @ Synchrotron SOLEILПодтвержден адрес электронной почты в домене synchrotron-soleil.fr
Joachim KrugProfessor of Theoretical Physics, University of CologneПодтвержден адрес электронной почты в домене thp.uni-koeln.de
Armando RastelliProfessor of Semiconductor Physics, Johannes Kepler University LinzПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at

Friedrich Schäffler

Johannes Kepler University Linz (JKU), Austria

Подтвержден адрес электронной почты в домене jku.at

Semiconductor Physics Division


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
High-mobility Si and Ge structures F Schäffler Semiconductor Science and Technology 12 (12), 1515, 1997	1044	1997
Fatty acid salts as stabilizers in size-and shape-controlled nanocrystal synthesis: the case of inverse spinel iron oxide MV Kovalenko, MI Bodnarchuk, RT Lechner, G Hesser, F Schäffler, ... Journal of the American Chemical Society 129 (20), 6352-6353, 2007	491	2007
Stabilization of the nanomorphology of polymer–fullerene “bulk heterojunction” blends using a novel polymerizable fullerene derivative M Drees, H Hoppe, C Winder, H Neugebauer, NS Sariciftci, W Schwinger, ... Journal of Materials Chemistry 15 (48), 5158-5163, 2005	266	2005
A germanium hole spin qubit H Watzinger, J Kukučka, L Vukušić, F Gao, T Wang, F Schäffler, JJ Zhang, ... Nature communications 9 (1), 3902, 2018	260	2018
Colloidal HgTe nanocrystals with widely tunable narrow band gap energies: from telecommunications to molecular vibrations MV Kovalenko, E Kaufmann, D Pachinger, J Roither, M Huber, J Stangl, ... Journal of the American Chemical Society 128 (11), 3516-3517, 2006	248	2006
Efficiency limiting morphological factors of MDMO-PPV: PCBM plastic solar cells H Hoppe, T Glatzel, M Niggemann, W Schwinger, F Schaeffler, A Hinsch, ... Thin solid films 511, 587-592, 2006	215	2006
High-electron-mobility Si/SiGe heterostructures: influence of the relaxed SiGe buffer layer F Schäffler, D Többen, HJ Herzog, G Abstreiter, B Holländer Semiconductor science and technology 7 (2), 260-266, 1992	194	1992
HIGH-ELECTRON-MOBILITY SI/SIGE HETEROSTRUCTURES - INFLUENCE OF THE RELAXED SIGE BUFFER LAYER F Schaffler, D Toebben, HJ Herzog, et al. Semiconductor Science and Technology 7 (2), 260-266, 1992	182	1992
Two-dimensional periodic positioning of self-assembled Ge islands on prepatterned Si (001) substrates Z Zhong, A Halilovic, T Fromherz, F Schäffler, G Bauer Applied Physics Letters 82 (26), 4779-4781, 2003	159	2003
Type-II band alignment in Si/ quantum wells from photoluminescence line shifts due to optically induced band-bending effects: Experiment and theory T Baier, U Mantz, K Thonke, R Sauer, F Schäffler, HJ Herzog Physical Review B 50 (20), 15191, 1994	143	1994
Spin Manipulation of Free Two-Dimensional Electrons in Quantum Wells AM Tyryshkin, SA Lyon, W Jantsch, F Schäffler Physical review letters 94 (12), 126802, 2005	134	2005
Lasing from glassy Ge quantum dots in crystalline Si M Grydlik, F Hackl, H Groiss, M Glaser, A Halilovic, T Fromherz, W Jantsch, ... ACS photonics 3 (2), 298-303, 2016	126	2016
Kinetic growth instabilities on vicinal Si (001) surfaces C Schelling, G Springholz, F Schäffler Physical review letters 83 (5), 995, 1999	125	1999
Positioning of self-assembled Ge islands on stripe-patterned Si (001) substrates Z Zhong, A Halilovic, M Mühlberger, F Schäffler, G Bauer Journal of applied physics 93 (10), 6258-6264, 2003	124	2003
Lattice parameter in Si1− yCy epilayers: Deviation from Vegard’s rule M Berti, D De Salvador, AV Drigo, F Romanato, J Stangl, S Zerlauth, ... Applied physics letters 72 (13), 1602-1604, 1998	121	1998
p-type Ge-channel MODFETs with high transconductance grown on Si substrates U Konig, F Schaffler IEEE electron device letters 14 (4), 205-207, 1993	118	1993
Centrosymmetric PbTe∕ CdTe quantum dots coherently embedded by epitaxial precipitation W Heiss, H Groiss, E Kaufmann, G Hesser, M Böberl, G Springholz, ... Applied physics letters 88 (19), 2006	117	2006
Key role of the wetting layer in revealing the hidden path of Ge/Si (001) Stranski-Krastanow growth onset M Brehm, F Montalenti, M Grydlik, G Vastola, H Lichtenberger, N Hrauda, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 80 (20), 205321, 2009	115	2009
Delayed Plastic Relaxation on Patterned Si Substrates: <?format ?>Coherent SiGe Pyramids with Dominant Facets Z Zhong, W Schwinger, F Schäffler, G Bauer, G Vastola, F Montalenti, ... Physical review letters 98 (17), 176102, 2007	111	2007
Hybrid solar cells based on inorganic nanoclusters and conjugated polymers E Arici, H Hoppe, F Schäffler, D Meissner, MA Malik, NS Sariciftci Thin Solid Films 451, 612-618, 2004	110	2004

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы