Dr Igor Marko

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	2272	835
h-индекс	27	16
i10-индекс	57	21

200

100

150

1999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420258 7 19 7 39 27 42 44 52 44 42 51 49 75 80 118 141 92 197 120 171 149 153 140 169 190 33

Общий доступ

Просмотреть все

37 статей

6 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Stephen J SweeneyProfessor of Photonics and Nanotechnology, James Watt School of Engineering, University of GlasgowПодтвержден адрес электронной почты в домене glasgow.ac.uk
Alfred AdamsProfessor of Physics, University of SurreyПодтвержден адрес электронной почты в домене surrey.ac.uk
Konstanze HildUniversity of GlasgowПодтвержден адрес электронной почты в домене glasgow.ac.uk
Gennadii P. YablonskiiDoctor of physico-mathematical sciences, Professor; Stepanov Institute of Physics of National Academy of Sciences of BelarusПодтвержден адрес электронной почты в домене ifanbel.bas-net.by
Wolfgang StolzProfessor der Physik, Philipps-Universität MarburgПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-marburg.de
Lutsenko EvgeniiAssistant ProfessorПодтвержден адрес электронной почты в домене ifanbel.bas-net.by
Kerstin VolzProfessor of PhysicsПодтвержден адрес электронной почты в домене staff.uni-marburg.de
Aleksey AndreevScientist and Company Director, A-Modelling Solutions Ltd.Подтвержден адрес электронной почты в домене amodelling.com
Alexander GurskiiProf. Dr., BSUIRПодтвержден адрес электронной почты в домене bsuir.by
Eoin O'ReillyProfessor Emeritus, Tyndall National InstituteПодтвержден адрес электронной почты в домене tyndall.ie
Johann Peter ReithmaierInstitute of Nanostructure Technologies and Analytics (INA), University of KasselПодтвержден адрес электронной почты в домене ina.uni-kassel.de
Nadir HossainResearch Fellow, University of Toronto, CanadaПодтвержден адрес электронной почты в домене utoronto.ca
Shamsul ArafinAssistant Professor, Ohio State UПодтвержден адрес электронной почты в домене osu.edu
Shui-Qing (Fisher) YuUniversity of ArkansasПодтвержден адрес электронной почты в домене uark.edu
Stanko TomicFInstP, Chair in Photonics, University of Salford, STFC Daresbury Laboratories, University of SurreyПодтвержден адрес электронной почты в домене salford.ac.uk
Christopher A. BroderickRoyal Society-Research Ireland University Research Fellow, University College CorkПодтвержден адрес электронной почты в домене ucc.ie
Vitaly ZubialevichTyndall National InstituteПодтвержден адрес электронной почты в домене tyndall.ie
Yong-Hang ZhangProf., School of Electrical, Computer and Energy EngineeringПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Shane R JohnsonArizona State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене asu.edu
Abdullah AldukhayelPhysics department, science college, Majmaah universityПодтвержден адрес электронной почты в домене mu.edu.sa

Dr Igor Marko

Research Fellow, University of Glasgow, Glasgow

Подтвержден адрес электронной почты в домене glasgow.ac.uk - Главная страница

photonics semiconductor physics laser physics


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Electrical injection Ga (AsBi)/(AlGa) As single quantum well laser P Ludewig, N Knaub, N Hossain, S Reinhard, L Nattermann, IP Marko, ... Applied Physics Letters 102 (24), 2013	182	2013
Carrier transport and recombination in p-doped and intrinsic 1.3 μm InAs∕ GaAs quantum-dot lasers IP Marko, NF Masse, SJ Sweeney, AD Andreev, AR Adams, N Hatori, ... Applied Physics Letters 87 (21), 2005	109	2005
Optical gain in GaAsBi/GaAs quantum well diode lasers IP Marko, CA Broderick, S Jin, P Ludewig, W Stolz, K Volz, JM Rorison, ... Scientific reports 6 (1), 28863, 2016	82	2016
Recombination mechanisms and band alignment of GaAs1− xBix/GaAs light emitting diodes N Hossain, IP Marko, SR Jin, K Hild, SJ Sweeney, RB Lewis, DA Beaton, ... Applied Physics Letters 100 (5), 2012	81	2012
The role of auger recombination in InAs 1.3-μm quantum-dot lasers investigated using high hydrostatic pressure IP Marko, AD Andreev, AR Adams, R Krebs, JP Reithmaier, A Forchel IEEE Journal of selected topics in quantum electronics 9 (5), 1300-1307, 2003	81	2003
Physical properties and optimization of GaBiAs/(Al) GaAs based near-infrared laser diodes grown by MOVPE with up to 4.4% Bi IP Marko, P Ludewig, ZL Bushell, SR Jin, K Hild, Z Batool, S Reinhard, ... Journal of Physics D: Applied Physics 47 (34), 345103, 2014	78	2014
Modulation of the absorption coefficient at 1.3 μm in Ge/SiGe multiple quantum well heterostructures on silicon L Lever, Y Hu, M Myronov, X Liu, N Owens, FY Gardes, IP Marko, ... Optics letters 36 (21), 4158-4160, 2011	73	2011
Progress toward III–V bismide alloys for near-and midinfrared laser diodes IP Marko, SJ Sweeney IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 23 (6), 1-12, 2017	69	2017
Reduced bilateral recombination by functional molecular interface engineering for efficient inverted perovskite solar cells B Li, Y Xiang, KDGI Jayawardena, D Luo, Z Wang, X Yang, JF Watts, ... Nano Energy 78, 105249, 2020	68	2020
Mid-infrared optoelectronics: materials, devices, and applications E Tournié, L Cerutti Woodhead publishing, 2019	65	2019
Temperature and Bi-concentration dependence of the bandgap and spin-orbit splitting in InGaBiAs/InP semiconductors for mid-infrared applications IP Marko, Z Batool, K Hild, SR Jin, N Hossain, TJC Hosea, JP Petropoulos, ... Applied Physics Letters 101 (22), 2012	63	2012
Temperature stable mid-infrared GaInAsSb/GaSb vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) AB Ikyo, IP Marko, K Hild, AR Adams, S Arafin, MC Amann, SJ Sweeney Scientific Reports 6 (1), 19595, 2016	59	2016
Ge_1−xSn_x alloys: Consequences of band mixing effects for the evolution of the band gap Γ-character with Sn concentration TD Eales, IP Marko, S Schulz, E O’Halloran, S Ghetmiri, W Du, Y Zhou, ... Scientific reports 9 (1), 14077, 2019	58	2019
A multifaceted ferrocene interlayer for highly stable and efficient lithium doped spiro‐OMeTAD‐based perovskite solar cells T Webb, X Liu, RJE Westbrook, S Kern, MT Sajjad, S Jenatsch, ... Advanced Energy Materials 12 (26), 2200666, 2022	54	2022
Recombination and loss mechanisms in low-threshold InAs-GaAs 1.3-/spl mu/m quantum-dot lasers IP Marko, AR Adams, SJ Sweeney, DJ Mowbray, MS Skolnick, HY Liu, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 11 (5), 1041-1047, 2005	51	2005
Properties of hybrid MOVPE/MBE grown GaAsBi/GaAs based near-infrared emitting quantum well lasers IP Marko, SR Jin, K Hild, Z Batool, ZL Bushell, P Ludewig, W Stolz, K Volz, ... Semiconductor Science and Technology 30 (9), 094008, 2015	46	2015
Temperature dependence of the gain in p-doped and intrinsic 1.3 μm InAs∕ GaAs quantum dot lasers NF Masse, SJ Sweeney, IP Marko, AR Adams, N Hatori, M Sugawara Applied physics letters 89 (19), 2006	46	2006
Suppressing interfacial recombination with a strong‐interaction surface modulator for efficient inverted perovskite solar cells B Li, J Deng, JA Smith, P Caprioglio, K Ji, D Luo, JD McGettrick, ... Advanced Energy Materials 12 (48), 2202868, 2022	43	2022
Importance of Auger recombination in InAs 1.3 µm quantum dot lasers IP Marko, AD Andreev, AR Adams, R Krebs, JP Reithmaier, A Forchel Electronics Letters 39 (1), 1, 2003	38	2003
The Importance of Recombination via Excited States in InAs/GaAs m Quantum-Dot Lasers MT Crowley, IP Marko, NF Masse, AD Andreev, S Tomic, SJ Sweeney, ... IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 15 (3), 799-807, 2009	35	2009

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы