Mark Hopkinson

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	16526	2293
h-индекс	66	22
i10-индекс	316	73

1100

550

275

825

1994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202553 61 76 89 117 156 210 262 322 392 545 756 702 931 1056 977 1039 906 879 745 717 645 675 542 581 576 456 492 492 412 377 64

Общий доступ

Просмотреть все

65 статей

9 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

M S SkolnickProfessor of Physics, University of SheffieldПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Huiyun LiuProfessor of Semiconductor Photonics, University College LondonПодтвержден адрес электронной почты в домене ucl.ac.uk
JPR DavidUniversity of SheffieldПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Kristian GroomSenior Lecturer, The University of SheffieldПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Luke R WilsonSheffieldПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Anthony CullisEmeritus Professor, University of Sheffield, UKПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Richard Andrew HoggProfessor of Photonic Devices and Systems, James Watt School of Engineering, The University ofПодтвержден адрес электронной почты в домене glasgow.ac.uk
Anthony M FoxProfessor of Optical Physics, University of SheffieldПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Jonathan J. FinleyProfessor of Semiconductor Quantum NanoscienceПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Ian SellersProfessor at University of OklahomaПодтвержден адрес электронной почты в домене ou.edu
Robert J AireyResearch Associate in Electronic EngineeringПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Jo Shien NgProfessor of Semiconductor Devices, University of SheffieldПодтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk
Paul KoenraadEindhoven University of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене tue.nl
David Gonzalez RobledoCatedrático de universidad, Universidad de CádizПодтвержден адрес электронной почты в домене gm.uca.es
Maxime HuguesCRHEA-CNRSПодтвержден адрес электронной почты в домене crhea.cnrs.fr
Daniele SanvittoCNR NANOTEC – Institute of NanotechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене cnr.it
Laurence EavesUniversity of NottinghamПодтвержден адрес электронной почты в домене nottingham.ac.uk

Mark Hopkinson

University of Sheffield

Подтвержден адрес электронной почты в домене sheffield.ac.uk - Главная страница

Electronic and Electrical Engineering


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Inverted electron-hole alignment in InAs-GaAs self-assembled quantum dots PW Fry, IE Itskevich, DJ Mowbray, MS Skolnick, JJ Finley, JA Barker, ... Physical review letters 84 (4), 733, 2000	718	2000
Improved performance of 1.3 μm multilayer InAs quantum-dot lasers using a high-growth-temperature GaAs spacer layer HY Liu, IR Sellers, TJ Badcock, DJ Mowbray, MS Skolnick, KM Groom, ... Applied Physics Letters 85 (5), 704-706, 2004	340	2004
Nature of the Stranski-Krastanow transition during epitaxy of InGaAs on GaAs T Walther, AG Cullis, DJ Norris, M Hopkinson Physical Review Letters 86 (11), 2381, 2001	335	2001
Determination of the shape and indium distribution of low-growth-rate InAs quantum dots by cross-sectional scanning tunneling microscopy DM Bruls, J Vugs, PM Koenraad, HWM Salemink, JH Wolter, ... Applied physics letters 81 (9), 1708-1710, 2002	292	2002
Charged and neutral exciton complexes in individual self-assembled In (Ga) As quantum dots JJ Finley, AD Ashmore, A Lemaître, DJ Mowbray, MS Skolnick, ... Physical Review B 63 (7), 073307, 2001	244	2001
Electronic energy levels and energy relaxation mechanisms in self-organized InAs/GaAs quantum dots MJ Steer, DJ Mowbray, WR Tribe, MS Skolnick, MD Sturge, M Hopkinson, ... Physical Review B 54 (24), 17738, 1996	228	1996
Optimizing the growth of 1.3 μm InAs/InGaAs dots-in-a-well structure HY Liu, M Hopkinson, CN Harrison, MJ Steer, R Frith, IR Sellers, ... Journal of applied physics 93 (5), 2931-2936, 2003	223	2003
Observation of multicharged excitons and biexcitons in a single InGaAs quantum dot JJ Finley, PW Fry, AD Ashmore, A Lemaître, AI Tartakovskii, R Oulton, ... Physical Review B 63 (16), 161305, 2001	207	2001
Emission spectra and mode structure of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasers L Harris, DJ Mowbray, MS Skolnick, M Hopkinson, G Hill Applied physics letters 73 (7), 969-971, 1998	201	1998
Nuclear spin switch in semiconductor quantum dots AI Tartakovskii, T Wright, A Russell, VI Fal’Ko, AB Van’Kov, ... Physical Review Letters 98 (2), 026806, 2007	195	2007
Experimental investigation of the effect of wetting-layer states on the gain–current characteristic of quantum-dot lasers DR Matthews, HD Summers, PM Smowton, M Hopkinson Applied Physics Letters 81 (26), 4904-4906, 2002	187	2002
Fast optical preparation, control, and readout of a single quantum dot spin AJ Ramsay, SJ Boyle, RS Kolodka, JBB Oliveira, J Skiba-Szymanska, ... Physical review letters 100 (19), 197401, 2008	180	2008
Long-wavelength light emission and lasing from InAs∕ GaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer HY Liu, MJ Steer, TJ Badcock, DJ Mowbray, MS Skolnick, P Navaretti, ... Applied Physics Letters 86 (14), 2005	178	2005
Quantum-confined Stark shifts of charged exciton complexes in quantum dots JJ Finley, M Sabathil, P Vogl, G Abstreiter, R Oulton, AI Tartakovskii, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 70 (20), 201308, 2004	170	2004
High-performance three-layer 1.3-μm InAs-GaAs quantum-dot lasers with very low continuous-wave room-temperature threshold currents HY Liu, DT Childs, TJ Badcock, KM Groom, IR Sellers, M Hopkinson, ... IEEE Photonics Technology Letters 17 (6), 1139-1141, 2005	164	2005
Stranski-Krastanow transition and epitaxial island growth AG Cullis, DJ Norris, T Walther, MA Migliorato, M Hopkinson Physical Review B 66 (8), 081305, 2002	163	2002
Fine structure of charged and neutral excitons in InAs-Al 0.6 Ga 0.4 As quantum dots JJ Finley, DJ Mowbray, MS Skolnick, AD Ashmore, C Baker, AFG Monte, ... Physical Review B 66 (15), 153316, 2002	160	2002
1.3 µm InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density IR Sellers, HY Liu, KM Groom, DT Childs, D Robbins, TJ Badcock, ... Electronics Letters 40 (22), 1, 2004	158	2004
Mode structure of the L3 photonic crystal cavity ARA Chalcraft, S Lam, D O’Brien, TF Krauss, M Sahin, D Szymanski, ... Applied physics letters 90 (24), 2007	151	2007
InGaAs∕ AlAsSb∕ InP quantum cascade lasers operating at wavelengths close to 3μm DG Revin, JW Cockburn, MJ Steer, RJ Airey, M Hopkinson, AB Krysa, ... Applied Physics Letters 90 (2), 2007	145	2007

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы