Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2020 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 5639 | 4408 |
h-индекс | 32 | 23 |
i10-индекс | 51 | 38 |
Общий доступ
Просмотреть все10 статей
0 статей
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
Takao SomeyaProfessor, Department of Electric and Electronic Engineering, The University of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене ee.t.u-tokyo.ac.jp
Tomoyuki YokotaUniversity of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене ntech.t.u-tokyo.ac.jp
Mitsuru TakenakaThe University of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене mosfet.t.u-tokyo.ac.jp
Shinichi TakagiThe University of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене ee.t.u-tokyo.ac.jp
Sanghyeon KimKAIST, KIST, imec, The University of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене kaist.ac.kr
Yan Wang (王 燕)Guangdong Technion, Israel Institute of Technology; The University of Tokyo; Monash University (PhD)Подтвержден адрес электронной почты в домене technion.ac.il
Hanbit JinETRIПодтвержден адрес электронной почты в домене etri.re.kr
Kenjiro FukudaThin-Film Device Laboratory, RIKENПодтвержден адрес электронной почты в домене riken.go.jp
Naoji MatsuhisaAssociate Professor, Research Center for Advanced Science and Technology, The University of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене iis.u-tokyo.ac.jp
Amir ReuvenyCornell TechПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Takuya HoshiiTokyo Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене m.titech.ac.jp
Ryosho NakaneThe University of TokyoПодтвержден адрес электронной почты в домене cryst.t.u-tokyo.ac.jp
Robert NawrockiAssistant Professor, Purdue UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене purdue.edu
Wonryung LeeKorea Institute of Science and Technology (KIST)Подтвержден адрес электронной почты в домене kist.re.kr
Sungjun ParkElectrical and Computer Engineering, Ajou UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ajou.ac.kr
Hyunjae LeeStaff Engineer, Material Development Team, Samsung Semiconductor R&D Center