S. T. Picraux

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	18957	2376
h-индекс	70	23
i10-индекс	222	56

980

490

245

735

1986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025339 368 423 424 378 388 346 286 259 322 270 254 278 216 207 231 193 169 183 208 303 247 266 332 344 402 616 807 925 973 875 822 723 681 576 547 485 365 350 53

Общий доступ

Просмотреть все

7 статей

0 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Jian Yu Huang (黄建宇)Clean Nano Energy Center, State Key Laboratory of Metastable Materials Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене ysu.edu.cn
Jeff TsaoSandia National LaboratoriesПодтвержден адрес электронной почты в домене sandia.gov
Wei-Kan ChuCullen Professor of Physics, University of HoustonПодтвержден адрес электронной почты в домене uh.edu
Jinkyoung YooCenter for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене lanl.gov
Yang Liu3MПодтвержден адрес электронной почты в домене mmm.com
Daniel E. PereaPacific Northwest National LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене pnnl.gov
R M BiefeldRetiredПодтвержден адрес электронной почты в домене sandia.gov
L. Ralph DawsonResearch Professor of ECE, University of New MexicoПодтвержден адрес электронной почты в домене chtm.unm.edu

S. T. Picraux

Los Alamos National Laboratory

Подтвержден адрес электронной почты в домене lanl.gov

materials science


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Materials analysis by ion channeling: submicron crystallography LC Feldman, JW Mayer, STA Picraux Academic Press, 2012	1675	2012
Anisotropic swelling and fracture of silicon nanowires during lithiation XH Liu, H Zheng, L Zhong, S Huang, K Karki, LQ Zhang, Y Liu, A Kushima, ... Nano letters 11 (8), 3312-3318, 2011	868	2011
In situ atomic-scale imaging of electrochemical lithiation in silicon XH Liu, JW Wang, S Huang, F Fan, X Huang, Y Liu, S Krylyuk, J Yoo, ... Nature nanotechnology 7 (11), 749-756, 2012	709	2012
Ultrafast electrochemical lithiation of individual Si nanowire anodes XH Liu, LQ Zhang, L Zhong, Y Liu, H Zheng, JW Wang, JH Cho, ... Nano letters 11 (6), 2251-2258, 2011	488	2011
Adaptable silicon–carbon nanocables sandwiched between reduced graphene oxide sheets as lithium ion battery anodes B Wang, X Li, X Zhang, B Luo, M Jin, M Liang, SA Dayeh, ST Picraux, ... ACS nano 7 (2), 1437-1445, 2013	477	2013
Reversible nanopore formation in Ge nanowires during lithiation–delithiation cycling: An in situ transmission electron microscopy study XH Liu, S Huang, ST Picraux, J Li, T Zhu, JY Huang Nano letters 11 (9), 3991-3997, 2011	446	2011
Ion implantation of silicon and germanium at room temperature. Analysis by means of 1.0-MeV helium ion scattering JW Mayer, L Eriksson, ST Picraux, JA Davies Canadian Journal of Physics 46 (6), 663-673, 1968	360	1968
Ion beams in silicon processing and characterization E Chason, ST Picraux, JM Poate, JO Borland, MI Current, ... Journal of applied physics 81 (10), 6513-6561, 1997	348	1997
Epitaxial growth of rare‐earth silicides on (111) Si JA Knapp, ST Picraux Applied physics letters 48 (7), 466-468, 1986	325	1986
Lotus effect amplifies light-induced contact angle switching R Rosario, D Gust, AA Garcia, M Hayes, JL Taraci, T Clement, JW Dailey, ... The Journal of Physical Chemistry B 108 (34), 12640-12642, 2004	317	2004
Dependence of critical layer thickness on strain for InxGa1− xAs/GaAs strained‐layer superlattices IJ Fritz, ST Picraux, LR Dawson, TJ Drummond, WD Laidig, NG Anderson Applied physics letters 46 (10), 967-969, 1985	284	1985
Are nanoporous materials radiation resistant? EM Bringa, JD Monk, A Caro, A Misra, L Zepeda-Ruiz, M Duchaineau, ... Nano letters 12 (7), 3351-3355, 2012	272	2012
Critical Stresses for Strained-Layer Plasticity JY Tsao, BW Dodson, ST Picraux, DM Cornelison Physical review letters 59 (21), 2455, 1987	241	1987
Formation of SiC in silicon by ion implantation JA Borders, ST Picraux, W Beezhold Applied Physics Letters 18 (11), 509-511, 1971	238	1971
Role of integrated lateral stress in surface deformation of He‐implanted surfaces EP EerNisse, ST Picraux Journal of Applied Physics 48 (1), 9-17, 1977	235	1977
Defect trapping of ion‐implanted deuterium in Fe SM Myers, ST Picraux, RE Stoltz Journal of Applied Physics 50 (9), 5710-5719, 1979	215	1979
Partitioning of ion-induced surface and bulk displacements DK Brice, JY Tsao, ST Picraux Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam …, 1989	192	1989
Direct observation of nanoscale size effects in Ge semiconductor nanowire growth SA Dayeh, ST Picraux Nano letters 10 (10), 4032-4039, 2010	183	2010
Precipitation and relaxation in strained Si1− yCy/Si heterostructures JW Strane, HJ Stein, SR Lee, ST Picraux, JK Watanabe, JW Mayer Journal of applied physics 76 (6), 3656-3668, 1994	178	1994
Metastable SiGeC formation by solid phase epitaxy JW Strane, HJ Stein, SR Lee, BL Doyle, ST Picraux, JW Mayer Applied physics letters 63 (20), 2786-2788, 1993	175	1993

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы