Songlin Li

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	7475	3847
h-индекс	38	27
i10-индекс	70	50

780

390

195

585

201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202542 63 112 154 271 409 534 626 670 714 714 732 753 732 768 147

Общий доступ

Просмотреть все

29 статей

15 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Wei TianSchoow UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене suda.edu.cn
Haisheng Songhuazhong university of science and technologyПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.hust.edu.cn
Wenwu LiFudan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене fudan.edu.cn
Hairen TanProfessor, Nanjing UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене nju.edu.cn
Prof. Lei ZhangKey Lab of Mesoscopic Chemistry, MOE, Nanjing UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене nju.edu.cn
Yufeng HaoProfessor of Materials Science and Engineering, Nanjing UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене nju.edu.cn
Zhun-Yong OngResearch Scientist, Institute of High Performance Computing, SingaporeПодтвержден адрес электронной почты в домене ihpc.a-star.edu.sg
Thibault ChervyPHI Lab, NTT Research Inc.Подтвержден адрес электронной почты в домене ntt-research.com
Atef Shalabney, IsraelSenior lecturer, Physics and optical Engineering Department, Ort Braude CollgeПодтвержден адрес электронной почты в домене braude.ac.il
Fengqiu (Frank) WangProfessor, Nanjing University, ChinaПодтвержден адрес электронной почты в домене nju.edu.cn
Yuanhui SunSuzhou LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене szlab.ac.cn
Yanglong HOUProfessor, Peking UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене pku.edu.cn
Teng Yang (杨腾)Institute of Metal Research, Chinese academy of sciencesПодтвержден адрес электронной почты в домене imr.ac.cn
Marco GobbiMaterials Physics Center, Paseo Manuel de Lardizabal, 5 E-20018 Donostia – San Sebastián SpainПодтвержден адрес электронной почты в домене ehu.eus
Simone BertolazziEngineer Analyst at Yole DéveloppementПодтвержден адрес электронной почты в домене yole.fr
Yongjun TianYanshan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ysu.edu.cn

Songlin Li

Другие имена黎松林

Nanjing University, Jiangsu, China

Подтвержден адрес электронной почты в домене nju.edu.cn - Главная страница

Nanoelectronics Two-dimensional materials


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Charge transport and mobility engineering in two-dimensional transition metal chalcogenide semiconductors SL Li, K Tsukagoshi, E Orgiu, P Samorì Chemical Society Reviews 45 (1), 118-151, 2016	592	2016
Ambipolar MoTe₂ Transistors and Their Applications in Logic Circuits YF Lin, Y Xu, ST Wang, SL Li, M Yamamoto, A Aparecido‐Ferreira, W Li, ... Advanced Materials 26 (20), 3263-3269, 2014	486	2014
Simultaneous Contact and Grain‐Boundary Passivation in Planar Perovskite Solar Cells Using SnO₂‐KCl Composite Electron Transport Layer P Zhu, S Gu, X Luo, Y Gao, S Li, J Zhu, H Tan Advanced Energy Materials 10 (3), 1903083, 2020	449	2020
Quantitative Raman spectrum and reliable thickness identification for atomic layers on insulating substrates SL Li, H Miyazaki, H Song, H Kuramochi, S Nakaharai, K Tsukagoshi ACS nano 6 (8), 7381-7388, 2012	431	2012
Analyzing the Carrier Mobility in Transition‐Metal Dichalcogenide MoS₂ Field‐Effect Transistors Z Yu, ZY Ong, S Li, JB Xu, G Zhang, YW Zhang, Y Shi, X Wang Advanced Functional Materials 27 (19), 1604093, 2017	405	2017
Thickness-dependent interfacial coulomb scattering in atomically thin field-effect transistors SL Li, K Wakabayashi, Y Xu, S Nakaharai, K Komatsu, WW Li, YF Lin, ... Nano letters 13 (8), 3546-3552, 2013	382	2013
Strong Enhancement of Raman Scattering from a Bulk-Inactive Vibrational Mode in Few-Layer MoTe₂ M Yamamoto, ST Wang, M Ni, YF Lin, SL Li, S Aikawa, WB Jian, K Ueno, ... ACS nano 8 (4), 3895-3903, 2014	350	2014
Coherent Coupling of WS₂ Monolayers with Metallic Photonic Nanostructures at Room Temperature S Wang, S Li, T Chervy, A Shalabney, S Azzini, E Orgiu, JA Hutchison, ... Nano letters 16 (7), 4368-4374, 2016	334	2016
High-performance top-gated monolayer SnS 2 field-effect transistors and their integrated logic circuits HS Song, SL Li, L Gao, Y Xu, K Ueno, J Tang, YB Cheng, K Tsukagoshi Nanoscale 5 (20), 9666-9670, 2013	333	2013
Low‐Cost Fully Transparent Ultraviolet Photodetectors Based on Electrospun ZnO‐SnO₂ Heterojunction Nanofibers W Tian, T Zhai, C Zhang, SL Li, X Wang, F Liu, D Liu, X Cai, K Tsukagoshi, ... Advanced Materials 25 (33), 4625-4630, 2013	308	2013
Flexible Ultraviolet Photodetectors with Broad Photoresponse Based on Branched ZnS‐ZnO Heterostructure Nanofilms W Tian, C Zhang, T Zhai, SL Li, X Wang, J Liu, X Jie, D Liu, M Liao, ... Advanced Materials 26 (19), 3088-3093, 2014	278	2014
Origin of the relatively low transport mobility of graphene grown through chemical vapor deposition HS Song, SL Li, H Miyazaki, S Sato, K Hayashi, A Yamada, N Yokoyama, ... Scientific reports 2, 337, 2012	244	2012
Thickness scaling effect on interfacial barrier and electrical contact to two-dimensional MoS2 layers SL Li, K Komatsu, S Nakaharai, YF Lin, M Yamamoto, X Duan, ... ACS nano 8 (12), 12836-12842, 2014	197	2014
Electrostatically Reversible Polarity of Ambipolar α-MoTe₂ Transistors S Nakaharai, M Yamamoto, K Ueno, YF Lin, SL Li, K Tsukagoshi ACS nano 9 (6), 5976-5983, 2015	152	2015
Low operating bias and matched input− output characteristics in graphene logic inverters SL Li, H Miyazaki, A Kumatani, A Kanda, K Tsukagoshi Nano letters 10 (7), 2357-2362, 2010	149	2010
InSe: a two-dimensional material with strong interlayer coupling Y Sun, S Luo, XG Zhao, K Biswas, SL Li, L Zhang Nanoscale 10 (17), 7991-7998, 2018	127	2018
Integration of High‐k Oxide on MoS₂ by Using Ozone Pretreatment for High‐Performance MoS₂ Top‐Gated Transistor with Thickness‐Dependent Carrier … J Wang, S Li, X Zou, J Ho, L Liao, X Xiao, C Jiang, W Hu, J Wang, J Li small 11 (44), 5932-5938, 2015	110	2015
Flexible SnO 2 hollow nanosphere film based high-performance ultraviolet photodetector W Tian, C Zhang, T Zhai, SL Li, X Wang, M Liao, K Tsukagoshi, D Golberg, ... Chemical Communications 49 (36), 3739-3741, 2013	108	2013
Conduction tuning of graphene based on defect-induced localization S Nakaharai, T Iijima, S Ogawa, S Suzuki, SL Li, K Tsukagoshi, S Sato, ... ACS nano 7 (7), 5694-5700, 2013	104	2013
Efficient perovskite/silicon tandem solar cells on industrially compatible textured silicon X Luo, H Luo, H Li, R Xia, X Zheng, Z Huang, Z Liu, H Gao, X Zhang, S Li, ... Advanced Materials 35 (9), 2207883, 2023	100	2023

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы