Fu Zhang

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	2789	2424
h-индекс	29	27
i10-индекс	41	39

580

290

145

435

201620172018201920202021202220232024202514 46 106 181 322 446 476 562 536 81

Общий доступ

Просмотреть все

29 статей

12 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Mauricio TerronesEvan Pugh University Professor (Physics), Penn StateПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Nasim AlemPennsylvania State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Saptarshi DasAckley Professor of Engineering, Pennsylvania State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Joan RedwingPenn State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Ana Laura EliasDepartment of Physics, Applied Physics and Astronomy, Binghamton UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене binghamton.edu
Joshua A. RobinsonProf. MatSE; Center for 2DLM; ATOMIC; 2D Crystal Consort.; The Pennsylvania State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Xiaotian ZhangSJTUПодтвержден адрес электронной почты в домене sjtu.edu.cn
Vincent H CrespiProfessor of Physics, Pennsylvania State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Daniel S. SchulmanIntel CorporationПодтвержден адрес электронной почты в домене intel.com
Manh-Huong PhanProfessor of Physics, University of South FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене usf.edu
Yuanxi Wang (王元希)Assistant Professor, Department of Physics, University of North TexasПодтвержден адрес электронной почты в домене unt.edu
Konstantinos KordatosProfessor of Chemistry, National Technical University of AthensПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.ntua.gr
Long-Qing ChenPenn StateПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Ke WangMaterials Research Institute, Pennsylvania State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu
Luis BalicasNational High Magnetic Field Lab/Florida State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене magnet.fsu.edu

Fu Zhang

Intel Corporation, PhD, Pennsylvania State University

Подтвержден адрес электронной почты в домене psu.edu

Semiconductor TEM CVD 2D materials


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Single-atom doping of MoS₂ with manganese enables ultrasensitive detection of dopamine: Experimental and computational approach Y Lei, D Butler, MC Lucking, F Zhang, T Xia, K Fujisawa, ... Science advances 6 (32), eabc4250, 2020	320	2020
Diffusion-Controlled Epitaxy of Large Area Coalesced WSe₂ Monolayers on Sapphire X Zhang, TH Choudhury, M Chubarov, Y Xiang, B Jariwala, F Zhang, ... Nano letters 18 (2), 1049-1056, 2018	278	2018
Carbon doping of WS2 monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport MT Fu Zhang, Yanfu Lu, Daniel S Schulman, Tianyi Zhang, Kazunori Fujisawa ... Science advances 5 (5), eaav5003, 2019	178	2019
Monolayer vanadium‐doped tungsten disulfide: a room‐temperature dilute magnetic semiconductor F Zhang, B Zheng, A Sebastian, DH Olson, M Liu, K Fujisawa, YTH Pham, ... Advanced Science 7 (24), 2001174, 2020	159	2020
Universal In Situ Substitutional Doping of Transition Metal Dichalcogenides by Liquid-Phase Precursor-Assisted Synthesis T Zhang, K Fujisawa, F Zhang, M Liu, MC Lucking, RN Gontijo, Y Lei, ... ACS nano 14 (4), 4326-4335, 2020	146	2020
Defect-Controlled Nucleation and Orientation of WSe₂ on hBN: A Route to Single-Crystal Epitaxial Monolayers X Zhang, F Zhang, Y Wang, DS Schulman, T Zhang, A Bansal, N Alem, ... ACS nano 13 (3), 3341-3352, 2019	145	2019
Tunable ferromagnetism and thermally induced spin flip in Vanadium‐doped tungsten diselenide monolayers at room temperature YTH Pham, M Liu, VO Jimenez, Z Yu, V Kalappattil, F Zhang, K Wang, ... Advanced Materials 32 (45), 2003607, 2020	110	2020
Defect Dynamics in 2-D MoS₂ Probed by Using Machine Learning, Atomistic Simulations, and High-Resolution Microscopy TK Patra, F Zhang, DS Schulman, H Chan, MJ Cherukara, M Terrones, ... ACS nano 12 (8), 8006-8016, 2018	89	2018
Controlled synthesis of 2D transition metal dichalcogenides: from vertical to planar MoS2 F Zhang, K Momeni, MA AlSaud, A Azizi, MF Hainey, JM Redwing, ... 2D Materials 4 (2), 025029, 2017	86	2017
Considerations for utilizing sodium chloride in epitaxial molybdenum disulfide K Zhang, BM Bersch, F Zhang, NC Briggs, S Subramanian, K Xu, ... ACS applied materials & interfaces 10 (47), 40831-40837, 2018	83	2018
Vertically oriented few-layer graphene-nanocup hybrid structured electrodes for high-performance supercapacitors JL Qi, X Wang, JH Lin, F Zhang, JC Feng, WD Fei Journal of Materials Chemistry A 3 (23), 12396-12403, 2015	79	2015
A high-performance supercapacitor of vertically-oriented few-layered graphene with high-density defects JL Qi, X Wang, JH Lin, F Zhang, JC Feng, WD Fei Nanoscale 7 (8), 3675-3682, 2015	75	2015
Etchant-free transfer of 2D nanostructures F Zhang, C Erb, L Runkle, X Zhang, N Alem Nanotechnology 29 (2), 025602, 2017	70	2017
Spontaneous chemical functionalization via coordination of Au single atoms on monolayer MoS₂ H Liu, D Grasseschi, A Dodda, K Fujisawa, D Olson, E Kahn, F Zhang, ... Science advances 6 (49), eabc9308, 2020	69	2020
Influence of Carbon in Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Few-Layer WSe₂ Thin Films X Zhang, ZY Al Balushi, F Zhang, TH Choudhury, SM Eichfeld, N Alem, ... Journal of Electronic Materials 45, 6273-6279, 2016	65	2016
Scalable BEOL compatible 2D tungsten diselenide A Kozhakhmetov, JR Nasr, F Zhang, K Xu, NC Briggs, R Addou, ... 2D Materials 7 (1), 015029, 2019	63	2019
Clean transfer of 2D transition metal dichalcogenides using cellulose acetate for atomic resolution characterizations T Zhang, K Fujisawa, T Granzier-Nakajima, F Zhang, Z Lin, E Kahn, ... ACS Applied Nano Materials 2 (8), 5320-5328, 2019	57	2019
Full orientation control of epitaxial on hBN assisted by substrate defects F Zhang, Y Wang, C Erb, K Wang, P Moradifar, VH Crespi, N Alem Physical review B 99 (15), 155430, 2019	51	2019
Modifying the electrochemical performance of vertically-oriented few-layered graphene through rotary plasma processing J Lin, H Jia, Y Cai, S Chen, H Liang, X Wang, F Zhang, J Qi, J Cao, J Feng, ... Journal of Materials Chemistry A 6 (3), 908-917, 2018	49	2018
Electrochemical polishing of two-dimensional materials A Sebastian, F Zhang, A Dodda, D May-Rawding, H Liu, T Zhang, ... ACS nano 13 (1), 78-86, 2018	48	2018

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы