Theodore D Moustakas

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	19690	2590
h-индекс	72	27
i10-индекс	241	69

820

410

205

615

198619871988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202565 46 59 73 50 73 72 164 192 337 571 692 692 817 728 642 590 526 465 524 590 545 549 576 549 605 619 754 656 632 740 768 642 650 626 602 476 413 420 53

Общий доступ

Просмотреть все

18 статей

0 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Roberto PaiellaProfessor of Electrical and Computer Engineering, Boston UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
Anirban BhattacharyyaUniversity of CalcuttaПодтвержден адрес электронной почты в домене caluniv.ac.in
Hock M. NgOctopus Innovation PartnersПодтвержден адрес электронной почты в домене octoip.com
Karl LudwigProfessor of Physics, Boston UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
Eleftherios IliopoulosDepartment of Physics, University of Crete & IESL-FORTHПодтвержден адрес электронной почты в домене physics.uoc.gr
Emmanouil DimakisGroup leader, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Zentrum DresdenПодтвержден адрес электронной почты в домене hzdr.de
Yitao LiaoBoston UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
Dimitris KorakakisПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.wvu.edu
Marco FanciulliProfessor of Condensed Matter Physics, University of Milano BicoccaПодтвержден адрес электронной почты в домене unimib.it
Piotr PerlinInstitute of High Pressure PhysicsПодтвержден адрес электронной почты в домене unipress.waw.pl
Henryk TeisseyreInstitute of Physics of the Polish Academy of SciencesПодтвержден адрес электронной почты в домене ifpan.edu.pl
Luca Dal NegroProfessor of Electrical and Computer Engineering, Boston UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
Michał LeszczynskiПодтвержден адрес электронной почты в домене unipress.waw.pl
Wei ZhangBoston University Photonics CenterПодтвержден адрес электронной почты в домене physics.bu.edu
Soumendra BasuAssociate Division Head, Materials Science & Engineering; Professor, Mechanical Engineering, BostonПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
Papo Chen, T.C. Chen, Tai-Chou Che...Boston UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене amat.com
Enrico BellottiBoston University Georgia Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu
HAIDING SUNProfessor of University of Science and Technology of ChinaПодтвержден адрес электронной почты в домене ustc.edu.cn
Eleni PalouraProfessor of Physics, Aristotle University of ThessalonikiПодтвержден адрес электронной почты в домене auth.gr
Katsikini M.Aristotle University of ThessalonikiПодтвержден адрес электронной почты в домене auth.gr

Theodore D Moustakas

Boston University, Electrical and Computer Engineering Department

Подтвержден адрес электронной почты в домене bu.edu - Главная страница

nitride semiconductors amorphous semiconductors III-V compounds diamond thin films and metallic


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Scattering of electrons at threading dislocations in GaN NG Weimann, LF Eastman, D Doppalapudi, HM Ng, TD Moustakas Journal of Applied Physics 83 (7), 3656-3659, 1998	815	1998
Phase separation in InGaN thick films and formation of InGaN/GaN double heterostructures in the entire alloy composition R Singh, D Doppalapudi, TD Moustakas, LT Romano Applied Physics Letters 70 (9), 1089-1091, 1997	644	1997
Epitaxial growth and characterization of zinc‐blende gallium nitride on (001) silicon T Lei, TD Moustakas, RJ Graham, Y He, SJ Berkowitz Journal of Applied Physics 71 (10), 4933-4943, 1992	567	1992
The role of dislocation scattering in n-type GaN films HM Ng, D Doppalapudi, TD Moustakas, NG Weimann, LF Eastman Applied physics letters 73 (6), 821-823, 1998	562	1998
Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon T Lei, M Fanciulli, RJ Molnar, TD Moustakas, RJ Graham, J Scanlon Applied physics letters 59 (8), 944-946, 1991	559	1991
Metal contacts to gallium nitride JS Foresi, TD Moustakas Applied physics letters 62 (22), 2859-2861, 1993	527	1993
Towards the identification of the dominant donor in GaN P Perlin, T Suski, H Teisseyre, M Leszczynski, I Grzegory, J Jun, ... Physical review letters 75 (2), 296, 1995	412	1995
Heteroepitaxy, polymorphism, and faulting in GaN thin films on silicon and sapphire substrates T Lei, KF Ludwig Jr, TD Moustakas Journal of applied physics 74 (7), 4430-4437, 1993	361	1993
Growth of GaN by ECR-assisted MBE TD Moustakas, T Lei, RJ Molnar Physica B: Condensed Matter 185 (1-4), 36-49, 1993	341	1993
Optical Devices Featuring textured semiconductor layers JSC TD Moustakas US Patent 8,035,113, 2011	336	2011
Phase separation and ordering in InGaN alloys grown by molecular beam epitaxy D Doppalapudi, SN Basu, KF Ludwig Jr, TD Moustakas Journal of applied physics 84 (3), 1389-1395, 1998	336	1998
Gallium Nitride (GaN) JI Pankove, TD Moustakas (No Title), 1998	336	1998
Doping, Schottky barrier and p n junction formation in amorphous germanium and silicon by rf sputtering W Paul, AJ Lewis, GAN Connell, TD Moustakas Solid State Communications 20 (10), 969-972, 1976	315	1976
Thermal expansion of gallium nitride M Leszczynski, T Suski, H Teisseyre, P Perlin, I Grzegory, J Jun, ... Journal of applied physics 76 (8), 4909-4911, 1994	296	1994
Effect of nitrogen on the growth of diamond films S Jin, TD Moustakas Applied Physics Letters 65 (4), 403-405, 1994	289	1994
Mechanism of yellow luminescence in GaN T Suski, P Perlin, H Teisseyre, M Leszczyński, I Grzegory, J Jun, ... Applied physics letters 67 (15), 2188-2190, 1995	287	1995
Temperature dependence of the energy gap in GaN bulk single crystals and epitaxial layer H Teisseyre, P Perlin, T Suski, I Grzegory, S Porowski, J Jun, A Pietraszko, ... Journal of Applied Physics 76 (4), 2429-2434, 1994	257	1994
Electron transport mechanism in gallium nitride RJ Molnar, T Lei, TD Moustakas Applied physics letters 62 (1), 72-74, 1993	239	1993
Growth of gallium nitride by electron‐cyclotron resonance plasma‐assisted molecular‐beam epitaxy: The role of charged species RJ Molnar, TD Moustakas Journal of Applied Physics 76 (8), 4587-4595, 1994	237	1994
Hydrogenation of p‐type gallium nitride MS Brandt, NM Johnson, RJ Molnar, R Singh, TD Moustakas Applied Physics Letters 64 (17), 2264-2266, 1994	219	1994

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы