Wayne Johnson

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	7200	1528
h-индекс	51	20
i10-индекс	114	48

500

250

125

375

200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025123 183 164 127 252 224 312 291 285 417 333 496 387 413 386 465 401 370 362 329 322 243 242 30

Общий доступ

Просмотреть все

6 статей

2 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TПодтвержден адрес электронной почты в домене che.ufl.edu
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене mse.ufl.edu
Edwin PinerProfessor, Texas State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене txstate.edu
Yu CaoQorvoПодтвержден адрес электронной почты в домене qorvo.com
Brent P. GilaUniversity of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ufl.edu
Cammy R AbernathyUniversity of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене eng.ufl.edu
Sameer SinghalDirector, CFD Research CorpПодтвержден адрес электронной почты в домене cfdrc.com
Lu LiuUniversity of Florida, Stanford UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене stanford.edu
Debdeep JenaCornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Andrei VescanRWTH AachenПодтвержден адрес электронной почты в домене cst.rwth-aachen.de
Jihyun KimSeoul National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Patrick Fayelectrical engineering, University of Notre DameПодтвержден адрес электронной почты в домене nd.edu
Isik KizilyalliARPA-e, U.S.Department of EnergyПодтвержден адрес электронной почты в домене hq.doe.gov
Guowang LiGoogle, WaymoПодтвержден адрес электронной почты в домене google.com
Jen-Inn ChyiProfessor of National Central UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ee.ncu.edu.tw
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене yale.edu
Zongyang HuElectrical and Computer Engineering, Cornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Byung-Hwan ChuIBM, Samsung, U or FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене ufl.edu
Yu-Lin WangNational Tsing Hua University, Institute of Nanoengineering and MicrosystemsПодтвержден адрес электронной почты в домене mx.nthu.edu.tw

Wayne Johnson

Другие именаJW Johnson, W Johnson

Soundside Partners LLC

Подтвержден адрес электронной почты в домене soundsidepartners.com

GaN SiC RF/microwave power electronics compound semiconductors


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
12 W/mm AlGaN-GaN HFETs on silicon substrates JW Johnson, EL Piner, A Vescan, R Therrien, P Rajagopal, JC Roberts, ... IEEE Electron Device Letters 25 (7), 459-461, 2004	319	2004
Influence of MgO and passivation on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors B Luo, JW Johnson, J Kim, RM Mehandru, F Ren, BP Gila, AH Onstine, ... Applied Physics Letters 80 (9), 1661-1663, 2002	227	2002
1.9-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes on silicon M Zhu, B Song, M Qi, Z Hu, K Nomoto, X Yan, Y Cao, W Johnson, E Kohn, ... IEEE Electron Device Letters 36 (4), 375-377, 2015	208	2015
Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same JW Johnson, RJ Therrien, A Vescan, JD Brown US Patent 7,071,498, 2006	181	2006
Enzymatic glucose detection using ZnO nanorods on the gate region of AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, F Ren, SJ Pearton, TE Morey, DM Dennis, ... Applied Physics Letters 91 (25), 2007	178	2007
Pressure-induced changes in the conductivity of AlGaN∕ GaN high-electron mobility-transistor membranes BS Kang, S Kim, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, P Rajagopal, ... Applied Physics Letters 85 (14), 2962-2964, 2004	165	2004
Prostate specific antigen detection using AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, JW Johnson, ... Applied physics letters 91 (11), 2007	151	2007
Electrical detection of deoxyribonucleic acid hybridization with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, SJ Pearton, JJ Chen, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, ... Applied Physics Letters 89 (12), 2006	144	2006
DC and RF performance of proton-irradiated AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 79 (14), 2196-2198, 2001	144	2001
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor JW Johnson, B Luo, F Ren, BP Gila, W Krishnamoorthy, CR Abernathy, ... Applied Physics Letters 77 (20), 3230-3232, 2000	143	2000
210-GHz InAlN/GaN HEMTs with dielectric-free passivation R Wang, G Li, O Laboutin, Y Cao, W Johnson, G Snider, P Fay, D Jena, ... IEEE electron device letters 32 (7), 892-894, 2011	135	2011
Nanowire Channel InAlN/GaN HEMTs With High Linearity ofand DS Lee, H Wang, A Hsu, M Azize, O Laboutin, Y Cao, JW Johnson, ... IEEE electron device letters 34 (8), 969-971, 2013	134	2013
GaN electronics for high power, high temperature applications SJ Pearton, F Ren, AP Zhang, G Dang, XA Cao, KP Lee, H Cho, BP Gila, ... Materials Science and Engineering: B 82 (1-3), 227-231, 2001	134	2001
Breakdown voltage and reverse recovery characteristics of free-standing GaN Schottky rectifiers JW Johnson, AP Zhang, WB Luo, F Ren, SJ Pearton, SS Park, YJ Park, ... IEEE Transactions on Electron devices 49 (1), 32-36, 2002	128	2002
Reliability of large periphery GaN-on-Si HFETs S Singhal, T Li, A Chaudhari, AW Hanson, R Therrien, JW Johnson, ... Microelectronics Reliability 46 (8), 1247-1253, 2006	127	2006
Influence of γ-rays on dc performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied physics letters 80 (4), 604-606, 2002	123	2002
Gadolinium oxide and scandium oxide: gate dielectrics for GaN MOSFETs BP Gila, JW Johnson, R Mehandru, B Luo, AH Onstine, V Krishnamoorthy, ... physica status solidi (a) 188 (1), 239-242, 2001	120	2001
Lateral power rectifiers with 9.7 kV reverse breakdown voltage AP Zhang, JW Johnson, F Ren, J Han, AY Polyakov, NB Smirnov, ... Applied Physics Letters 78 (6), 823-825, 2001	119	2001
Fast electrical detection of Hg (II) ions with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors HT Wang, BS Kang, TF Chancellor, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 91 (4), 2007	117	2007
Semiconductor device-based sensors JW Johnson, EL Piner, KJ Linthicum US Patent 7,361,946, 2008	115	2008

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы