Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2020 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 2518 | 1740 |
h-индекс | 19 | 17 |
i10-индекс | 22 | 19 |
Общий доступ
Просмотреть все8 статей
0 статей
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
Jiho SungHarvard UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене fas.harvard.edu
Ji-Hoon AhnHanyang UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене hanyang.ac.kr
Myoung-Jae LeeDaegu Gyeongubuk Institute of Science & Technology (DGIST)Подтвержден адрес электронной почты в домене dgist.ac.kr
Hyunyong ChoiProfessor, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Gangtae JinAssistant Professor, Department of Electronic Engineering, Gachon UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Kibum KangDept. of Materials Science & Engineering, KAISTПодтвержден адрес электронной почты в домене kaist.ac.kr
Chang-Soo LeePOSTECH, Pohang University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене postech.ac.kr
Si-Young ChoiPOSTECHПодтвержден адрес электронной почты в домене postech.ac.kr
Yong-Mook KangProfessor of Materials Science and Engineering, Korea UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене korea.ac.kr
Sunyoung YooPOSTECH, KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене postech.ac.kr
Geunhee LeePeople4Net Inc.Подтвержден адрес электронной почты в домене people4nets.com
Подписаться![Hoseok Heo](https://usercontent.cljtscd.com/citations?view_op=view_photo&user=er4WmL4AAAAJ&citpid=2)
Hoseok Heo
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
Подтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com