Petr Klenovsky

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	771	534
h-индекс	19	15
i10-индекс	22	22

160

120

20102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420252 16 30 20 14 20 19 28 26 62 54 118 147 113 91 10

Общий доступ

Просмотреть все

22 статьи

0 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Armando RastelliProfessor of Semiconductor Physics, Johannes Kepler University LinzПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at
Rinaldo TrottaAssociate Professor, Sapienza University of RomeПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at
Peter MichlerПодтвержден адрес электронной почты в домене ihfg.uni-stuttgart.de
Andreas HerklotzMartin-Luther-University Halle-WittenbergПодтвержден адрес электронной почты в домене physik.uni-halle.de
Klaus D. JönsPaderborn UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-paderborn.de
Moritz BrehmJohannes Kepler University LinzПодтвержден адрес электронной почты в домене jku.at
Eugenio ZalloWalter Schottky Institut and TUM School of Natural Sciences, Technische Universität MünchenПодтвержден адрес электронной почты в домене wsi.tum.de
Dominique GeffroyMasaryk UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.muni.cz

Petr Klenovsky

Masaryk university

Подтвержден адрес электронной почты в домене physics.muni.cz

Condensed Matter Physics


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum dots JD Plumhof, V Křápek, F Ding, KD Jöns, R Hafenbrak, P Klenovský, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (12), 121302, 2011	113	2011
Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties P Klenovský, V Křápek, D Munzar, J Humlíček Applied Physics Letters 97 (20), 2010	55	2010
Excitonic structure and pumping power dependent emission blue-shift of type-II quantum dots P Klenovský, P Steindl, D Geffroy Scientific Reports 7 (1), 45568, 2017	53	2017
Single-particle-picture breakdown in laterally weakly confining GaAs quantum dots D Huber, BU Lehner, D Csontosová, M Reindl, S Schuler, ... Physical Review B 100 (23), 235425, 2019	42	2019
Resolving the temporal evolution of line broadening in single quantum emitters C Schimpf, M Reindl, P Klenovský, T Fromherz, SF Covre Da Silva, ... Optics express 27 (24), 35290-35307, 2019	42	2019
Modeling electronic and optical properties of III–V quantum dots—selected recent developments A Mittelstädt, A Schliwa, P Klenovský Light: Science & Applications 11 (1), 17, 2022	36	2022
Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots P Klenovský, A Schliwa, D Bimberg Physical Review B 100 (11), 115424, 2019	35	2019
Inversion of the exciton built-in dipole moment in In (Ga) As quantum dots via nonlinear piezoelectric effect J Aberl, P Klenovský, JS Wildmann, J Martín-Sánchez, T Fromherz, ... Physical Review B 96 (4), 045414, 2017	32	2017
Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots V Křápek, P Klenovský, T Šikola Physical Review B 92 (19), 195430, 2015	31	2015
Theory of magneto-optical properties of neutral and charged excitons in GaAs/AlGaAs quantum dots D Csontosová, P Klenovský Physical Review B 102 (12), 125412, 2020	30	2020
Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix P Steindl, EM Sala, B Alén, DF Marrón, D Bimberg, P Klenovský Physical Review B 100 (19), 195407, 2019	30	2019
Optical orientation and alignment of excitons in direct and indirect band gap (In, Al) As/AlAs quantum dots with type-I band alignment J Rautert, TS Shamirzaev, SV Nekrasov, DR Yakovlev, P Klenovský, ... Physical Review B 99 (19), 195411, 2019	29	2019
Effect of second-order piezoelectricity on the excitonic structure of stress-tuned In (Ga) As/GaAs quantum dots P Klenovský, P Steindl, J Aberl, E Zallo, R Trotta, A Rastelli, T Fromherz Physical Review B 97 (24), 245314, 2018	29	2018
Electric field induced tuning of electronic correlation in weakly confining quantum dots H Huang, D Csontosová, S Manna, Y Huo, R Trotta, A Rastelli, ... Physical Review B 104 (16), 165401, 2021	24	2021
Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots P Klenovský, D Hemzal, P Steindl, M Zíkova, V Křápek, J Humlíček Physical Review B 92 (24), 241302, 2015	24	2015
Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition P Klenovský, M Brehm, V Křápek, E Lausecker, D Munzar, F Hackl, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 86 (11), 115305, 2012	23	2012
Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules V Křápek, P Klenovský, A Rastelli, OG Schmidt, D Munzar Journal of Physics: Conference Series 245 (1), 012027, 2010	21	2010
Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots RSR Gajjela, AL Hendriks, JO Douglas, EM Sala, P Steindl, P Klenovský, ... Light: Science & Applications 10 (1), 125, 2021	20	2021
Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer P Klenovský, V Křápek, D Munzar, J Humlíček Journal of Physics: Conference Series 245 (1), 012086, 2010	19	2010
Type-II InAs/GaAsSb/GaAs quantum dots as artificial quantum dot molecules P Klenovsky, V Krápek, J Humlícek arXiv preprint arXiv:1612.03596, 2016	15	2016

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы