Max C. Lemme

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	16951	8898
h-индекс	64	48
i10-индекс	181	124

2100

1050

525

1575

2006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202554 148 198 314 320 403 506 557 654 744 938 933 997 1167 1476 1613 1723 1787 2019 271

Общий доступ

Просмотреть все

171 статья

37 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Mikael ÖstlingKTH Royal Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kth.se
Prof.Dr. Heinrich KurzWissenschaftlicher Direktor AMO GmbH, 1993-2016 (verstorben)Подтвержден адрес электронной почты в домене amo.de
SATENDER KATARIAAMO GmbH, GermanyПодтвержден адрес электронной почты в домене rwth-aachen.de
Sam VaziriStanford UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене stanford.edu
Anderson David SmithAssociate Professor, Chalmers University of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене kth.se
Thorsten WahlbrinkPhysiker, AMO GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене amo.de
Frank NiklausProfessor of Micro and Nanosystems at KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, SwedenПодтвержден адрес электронной почты в домене kth.se
stefan wagnerBlack Semiconductor GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене blacksemicon.de
Daniel NeumaierUniversity of WuppertalПодтвержден адрес электронной почты в домене uni-wuppertal.de
Tim EchtermeyerUniversity of ManchesterПодтвержден адрес электронной почты в домене manchester.ac.uk
Georg S. DuesbergChair of Sensortechnology , Universität der Bundeswehr, MunichПодтвержден адрес электронной почты в домене unibw.de
Amit GahoiPh.D student, RWTH Aachen UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене eld.rwth-aachen.de
Zhenxing WangAMO GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене amo.de
Stephan SuckowGroup Leader Nanophotonics, AMO GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене amo.de
Jens BoltenAMO GmbHПодтвержден адрес электронной почты в домене amo.de
Johnson Kwame EfaviSenior Lecturer University of GhanaПодтвержден адрес электронной почты в домене ug.edu.gh
Eduard AlarconFull professor Electrical Engineering, UPC BarcelonaTechПодтвержден адрес электронной почты в домене upc.edu
Daniel S. SchneiderPostdoctoral ResearcherПодтвержден адрес электронной почты в домене amo.de
Tibor GrasserProfessor at TU Wien, Head of Institute for Microelectronics, Fellow IEEEПодтвержден адрес электронной почты в домене iue.tuwien.ac.at
pk hurleyTyndall National Institute, University College CorkПодтвержден адрес электронной почты в домене tyndall.ie

Max C. Lemme

Professor, RWTH Aachen University, Germany, Director, AMO GmbH

Подтвержден адрес электронной почты в домене eld.rwth-aachen.de - Главная страница

Nanoelectronics Optoelectronics Neuromorphic Computing 2D Materials Perovskites


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
A graphene field-effect device MC Lemme, TJ Echtermeyer, M Baus, H Kurz IEEE Electron Device Letters 28 (4), 282-284, 2007	1406	2007
Recommended methods to study resistive switching devices M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ... Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019	652	2019
Efficient inkjet printing of graphene J Li, F Ye, S Vaziri, M Muhammed, MC Lemme, M Östling Advanced Materials 25 (29), 3985-3992, 2013	590	2013
Gate-activated photoresponse in a graphene p–n junction MC Lemme, FHL Koppens, AL Falk, MS Rudner, H Park, LS Levitov, ... Nano Letters 11 (10), 4134-4137, 2011	505	2011
Precision cutting and patterning of graphene with helium ions DC Bell, MC Lemme, LA Stern, JR Williams, CM Marcus Nanotechnology 20 (45), 455301, 2009	466	2009
Intrinsic and extrinsic corrugation of monolayer graphene deposited on SiO V Geringer, M Liebmann, T Echtermeyer, S Runte, M Schmidt, ... Physical Review Letters 102 (7), 076102, 2009	452	2009
Electromechanical piezoresistive sensing in suspended graphene membranes AD Smith, F Niklaus, A Paussa, S Vaziri, AC Fischer, M Sterner, ... Nano Letters 13 (7), 3237-3242, 2013	449	2013
Insulators for 2D nanoelectronics: the gap to bridge YY Illarionov, T Knobloch, M Jech, M Lanza, D Akinwande, MI Vexler, ... Nature Communications 11 (1), 3385, 2020	428	2020
Etching of graphene devices with a helium ion beam MC Lemme, DC Bell, JR Williams, LA Stern, BWH Baugher, ... ACS Nano 3 (9), 2674-2676, 2009	402	2009
2D materials for future heterogeneous electronics MC Lemme, D Akinwande, C Huyghebaert, C Stampfer Nature Communications 13 (3), 1392, 2022	388	2022
High-performance hybrid electronic devices from layered PtSe films grown at low temperature C Yim, K Lee, N McEvoy, M O'Brien, S Riazimehr, NC Berner, CP Cullen, ... ACS Nano 10 (10), 9550–9558, 2016	381	2016
Resistive graphene humidity sensors with rapid and direct electrical readout AD Smith, K Elgammal, F Niklaus, A Delin, AC Fischer, S Vaziri, ... Nanoscale 7 (45), 19099-19109, 2015	360	2015
Residual Metallic Contamination of Transferred Chemical Vapor Deposited Graphene G Lupina, J Kitzmann, I Costina, M Lukosius, C Wenger, A Wolff, S Vaziri, ... ACS Nano 9 (5), 4776–4785, 2015	327	2015
Inkjet Printing of MoS₂ J Li, MM Naiini, S Vaziri, MC Lemme, M Östling Advanced Functional Materials 24 (41), 6524-6531, 2014	300	2014
A graphene-based hot electron transistor S Vaziri, G Lupina, C Henkel, AD Smith, M Östling, J Dabrowski, ... Nano Letters 13 (4), 1435-1439, 2013	284	2013
Non-volatile switching in graphene field effect devices TJ Echtermeyer, MC Lemme, M Baus, BN Szafranek, AK Geim, H Kurz IEEE Electron Device Letters 29 (8), 952-954, 2008	222	2008
Electrical properties of graphene-metal contacts T Cusati, G Fiori, A Gahoi, V Passi, MC Lemme, A Fortunelli, ... Scientific Reports 7 (1), 5109, 2017	204	2017
Integrating graphene into semiconductor fabrication lines D Neumaier, S Pindl, MC Lemme Nature Materials 18 (6), 525, 2019	195	2019
Highly sensitive electromechanical piezoresistive pressure sensors based on large-area layered PtSe films S Wagner, C Yim, N McEvoy, S Kataria, V Yokaribas, A Kuc, S Pindl, ... Nano Letters 18 (5), 3738-3745, 2018	194	2018
Room‐temperature stimulated emission and lasing in recrystallized cesium lead bromide perovskite thin films N Pourdavoud, T Haeger, A Mayer, PJ Cegielski, AL Giesecke, ... Advanced Materials 31 (39), 1903717, 2019	192	2019

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы