Paul Fons

Навело

	Све	Од 2020
Наводи	15382	3786
h-индекс	63	29
i10-индекс	228	97

940

470

235

705

19961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202557 42 65 49 92 124 150 223 267 353 369 469 538 538 606 706 795 804 821 862 858 924 863 793 822 825 756 620 647 116

Јавни приступ

Прикажи све

15 чланака

1 чланак*

доступно

није доступно

На основу услова финансирања

Коаутори

Александр Владимирович Колобов (...РГПУ им. А.И. ГерценаВерификована је имејл адреса на herzen.spb.ru
Kakuya IwataNational institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)Верификована је имејл адреса на aist.go.jp
Yuta SaitoProfessor, Tohoku UniversityВерификована је имејл адреса на tohoku.ac.jp
milos krbalSenior researcher, CEMNAT, University of PardubiceВерификована је имејл адреса на upce.cz
Muneaki HaseDepartment of Applied Physics, University of TsukubaВерификована је имејл адреса на u.tsukuba.ac.jp
Robert E SimpsonUniversity of BrminghamВерификована је имејл адреса на bham.ac.uk
SAKURAI KeiichiroNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)Верификована је имејл адреса на aist.go.jp
Kirill MitrofanovOISTВерификована је имејл адреса на oist.jp
Makino KotaroNational Institute of Advanced Industrial Science and TechnologyВерификована је имејл адреса на aist.go.jp
Raffaella CalarcoCNR-IMMВерификована је имејл адреса на cnr.it
Anatoly I. FrenkelStony Brook UniversityВерификована је имејл адреса на stonybrook.edu
Takashi YagiNational Institute of Advanced Industrial Science and TechnologyВерификована је имејл адреса на aist.go.jp
Alessandro GiussaniSilanna SemiconductorВерификована је имејл адреса на silanna.com
YI SHUANGTohoku universityВерификована је имејл адреса на dc.tohoku.ac.jp
Shuichi MurakamiProfessor of Physics, Tokyo Institute of TechnologyВерификована је имејл адреса на stat.phys.titech.ac.jp
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikВерификована је имејл адреса на pdi-berlin.de
Spyros N. YannopoulosProfessor, Department of Chemistry, University of Patras, and Research Director (FORTH/ICE-HTВерификована је имејл адреса на iceht.forth.gr
Konstantinos S. AndrikopoulosPhysics Dpt., University of Patras & ICEHT/FORTHВерификована је имејл адреса на iceht.forth.gr
Joe GreeneProfessor of Materials Science and Physics, University of IllinoisВерификована је имејл адреса на uiuc.edu
Motohiro SuzukiKwansei Gakuin UniversityВерификована је имејл адреса на kwansei.ac.jp

Прати

Paul Fons

Professor at Keio University

Верификована је имејл адреса на keio.jp

Materials Science Phase-change materials X-ray absorption Density-functional theory Ultra-fast structural techniques


Наслов Сортирај по наводима Сортирај по години Сортирај по наслову	Навело Навело	Година
Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media AV Kolobov, P Fons, AI Frenkel, AL Ankudinov, J Tominaga, T Uruga Nature materials 3 (10), 703-708, 2004	1640	2004
Interfacial phase-change memory RE Simpson, P Fons, AV Kolobov, T Fukaya, M Krbal, T Yagi, J Tominaga Nature nanotechnology 6 (8), 501-505, 2011	849	2011
ZnO transparent conducting films deposited by pulsed laser deposition for solar cell applications K Matsubara, P Fons, K Iwata, A Yamada, K Sakurai, H Tampo, S Niki Thin Solid Films 431, 369-372, 2003	359	2003
Toward the Ultimate Limit of Phase Change in Ge₂Sb₂Te₅ RE Simpson, M Krbal, P Fons, AV Kolobov, J Tominaga, T Uruga, ... Nano letters 10 (2), 414-419, 2010	284	2010
Uniaxial locked epitaxy of ZnO on the face of sapphire P Fons, K Iwata, A Yamada, K Matsubara, S Niki, K Nakahara, T Tanabe, ... Applied Physics Letters 77 (12), 1801-1803, 2000	270	2000
Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3 P Fons, K Iwata, S Niki, A Yamada, K Matsubara Journal of Crystal Growth 201, 627-632, 1999	255	1999
Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy AV Kolobov, M Krbal, P Fons, J Tominaga, T Uruga Nature chemistry 3 (4), 311-316, 2011	234	2011
Nitrogen-induced defects in ZnO: N grown on sapphire substrate by gas source MBE K Iwata, P Fons, A Yamada, K Matsubara, S Niki Journal of Crystal Growth 209 (2-3), 526-531, 2000	233	2000
Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5 phase-change materials KS Andrikopoulos, SN Yannopoulos, AV Kolobov, P Fons, J Tominaga Journal of Physics and Chemistry of Solids 68 (5-6), 1074-1078, 2007	224	2007
Ferroelectric Order Control of the Dirac-Semimetal Phase in GeTe-Sb ₂ Te ₃ Superlattices J Tominaga, AV Kolobov, P Fons, T Nakano, S Murakami Advanced Materials Interfaces 1 (1), 1300027-1300027, 2014	203	2014
Na-induced variations in the structural, optical, and electrical properties of Cu (In, Ga) Se2 thin films S Ishizuka, A Yamada, MM Islam, H Shibata, P Fons, T Sakurai, K Akimoto, ... Journal of applied physics 106 (3), 2009	200	2009
Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of and S Chichibu, T Mizutani, K Murakami, T Shioda, T Kurafuji, H Nakanishi, ... Journal of Applied Physics 83 (7), 3678-3689, 1998	194	1998
Interactions between gallium and nitrogen dopants in ZnO films grown by radical-source molecular-beam epitaxy K Nakahara, H Takasu, P Fons, A Yamada, K Iwata, K Matsubara, ... Applied physics letters 79 (25), 4139-4141, 2001	188	2001
ZnO growth on Si by radical source MBE K Iwata, P Fons, S Niki, A Yamada, K Matsubara, K Nakahara, T Tanabe, ... Journal of Crystal Growth 214, 50-54, 2000	172	2000
Direct Observation of Nitrogen Location in Molecular Beam Epitaxy Grown<? format?> Nitrogen-Doped ZnO P Fons, H Tampo, AV Kolobov, M Ohkubo, S Niki, J Tominaga, R Carboni, ... Physical Review Letters 96 (4), 045504, 2006	169	2006
Polarization-induced two-dimensional electron gases in ZnMgO/ZnO heterostructures H Tampo, H Shibata, K Maejima, A Yamada, K Matsubara, P Fons, ... Applied Physics Letters 93 (20), 2008	167	2008
Fabrication of wide-gap Cu (In1− xGax) Se2 thin film solar cells: a study on the correlation of cell performance with highly resistive i-ZnO layer thickness S Ishizuka, K Sakurai, A Yamada, K Matsubara, P Fons, K Iwata, ... Solar energy materials and solar cells 87 (1-4), 541-548, 2005	165	2005
Band-gap modified Al-doped Zn1− xMgxO transparent conducting films deposited by pulsed laser deposition K Matsubara, H Tampo, H Shibata, A Yamada, P Fons, K Iwata, S Niki Applied physics letters 85 (8), 1374-1376, 2004	158	2004
Local structure of crystallized GeTe films AV Kolobov, J Tominaga, P Fons, T Uruga Applied physics letters 82 (3), 382-384, 2003	154	2003
Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO∕ ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy H Tampo, H Shibata, K Matsubara, A Yamada, P Fons, S Niki, ... Applied physics letters 89 (13), 2006	146	2006

Систем тренутно не може да изврши ову радњу. Пробајте поново касније.

Чланци 1–20

Годишњи број навода

Дупли наводи

Обједињени наводи

Додавање коаутораКоаутори

Прати

Навело

Коаутори