Eilam Yalon

Навело

	Све	Од 2020
Наводи	3368	2761
h-индекс	30	24
i10-индекс	50	45

600

300

150

450

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 7 14 30 29 83 131 280 413 510 581 557 590 110

Јавни приступ

Прикажи све

43 чланка

3 чланка

доступно

није доступно

На основу услова финансирања

Коаутори

Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACВерификована је имејл адреса на stanford.edu
Dr. Miguel Muñoz Rojo - ERC granteeTenured permanent researcher (CSIC) & Associate Prof. (University of Twente)Верификована је имејл адреса на csic.es
Connor J. McClellanStanford UniversityВерификована је имејл адреса на stanford.edu
Sanchit DeshmukhPhD, Stanford UniversityВерификована је имејл адреса на alumni.stanford.edu
Christopher M. NeumannIntelВерификована је имејл адреса на intel.com
Dan RitterProfessor of Electrical Engineering, Technion, IsraelВерификована је имејл адреса на ee.technion.ac.il
Saurabh V. SuryavanshiSynopsysВерификована је имејл адреса на suryavanshi.me
Nicolás WainsteinTechnion - Israel Institute of TechnologyВерификована је имејл адреса на technion.ac.il
Feng XiongAssociate Professor, Department of Electrical and Computer Engineering, University of PittsburghВерификована је имејл адреса на pitt.edu
Shahar KvatinskyTechnion - Israel Institute of TechnologyВерификована је имејл адреса на ee.technion.ac.il
Sam VaziriStanford UniversityВерификована је имејл адреса на stanford.edu
Connor BaileyStanford UniversityВерификована је имејл адреса на stanford.edu
Alexander J GabourieDeepSim, Inc.Верификована је имејл адреса на deepsim.io
H.-S. Philip WongProfessor of Electrical Engineering, Stanford UniversityВерификована је имејл адреса на stanford.edu
Emanuel BerTechnion - Israel Institute of TechnologyВерификована је имејл адреса на campus.technion.ac.il
Tony F HeinzDepts. of Applied Physics, Photon Science, and, by courtesy, of Electrical Eng., SLAC, StanfordВерификована је имејл адреса на stanford.edu
Ilan RiessPhysics Department TechnionВерификована је имејл адреса на tx.technion.ac.il
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of SingaporeВерификована је имејл адреса на kaust.edu.sa
Burak AslanAssistant Professor, Bogazici UniversityВерификована је имејл адреса на boun.edu.tr
Lior KornblumViterbi Dept. of Electrical & Computer Engineering, Technion - Israel Institute of TechnologyВерификована је имејл адреса на ee.technion.ac.il

Прати

Eilam Yalon

Technion, Israel Institute of Technology

Верификована је имејл адреса на technion.ac.il - Почетна страница

Nanoelectronics electron device physics energy-efficiency nanomaterials


Наслов Сортирај по наводима Сортирај по години Сортирај по наслову	Навело Навело	Година
Recommended methods to study resistive switching devices M Lanza, HSP Wong, E Pop, D Ielmini, D Strukov, BC Regan, L Larcher, ... Advanced Electronic Materials 5 (1), 1800143, 2019	656	2019
Energy Dissipation in Monolayer MoS₂ Electronics E Yalon, CJ McClellan, KKH Smithe, M Muñoz Rojo, RL Xu, ... Nano letters 17 (6), 3429-3433, 2017	241	2017
High Current Density in Monolayer MoS₂ Doped by AlO_x CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop ACS nano 15 (1), 1587-1596, 2021	217	2021
Temperature-Dependent Thermal Boundary Conductance of Monolayer MoS₂ by Raman Thermometry E Yalon, B Aslan, KKH Smithe, CJ McClellan, SV Suryavanshi, F Xiong, ... ACS applied materials & interfaces 9 (49), 43013-43020, 2017	189	2017
Rapid Flame Synthesis of Atomically Thin MoO₃ down to Monolayer Thickness for Effective Hole Doping of WSe₂ L Cai, CJ McClellan, AL Koh, H Li, E Yalon, E Pop, X Zheng Nano letters 17 (6), 3854-3861, 2017	174	2017
Ultrahigh thermal isolation across heterogeneously layered two-dimensional materials S Vaziri, E Yalon, M Muñoz Rojo, SV Suryavanshi, H Zhang, ... Science advances 5 (8), eaax1325, 2019	141	2019
Uncovering the Effects of Metal Contacts on Monolayer MoS₂ K Schauble, D Zakhidov, E Yalon, S Deshmukh, RW Grady, KA Cooley, ... ACS nano 14 (11), 14798-14808, 2020	137	2020
Engineering field effect transistors with 2D semiconducting channels: Status and prospects X Jing, Y Illarionov, E Yalon, P Zhou, T Grasser, Y Shi, M Lanza Advanced Functional Materials 30 (18), 1901971, 2020	99	2020
Nanoscale Heterogeneities in Monolayer MoSe₂ Revealed by Correlated Scanning Probe Microscopy and Tip-Enhanced Raman Spectroscopy KKH Smithe, AV Krayev, CS Bailey, HR Lee, E Yalon, B Aslan, ... ACS Applied Nano Materials 1 (2), 572-579, 2017	77	2017
Spatially resolved thermometry of resistive memory devices E Yalon, S Deshmukh, M Muñoz Rojo, F Lian, CM Neumann, F Xiong, ... Scientific reports 7 (1), 15360, 2017	70	2017
Effective n-type doping of monolayer MoS₂ by AlO_x CJ McClellan, E Yalon, KKH Smithe, SV Suryavanshi, E Pop 2017 75th annual device research conference (DRC), 1-2, 2017	65	2017
Radiofrequency switches based on emerging resistive memory technologies-a survey N Wainstein, G Adam, E Yalon, S Kvatinsky Proceedings of the IEEE 109 (1), 77-95, 2020	60	2020
Localized Heating and Switching in MoTe₂-Based Resistive Memory Devices IM Datye, MM Rojo, E Yalon, S Deshmukh, MJ Mleczko, E Pop Nano letters 20 (2), 1461-1467, 2020	58	2020
Engineering thermal and electrical interface properties of phase change memory with monolayer MoS2 CM Neumann, KL Okabe, E Yalon, RW Grady, HSP Wong, E Pop Applied Physics Letters 114 (8), 2019	53	2019
Detection of the insulating gap and conductive filament growth direction in resistive memories E Yalon, I Karpov, V Karpov, I Riess, D Kalaev, D Ritter Nanoscale 7 (37), 15434-15441, 2015	51	2015
Monolayer molybdenum disulfide switches for 6G communication systems M Kim, G Ducournau, S Skrzypczak, SJ Yang, P Szriftgiser, N Wainstein, ... Nature Electronics 5 (6), 367-373, 2022	50	2022
Thermometry of filamentary RRAM devices E Yalon, AA Sharma, M Skowronski, JA Bain, D Ritter, IV Karpov IEEE Transactions on Electron Devices 62 (9), 2972-2977, 2015	49	2015
Understanding the switching mechanism of interfacial phase change memory KL Okabe, A Sood, E Yalon, CM Neumann, M Asheghi, E Pop, ... Journal of Applied Physics 125 (18), 2019	46	2019
Resistive Switching inProbed by a Metal–Insulator–Semiconductor Bipolar Transistor E Yalon, A Gavrilov, S Cohen, D Mistele, B Meyler, J Salzman, D Ritter IEEE electron device letters 33 (1), 11-13, 2011	44	2011
Sub-Nanosecond Switching of Si:HfO₂ Ferroelectric Field-Effect Transistor MM Dahan, H Mulaosmanovic, O Levit, S Dünkel, S Beyer, E Yalon Nano Letters 23 (4), 1395-1400, 2023	43	2023

Систем тренутно не може да изврши ову радњу. Пробајте поново касније.

Чланци 1–20

Годишњи број навода

Дупли наводи

Обједињени наводи

Додавање коаутораКоаутори

Прати

Навело

Коаутори