Jiyoung Kim

อ้างโดย

	ทั้งหมด	ตั้งแต่ปี 2020
การอ้างอิง	13067	5454
ดัชนี h	57	38
ดัชนี i10	187	96

1200

600

300

900

20022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202536 50 32 39 55 82 150 299 379 507 444 595 656 630 721 812 854 1056 982 1135 1112 1012 960 253

การเข้าถึงแบบสาธารณะ

ดูทั้งหมด

26 บทความ

8 บทความ

ใช้งานได้

ใช้ไม่ได้

อิงตามข้อกำหนดในการรับเงินสนับสนุน

ผู้เขียนร่วม

Robert M. WallaceUniversity of Texas at Dallasยืนยันอีเมลแล้วที่ utdallas.edu
Lanxia ChengStaff Engineer_EMD Electronicsยืนยันอีเมลแล้วที่ emdgroup.com
Luigi ColomboUniversity of Texas at Dallasยืนยันอีเมลแล้วที่ utdallas.edu
Si Joon KimAssociate Professor, Kangwon National Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ kangwon.ac.kr
Bongki LeeTechnology Development Engineer, GLOBALFOUNDRIESยืนยันอีเมลแล้วที่ globalfoundries.com
Stephen McDonnellUniversity of Virginiaยืนยันอีเมลแล้วที่ virginia.edu
Jaidah MohanSenior Process Development Engineerยืนยันอีเมลแล้วที่ micron.com
Hyunjung ShinSungkyunkwan Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ skku.edu
Harrison Sejoon KimIntel ATTDยืนยันอีเมลแล้วที่ intel.com
Greg MordiThe University of Texas at Dallasยืนยันอีเมลแล้วที่ utdallas.edu
Barry BrennanAtlantic Technological Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ atu.ie
Rafik AddouOregon State Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ oregonstate.edu
Hong DongNankai Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ nankai.edu.cn
Eric M VogelHightower Professor of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technologyยืนยันอีเมลแล้วที่ mse.gatech.edu
Jinho AhnProfessor of Materials Science and Engineering, Hanyang Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ hanyang.ac.kr
Myung Mo SungHanyang University, Chemistry Departmentยืนยันอีเมลแล้วที่ HANYANG.AC.KR
Chadwin D. YoungUniversity of Texas at Dallasยืนยันอีเมลแล้วที่ utdallas.edu
Yves Jean ChabalUniversity of Texas at Dallasยืนยันอีเมลแล้วที่ utdallas.edu
Srikar JandhyalaEngineering Manager, Intel Corporationยืนยันอีเมลแล้วที่ intel.com
Francisco Servando Aguirre-TostadoCentro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C., Unidad Monterreyยืนยันอีเมลแล้วที่ cimav.edu.mx

ติดตาม

Jiyoung Kim

Professor, Department of Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas

ยืนยันอีเมลแล้วที่ utdallas.edu - หน้าแรก

Advanced CMOS Atomic Layer Deposition Gate Stack ferroelectrics 2D-Nanomaterials and Heterostructures


ชื่อ เรียงตามการอ้างอิง เรียงตามปี เรียงตามชื่อ	อ้างโดย อ้างโดย	ปี
GaAs interfacial self-cleaning by atomic layer deposition CL Hinkle, AM Sonnet, EM Vogel, S McDonnell, GJ Hughes, M Milojevic, ... Applied Physics Letters 92 (7), 2008	495	2008
Covalent Nitrogen Doping and Compressive Strain in MoS₂ by Remote N₂ Plasma Exposure A Azcatl, X Qin, A Prakash, C Zhang, L Cheng, Q Wang, N Lu, MJ Kim, ... Nano letters 16 (9), 5437-5443, 2016	431	2016
Conformal Al2O3 dielectric layer deposited by atomic layer deposition for graphene-based nanoelectronics B Lee, SY Park, HC Kim, KJ Cho, EM Vogel, MJ Kim, RM Wallace, J Kim Applied Physics Letters 92 (20), 2008	392	2008
Template-directed synthesis of oxide nanotubes: fabrication, characterization, and applications C Bae, H Yoo, S Kim, K Lee, J Kim, MM Sung, H Shin Chemistry of Materials 20 (3), 756-767, 2008	371	2008
Metal Contacts on Physical Vapor Deposited Monolayer MoS₂ C Gong, C Huang, J Miller, L Cheng, Y Hao, D Cobden, J Kim, RS Ruoff, ... ACS nano 7 (12), 11350-11357, 2013	359	2013
Formation of TiO₂ and ZrO₂ Nanotubes Using Atomic Layer Deposition with Ultraprecise Control of the Wall Thickness H Shin, DK Jeong, J Lee, MM Sung, J Kim Advanced Materials 16 (14), 1197-1200, 2004	350	2004
Large ferroelectric polarization of TiN/Hf0. 5Zr0. 5O2/TiN capacitors due to stress-induced crystallization at low thermal budget SJ Kim, D Narayan, JG Lee, J Mohan, JS Lee, J Lee, HS Kim, YC Byun, ... Applied Physics Letters 111 (24), 2017	336	2017
HfO₂ on MoS₂ by Atomic Layer Deposition: Adsorption Mechanisms and Thickness Scalability S McDonnell, B Brennan, A Azcatl, N Lu, H Dong, C Buie, J Kim, ... ACS nano 7 (11), 10354-10361, 2013	332	2013
Ferroelectric thin Hf0.5Zr05O2 films: a review of recent advance SJ Kim, J Mohan, SR Summerfelt, J Kim JOM 71 (1), 246, 2019	319*	2019
Large-Area Deposition of MoS2 by pulsed laser deposition with in situ thickness control MI Serna, SH Yoo, S Moreno, Y Xi, JP Oviedo, H Choi, HN Alshareef, ... ACS Nano 10 (6), 6054-6061, 2016	264	2016
HfSe₂ Thin Films: 2D Transition Metal Dichalcogenides Grown by Molecular Beam Epitaxy R Yue, AT Barton, H Zhu, A Azcatl, LF Pena, J Wang, X Peng, N Lu, ... ACS nano 9 (1), 474-480, 2015	260	2015
MoS2 functionalization for ultra-thin atomic layer deposited dielectrics A Azcatl, S McDonnell, S KC, X Peng, H Dong, X Qin, R Addou, GI Mordi, ... Applied Physics Letters 104 (11), 2014	240	2014
Ozone adsorption on graphene: ab initio study and experimental validation G Lee, B Lee, J Kim, K Cho The Journal of Physical Chemistry C 113 (32), 14225-14229, 2009	223	2009
Half-cycle atomic layer deposition reaction studies of on (100) surfaces M Milojevic, FS Aguirre-Tostado, CL Hinkle, HC Kim, EM Vogel, J Kim, ... Applied Physics Letters 93 (20), 202902, 2008	195	2008
Remote Plasma Oxidation and Atomic Layer Etching of MoS₂ H Zhu, X Qin, L Cheng, A Azcatl, J Kim, RM Wallace ACS Applied Materials & Interfaces 8 (29), 19119-19126, 2016	194	2016
Schottky barrier height engineering for electrical contacts of multilayered MoS2 transistors with reduction of metal induced gate states GS Kim, SH Kim, J Park, K Han, J Kim, HY Yu ACS Nano 12 (6), 6292, 2018	185	2018
Comparison of the sputter rates of oxide films relative to the sputter rate of SiO2 DR Baer, MH Engelhard, AS Lea, P Nachimuthu, TC Droubay, J Kim, ... Journal of Vacuum Science & Technology A 28 (5), 1060-1072, 2010	164	2010
Atomic layer deposition of dielectrics on graphene using reversibly physisorbed ozone S Jandhyala, G Mordi, B Lee, G Lee, C Floresca, PR Cha, J Ahn, ... ACS nano 6 (3), 2722-2730, 2012	162	2012
Defects and Surface Structural Stability of MoTe₂ Under Vacuum Annealing H Zhu, Q Wang, L Cheng, R Addou, J Kim, MJ Kim, RM Wallace Acs Nano 11 (11), 11005-11014, 2017	161	2017
Effect of film thickness on the ferroelectric and dielectric properties of low temperature (400C) Hf0.5Zr0.5O2 films SJ Kim, J Mohan, J Lee, JS Lee, AT Lucero, L Colombo, SR Summerfelt, ... applied physics letters 112 (17), 172902, 2018	157	2018

ระบบไม่สามารถดำเนินการได้ในขณะนี้ โปรดลองใหม่อีกครั้งในภายหลัง

บทความ 1–20

การอ้างอิงต่อปี

การอ้างอิงซ้ำกัน

การอ้างอิงที่รวมเข้าด้วยกัน

เพิ่มผู้เขียนร่วมผู้เขียนร่วม

ติดตาม

อ้างโดย

ผู้เขียนร่วม