Martin Stutzmann

อ้างโดย

	ทั้งหมด	ตั้งแต่ปี 2020
การอ้างอิง	45829	7516
ดัชนี h	99	35
ดัชนี i10	517	156

2300

1150

575

1725

1986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025134 297 213 289 216 453 385 630 530 530 518 529 584 591 814 858 901 1194 1161 1275 1391 1358 1614 1536 1691 1903 2095 2209 2070 2040 2078 2053 1962 1836 1736 1614 1408 1273 1263 221

การเข้าถึงแบบสาธารณะ

ดูทั้งหมด

100 บทความ

79 บทความ

ใช้งานได้

ใช้ไม่ได้

อิงตามข้อกำหนดในการรับเงินสนับสนุน

ผู้เขียนร่วม

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität Freiburgยืนยันอีเมลแล้วที่ inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität Münchenยืนยันอีเมลแล้วที่ wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität Bremenยืนยันอีเมลแล้วที่ ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAยืนยันอีเมลแล้วที่ icn2.cat
Roman DimitrovFinisarยืนยันอีเมลแล้วที่ finisar.com
Hartmut WiggersUniversity of Duisburg-Essenยืนยันอีเมลแล้วที่ uni-due.de
James R. ShealyCornell Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ ece.cornell.edu
Josef Gerhard MüllerMunich University of Applied Sciencesยืนยันอีเมลแล้วที่ hm.edu
WARREN B JACKSONPrincipal Scientistยืนยันอีเมลแล้วที่ parc.com
Carlos F. O. Graeff FRSC (ORCID:000...Professor Titular do DFM-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPยืนยันอีเมลแล้วที่ unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-Essenยืนยันอีเมลแล้วที่ uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaftenยืนยันอีเมลแล้วที่ wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research Centerยืนยันอีเมลแล้วที่ parc.com
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff Universityยืนยันอีเมลแล้วที่ cardiff.ac.uk
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für Kristallzüchtungยืนยันอีเมลแล้วที่ ikz-berlin.de
Manuel CardonaMax Planck Institutยืนยันอีเมลแล้วที่ fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU Münchenยืนยันอีเมลแล้วที่ wsi.tum.de
Gyorgy CsabaPázmány Péter Catholic University, formerly University of Notre Dameยืนยันอีเมลแล้วที่ itk.ppke.hu
Gema Martínez CriadoEuropean Synchrotron Radiation Facilityยืนยันอีเมลแล้วที่ esrf.fr
Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTยืนยันอีเมลแล้วที่ icrea.cat

ติดตาม

Martin Stutzmann

Professor (retired) of Experimental Physics, Walter Schottky Institut, TU München

ยืนยันอีเมลแล้วที่ tum.de - หน้าแรก

Semiconductor Physics


ชื่อ เรียงตามการอ้างอิง เรียงตามปี เรียงตามชื่อ	อ้างโดย อ้างโดย	ปี
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ... Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999	3788	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ... Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000	2178	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai Physical Review B 32 (1), 23, 1985	1572	1985
Pyroelectric properties ofAl (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ... Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002	1435	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992	1042	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ... Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997	808	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ... Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998	668	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ... Nature materials 3 (10), 736-742, 2004	652	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann Applied physics letters 88 (20), 2006	568	2006
The defect density in amorphous silicon M Stutzmann Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989	448	1989
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ... Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997	431	1997
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff MKKMK Kelly, RPVRP Vaudo, VMPVM Phanse, LGL Görgens, ... Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999	422	1999
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (8), 081304, 2011	416	2011
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996	386	1996
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ... Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998	372	1998
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street Physical Review B 35 (11), 5666, 1987	364	1987
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003	362	2003
Graphene transistor arrays for recording action potentials from electrogenic cells LH Hess, M Jansen, V Maybeck, MV Hauf, M Seifert, M Stutzmann, ... Advanced Materials 23 (43), 5045, 2011	300	2011
Charge state manipulation of qubits in diamond B Grotz, MV Hauf, M Dankerl, B Naydenov, S Pezzagna, J Meijer, ... Nature communications 3 (1), 729, 2012	298	2012
Electronic and optical properties of boron-doped nanocrystalline diamond films W Gajewski, P Achatz, OA Williams, K Haenen, E Bustarret, M Stutzmann, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 79 (4), 045206, 2009	297	2009

ระบบไม่สามารถดำเนินการได้ในขณะนี้ โปรดลองใหม่อีกครั้งในภายหลัง

บทความ 1–20

การอ้างอิงต่อปี

การอ้างอิงซ้ำกัน

การอ้างอิงที่รวมเข้าด้วยกัน

เพิ่มผู้เขียนร่วมผู้เขียนร่วม

ติดตาม

อ้างโดย

ผู้เขียนร่วม