Peide Ye

Alıntı yapanlar

	Hepsi	2020 yılından bugüne
Alıntılar	41030	19142
h-endeksi	90	60
i10-endeksi	320	214

3900

1950

975

2925

2004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025148 166 213 257 555 618 792 773 809 1153 1369 2061 2688 3065 3250 3464 3537 3815 3801 3621 3820 541

Genel erişim

Tümünü görüntüle

124 makale

34 makale

genel erişime açık olanlar

genel erişime açık olmayanlar

Finansman sağlayan kuruluşun getirdiği zorunluluğa dayalı olarak

Katkıda bulunan yazarlar

Gang QiuUniversity of Minnesotag.ucla.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Han LiuApple Inc.apple.com üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Adam T. NealAir Force Research Labus.af.mil üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Yi XUANUniversity of Pittsburgh, School of Medicinepitt.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Xianfan XuPurdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Yanqing WuPeking Universitypku.edu.cn üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Wenzhuo Wu (武文倬)School of IE; Flex Lab; Birck Nanotechnology Center; Purdue Quantum Science&Engineering Institutepurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Adam CharnasAir Force Research Laboratorypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Hong ZhouXidian Universityxidian.edu.cn üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Zehao LinPhD Candidate in Electrical & Computer Engineering, Purdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Haiyan WangPurdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Chang NiuPurdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Ali ShakouriProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Dennis Han Chung LinIMECimec.be üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Yong P. ChenPurdue University; Aarhus University; WPI-AIMR; MUSTpurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Dieter WeissUniversitaet Regensburg, Max-Planck Institut FKF Stuttgart, TU München; Technical University Munichur.de üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
M. HongNatl Taiwan Univ. Bell Laboratoriesphys.ntu.edu.tw üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Sami AlghamdiAssociate Professor at King Abdulaziz University - PhD, Purdue Universitykau.edu.sa üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip
Mark LundstromProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue Universitypurdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip

Takip et

Peide Ye

Richard J. and Mary Jo Schwartz Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue University

purdue.edu üzerinde doğrulanmış e-posta adresine sahip - Ana Sayfa

Microelectronic devices nano-materials nano-electronics condense-matter physics


Başlık Alıntılara göre sırala Yıla göre sırala Başlığa göre sırala	Alıntı yapanlar Alıntı yapanlar	Yıl
Phosphorene: an unexplored 2D semiconductor with a high hole mobility H Liu, AT Neal, Z Zhu, Z Luo, X Xu, D Tománek, PD Ye ACS nano 8 (4), 4033-4041, 2014	6721	2014
Semiconducting black phosphorus: synthesis, transport properties and electronic applications H Liu, Y Du, Y Deng, DY Peide Chemical Society Reviews 44 (9), 2732-2743, 2015	1568	2015
Black Phosphorus–Monolayer MoS₂ van der Waals Heterojunction p–n Diode Y Deng, Z Luo, NJ Conrad, H Liu, Y Gong, S Najmaei, PM Ajayan, J Lou, ... ACS nano 8 (8), 8292-8299, 2014	1361	2014
Bandgap engineering of two-dimensional semiconductor materials A Chaves, JG Azadani, H Alsalman, DR Da Costa, R Frisenda, AJ Chaves, ... npj 2D Materials and Applications 4 (1), 29, 2020	946	2020
Channel Length Scaling of MoS₂ MOSFETs H Liu, AT Neal, PD Ye ACS nano 6 (10), 8563-8569, 2012	936	2012
Chloride Molecular Doping Technique on 2D Materials: WS₂ and MoS₂ L Yang, K Majumdar, H Liu, Y Du, H Wu, M Hatzistergos, PY Hung, ... Nano letters 14 (11), 6275-6280, 2014	816	2014
Field-effect transistors made from solution-grown two-dimensional tellurene Y Wang, G Qiu, R Wang, S Huang, Q Wang, Y Liu, Y Du, WA Goddard III, ... Nature Electronics 1 (4), 228-236, 2018	799	2018
Anisotropic in-plane thermal conductivity observed in few-layer black phosphorus Z Luo, J Maassen, Y Deng, Y Du, RP Garrelts, MS Lundstrom, PD Ye, ... Nature communications 6 (1), 8572, 2015	736	2015
Fabrication of fully transparent nanowire transistors for transparent and flexible electronics S Ju, A Facchetti, Y Xuan, J Liu, F Ishikawa, P Ye, C Zhou, TJ Marks, ... Nature nanotechnology 2 (6), 378-384, 2007	641	2007
GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility-transistor with atomic layer deposited Al2O3 as gate dielectric PD Ye, B Yang, KK Ng, J Bude, GD Wilk, S Halder, JCM Hwang Applied Physics Letters 86 (6), 2005	610	2005
Phosphorene excites materials scientists ES Reich Nature 506 (7486), 19, 2014	582	2014
InP-based transistor fabrication P Ye, Z Cheng, Y Xuan, Y Wu, B Adekore, J Fiorenza US Patent 8,329,541, 2012	550	2012
Dual-Gate MOSFET With Atomic-Layer-Depositedas Top-Gate Dielectric H Liu, DY Peide IEEE electron device letters 33 (4), 546-548, 2012	543	2012
Steep-slope hysteresis-free negative capacitance MoS₂ transistors M Si, CJ Su, C Jiang, NJ Conrad, H Zhou, KD Maize, G Qiu, CT Wu, ... Nature nanotechnology 13 (1), 24-28, 2018	541	2018
Device perspective for black phosphorus field-effect transistors: contact resistance, ambipolar behavior, and scaling Y Du, H Liu, Y Deng, PD Ye ACS nano 8 (10), 10035-10042, 2014	504	2014
A ferroelectric semiconductor field-effect transistor M Si, AK Saha, S Gao, G Qiu, J Qin, Y Duan, J Jian, C Niu, H Wang, W Wu, ... Nature Electronics 2 (12), 580-586, 2019	503	2019
Electrons in a periodic magnetic field induced by a regular array of micromagnets PD Ye, D Weiss, RR Gerhardts, M Seeger, K Von Klitzing, K Eberl, ... Physical review letters 74 (15), 3013, 1995	450	1995
GaAs metal–oxide–semiconductor field-effect transistor with nanometer-thin dielectric grown by atomic layer deposition PD Ye, GD Wilk, B Yang, J Kwo, SNG Chu, S Nakahara, HJL Gossmann, ... Applied Physics Letters 83 (1), 180-182, 2003	417	2003
High-performance inversion-type enhancement-mode InGaAs MOSFET with maximum drain current exceeding 1 A/mm Y Xuan, YQ Wu, PD Ye IEEE Electron Device Letters 29 (4), 294-296, 2008	415	2008
Contacts between Two- and Three-Dimensional Materials: Ohmic, Schottky, and p–n Heterojunctions Y Xu, C Cheng, S Du, J Yang, B Yu, J Luo, W Yin, E Li, S Dong, P Ye, ... ACS nano 10 (5), 4895-4919, 2016	396	2016

Sistem, işlemi şu anda gerçekleştiremiyor. Daha sonra yeniden deneyin.

Makaleler 1–20

Yıllık alıntı sayısı

Mükerrer alıntılar

Birleştirilmiş alıntılar

Katkıda bulunan yazar ekleKatkıda bulunan yazarlar

Takip et

Alıntı yapanlar

Katkıda bulunan yazarlar