Tony Schenk

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	9029	6712
h-індекс	37	36
i10-індекс	58	56

1500

750

375

1125

20142015201620172018201920202021202220232024202536 109 187 404 727 841 1052 1298 1456 1277 1341 286

Доступні для всіх

Переглянути всі

38 статей

12 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Thomas MikolajickScientific Director, NaMLab GmbH and Professor for Nanoelectronics, TU DresdenПідтверджена електронна адреса в namlab.com
Min Hyuk ParkSeoul National UniversityПідтверджена електронна адреса в snu.ac.kr
Milan PesicApplied Materials Inc | MDLab/MDLSoft | Namlab | TU DresdenПідтверджена електронна адреса в amat.com
James LeBeauAssociate Professor, Massachusetts Institute of TechnologyПідтверджена електронна адреса в mit.edu
Stefan SlesazeckNaMLab gGmbHПідтверджена електронна адреса в namlab.com
Franz P. G. FenglerNaMLab gGmbHПідтверджена електронна адреса в namlab.com
Christoph AdelmannImecПідтверджена електронна адреса в imec.be
Jacob L. JonesMaterials Science & Engineering, North Carolina State UniversityПідтверджена електронна адреса в ncsu.edu
Darius PohlDCN - TU DresdenПідтверджена електронна адреса в tu-dresden.de
Robin MaterlikHochschule MünchenПідтверджена електронна адреса в hm.edu
Chris M. FancherMaterial Science and Technology Division, Oak Ridge National LabПідтверджена електронна адреса в ornl.gov
Dr. Stefan MuellerCTO at Ferroelectric Memory Company (FMC)Підтверджена електронна адреса в ferroelectric-memory.com
Sergej StarschichIWE 2, RWTH Aachen UniversityПідтверджена електронна адреса в iwe.rwth-aachen.de
Dominik MartinFerdinand-Braun-InstitutПідтверджена електронна адреса в alumni.tu-berlin.de
Sergei V. KalininWeston Fulton Chair Professor, UT Knoxville. Chief Scientist, AI/ML for Physical Sciences, PNNLПідтверджена електронна адреса в utk.edu
Chuanzhen ZhouAnalytical Instrumentation Facility at NC State UniversityПідтверджена електронна адреса в ncsu.edu
Alexei GruvermanCharles Mach University Professor of Physics, University of NebraskaПідтверджена електронна адреса в unl.edu
Johannes OckerNaMLabПідтверджена електронна адреса в namlab.com
Christopher KuennethAssistant Professor, University of BayreuthПідтверджена електронна адреса в uni-bayreuth.de
Sebastjan GlinšekLuxembourg Institute of Science and TechnologyПідтверджена електронна адреса в list.lu

Підписатись

Tony Schenk

Member of Technical Staff & Lead of Cell Development at Ferroelectric Memory Company

Підтверджена електронна адреса в ferroelectric-memory.com - Домашня сторінка

ferroelectrics HfO2 structural characterization electrical characterization


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Physical Mechanisms behind the Field‐Cycling Behavior of HfO2‐Based Ferroelectric Capacitors M Pešić, FPG Fengler, L Larcher, A Padovani, T Schenk, ED Grimley, ... Advanced Functional Materials 26 (25), 4601-4612, 2016	845	2016
On the structural origins of ferroelectricity in HfO2 thin films X Sang, ED Grimley, T Schenk, U Schroeder, JM LeBeau Applied Physics Letters 106 (16), 2015	648	2015
Stabilizing the ferroelectric phase in doped hafnium oxide M Hoffmann, U Schroeder, T Schenk, T Shimizu, H Funakubo, O Sakata, ... Journal of Applied Physics 118 (7), 072006, 2015	594	2015
Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories J Muller, TS Boscke, S Muller, E Yurchuk, P Polakowski, J Paul, D Martin, ... Electron Devices Meeting (IEDM), 2013 IEEE International, 10.8. 1-10.8. 4, 2013	519	2013
Structural Changes Underlying Field‐Cycling Phenomena in Ferroelectric HfO₂ Thin Films ED Grimley, T Schenk, X Sang, M Pešić, U Schroeder, T Mikolajick, ... Advanced Electronic Materials 2 (9), 1600173, 2016	419	2016
Impact of different dopants on the switching properties of ferroelectric hafniumoxide U Schroeder, E Yurchuk, J Müller, D Martin, T Schenk, P Polakowski, ... Japanese Journal of Applied Physics 53 (8S1), 08LE02, 2014	417	2014
Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films D Zhou, J Xu, Q Li, Y Guan, F Cao, X Dong, J Müller, T Schenk, ... Applied Physics Letters 103 (19), 2013	403	2013
Surface and grain boundary energy as the key enabler of ferroelectricity in nanoscale hafnia-zirconia: a comparison of model and experiment MH Park, YH Lee, HJ Kim, T Schenk, W Lee, K Do Kim, FPG Fengler, ... Nanoscale 9 (28), 9973-9986, 2017	374	2017
Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: A Robust Ferroelectric Material U Schroeder, C Richter, MH Park, T Schenk, M Pešić, M Hoffmann, ... Inorganic chemistry 57 (5), 2752-2765, 2018	343	2018
A comprehensive study on the structural evolution of HfO 2 thin films doped with various dopants MH Park, T Schenk, CM Fancher, ED Grimley, C Zhou, C Richter, ... Journal of Materials Chemistry C 5 (19), 4677-4690, 2017	326	2017
Complex internal bias fields in ferroelectric hafnium oxide T Schenk, M Hoffmann, J Ocker, M Pešić, T Mikolajick, U Schroeder ACS applied materials & interfaces 7 (36), 20224-20233, 2015	267	2015
Identification of the ferroelectric switching process and dopant-dependent switching properties in orthorhombic HfO2: A first principles insight S Clima, DJ Wouters, C Adelmann, T Schenk, U Schroeder, M Jurczak, ... Applied Physics Letters 104 (9), 2014	240	2014
About the deformation of ferroelectric hystereses T Schenk, E Yurchuk, S Mueller, U Schroeder, S Starschich, U Böttger, ... Applied Physics Reviews 1 (4), 041103, 2014	222	2014
Electric field cycling behavior of ferroelectric hafnium oxide T Schenk, U Schroeder, M Pešić, M Popovici, YV Pershin, T Mikolajick ACS applied materials & interfaces 6 (22), 19744-19751, 2014	199	2014
Ferroelectric and piezoelectric properties of Hf1-xZrxO2 and pure ZrO2 films S Starschich, T Schenk, U Schroeder, U Boettger Applied Physics Letters 110 (18), 2017	196	2017
Ferroelectricity in Si‐Doped HfO2 Revealed: A Binary Lead‐Free Ferroelectric D Martin, J Müller, T Schenk, TM Arruda, A Kumar, E Strelcov, E Yurchuk, ... Advanced Materials 26 (48), 8198-8202, 2014	189	2014
Si doped hafnium oxide—A “fragile” ferroelectric system C Richter, T Schenk, MH Park, FA Tscharntke, ED Grimley, JM LeBeau, ... Advanced Electronic Materials 3 (10), 1700131, 2017	186	2017
Ferroelectricity in doped hafnium oxide: materials, properties and devices U Schroeder, CS Hwang, H Funakubo Woodhead Publishing, 2019	175	2019
Atomic Structure of Domain and Interphase Boundaries in Ferroelectric HfO₂ ED Grimley, T Schenk, T Mikolajick, U Schroeder, JM LeBeau Advanced Materials Interfaces 5 (5), 1701258, 2018	160	2018
Evidence of single domain switching in hafnium oxide based FeFETs: Enabler for multi-level FeFET memory cells H Mulaosmanovic, S Slesazeck, J Ocker, M Pesic, S Muller, S Flachowsky, ... 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 26.8. 1-26.8. 3, 2015	160	2015

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори