Hiroshi AMANO (天野 浩)

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	62164	15640
h-індекс	111	47
i10-індекс	815	338

3200

1600

800

2400

19911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025174 236 300 411 782 1254 1607 1509 1806 1848 1649 1783 1725 1588 1531 1588 1706 1831 1710 1590 1724 1729 2013 1895 2313 2286 2258 2168 2614 3016 3143 3037 2980 2974 487

Доступні для всіх

Переглянути всі

36 статей

17 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Motoaki IwayaMeijo UniversityПідтверджена електронна адреса в meijo-u.ac.jp
Satoshi KamiyamaMeijo UniversityПідтверджена електронна адреса в meijo-u.ac.jp
Yoshio HondaNagoyaПідтверджена електронна адреса в nuee.nagoya-u.ac.jp
Kazumasa HiramatsuMie University, Emeritus ProfessoreПідтверджена електронна адреса в elec.mie-u.ac.jp
Christian WetzelRensselaer Polytechnic InstituteПідтверджена електронна адреса в ieee.org
Seong Tae-YeonProfessor of Materials Science, Korea UniversityПідтверджена електронна адреса в korea.ac.kr
Plamen P. PaskovLinkoping University, Sweden and ECE NCSU, USAПідтверджена електронна адреса в liu.se
Bruno K MeyerJustus Liebig University GiessenПідтверджена електронна адреса в mailbox.tu-berlin.de
Galia PozinaLinköping UniversityПідтверджена електронна адреса в ifm.liu.se
Masataka ImuraNational Institute for Materials ScienceПідтверджена електронна адреса в nims.go.jp
Daisuke IidaKing Abdullah University of Science and Technology (KAUST)Підтверджена електронна адреса в kaust.edu.sa
Markus PristovsekProf. Nagoya UniversityПідтверджена електронна адреса в imass.nagoya-u.ac.jp
Yasuo KoideNational Institute for Materials Science (NIMS)Підтверджена електронна адреса в nims.go.jp
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale UniversityПідтверджена електронна адреса в yale.edu
Si-Young BaeKorea Institute of Ceramic Engineering and TechnologyПідтверджена електронна адреса в kicet.re.kr
Fernando PonceProfessor of Physics, Arizona State UniversityПідтверджена електронна адреса в asu.edu
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of BerlinПідтверджена електронна адреса в tu-berlin.de
Irina BuyanovaProfessor of Physics, Linkoping UniversityПідтверджена електронна адреса в liu.se
Tania PaskovaECE Dept. NCSUПідтверджена електронна адреса в ncsu.edu
Tatiana V. ShubinaChief researcher, Ioffe Institute of RASПідтверджена електронна адреса в beam.ioffe.ru

Підписатись

Hiroshi AMANO (天野　浩)

Nagoya University (名古屋大学)

Підтверджена електронна адреса в nuee.nagoya-u.ac.jp - Домашня сторінка

Semiconductor devices Opto electronics Power devices High frequency devices photocathode


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer H Amano, N Sawaki, I Akasaki, Y Toyoda Applied Physics Letters 48 (5), 353-355, 1986	3330	1986
P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) H Amano, M Kito, K Hiramatsu, I Akasaki Japanese journal of applied physics 28 (12), L2112-L2114, 1989	3123	1989
Quantum-confined Stark effect due to piezoelectric fields in GaInN strained quantum wells T Takeuchi, S Sota, M Katsuragawa, M Komori, H Takeuchi, HAH Amano, ... Japanese Journal of Applied Physics 36 (4A), L382, 1997	1564	1997
The 2018 GaN power electronics roadmap H Amano, Y Baines, E Beam, M Borga, T Bouchet, PR Chalker, M Charles, ... Journal of Physics D: Applied Physics 51 (16), 163001, 2018	1243	2018
The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies M Kneissl, TY Seong, J Han, H Amano nature photonics 13 (4), 233-244, 2019	1166	2019
Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1− xAlxN (0< x≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE I Akasaki, H Amano, Y Koide, K Hiramatsu, N Sawaki Journal of crystal growth 98 (1-2), 209-219, 1989	1165	1989
Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters IAI Akasaki, HAH Amano Japanese journal of applied physics 36 (9R), 5393, 1997	1057*	1997
Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors SF Chichibu, A Uedono, T Onuma, BA Haskell, A Chakraborty, T Koyama, ... Nature materials 5 (10), 810-816, 2006	844	2006
Determination of piezoelectric fields in strained GaInN quantum wells using the quantum-confined Stark effect T Takeuchi, C Wetzel, S Yamaguchi, H Sakai, H Amano, I Akasaki, ... Applied physics letters 73 (12), 1691-1693, 1998	830	1998
Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells T Takeuchi, H Amano, I Akasaki Japanese Journal of Applied Physics 39 (2R), 413, 2000	677	2000
Shortest wavelength semiconductor laser diode I Akasaki, S Sota, H Sakai, T Tanaka, M Koike, H Amano Electronics Letters 32 (12), 1105-1106, 1996	578	1996
Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN pn junction LED I Akasaki, H Amano, M Kito, K Hiramatsu Journal of luminescence 48, 666-670, 1991	502	1991
The 2020 UV emitter roadmap H Amano, R Collazo, C De Santi, S Einfeldt, M Funato, J Glaab, ... Journal of Physics D: Applied Physics 53 (50), 503001, 2020	479	2020
Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE K Hiramatsu, S Itoh, H Amano, I Akasaki, N Kuwano, T Shiraishi, K Oki Journal of Crystal Growth 115 (1-4), 628-633, 1991	476	1991
Fabrication of vertically aligned carbon nanowalls using capacitively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition assisted by hydrogen radical injection M Hiramatsu, K Shiji, H Amano, M Hori Applied physics letters 84 (23), 4708-4710, 2004	450	2004
Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device I Akasaki, H Amano, S Sota, H Sakai, T Tanaka, M Koike Japanese journal of applied physics 34 (11B), L1517, 1995	423*	1995
Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate H Amano, I Akasaki, K Hiramatsu, N Koide, N Sawaki Thin Solid Films 163, 415-420, 1988	419	1988
Optical properties of strained AlGaN and GaInN on GaN T Takeuchi, H Takeuchi, S Sota, H Sakai, HAH Amano, IAI Akasaki Japanese journal of applied physics 36 (2B), L177, 1997	412	1997
The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer A Watanabe, T Takeuchi, K Hirosawa, H Amano, K Hiramatsu, I Akasaki Journal of crystal growth 128 (1-4), 391-396, 1993	395	1993
p‐type conduction in Mg‐doped GaN and Al_0.08Ga_0.92N grown by metalorganic vapor phase epitaxy T Tanaka, A Watanabe, H Amano, Y Kobayashi, I Akasaki, S Yamazaki, ... Applied physics letters 65 (5), 593-594, 1994	391	1994

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори