Shui-Qing (Fisher) Yu

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	6346	3785
h-індекс	40	30
i10-індекс	121	79

880

440

220

660

200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202521 17 17 46 44 70 131 150 253 322 378 536 522 603 798 748 656 863 117

Доступні для всіх

Переглянути всі

92 статті

23 статті

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Wei DuAssociate Professor, Department of Electrical Engineering, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Joe Margetis, PhDApplied MaterialsПідтверджена електронна адреса в amat.com
Richard A. SorefResearch Professor of Engineering, The University of Massachusetts at BostonПідтверджена електронна адреса в rcn.com
Greg SunAPS and Optica Fellow, Professor of Engineering Department, UMass BostonПідтверджена електронна адреса в umb.edu
Aboozar MoslehAssistant Professor of Nanoscience, University of Arkansas at Pine BluffПідтверджена електронна адреса в uapb.edu
Hameed NaseemProfessor of Electrical Engineering, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Gregory SalamoProfessor of Physics, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Yong-Hang ZhangProf., School of Electrical, Computer and Energy EngineeringПідтверджена електронна адреса в asu.edu
Wei DouUniversity of Arkansas, FayettevilleПідтверджена електронна адреса в email.uark.edu
Jifeng LiuProfessor, Thayer School of Engineering, Dartmouth College; Fellow, OSA (now OPTICA)Підтверджена електронна адреса в dartmouth.edu
Shane R JohnsonArizona State UniversityПідтверджена електронна адреса в asu.edu
Perry C. GrantArktonics LLC.Підтверджена електронна адреса в arktonics.com
Yuriy I. MazurInstitute for Nanoscience and Engineering, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Benjamin ConleyEngineer, US NavyПідтверджена електронна адреса в navy.mil
Mourad BenamaraInstitute for Nanoscience & Engineering, University of ArkansasПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Ding DingPrincipal Test EngineerПідтверджена електронна адреса в asu.edu
Andrian V. Kuchuk, А.В. Кучук, А. Кучу...Institute for Nanoscience & Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, USAПідтверджена електронна адреса в uark.edu
Dongsheng FanUniversity of ArkansasПідтверджена електронна адреса в email.uark.edu
Murtadha AlherUniversity of KerbalaПідтверджена електронна адреса в uokerbala.edu.iq
Vitaliy DoroganLecturer, New York City College of Technology (City Tech), CUNYПідтверджена електронна адреса в citytech.cuny.edu

Підписатись

Shui-Qing (Fisher) Yu

University of Arkansas

Підтверджена електронна адреса в uark.edu - Домашня сторінка

Semiconductor Optoelectronics SiGeSn(Pb) Material and Devices Dissimilar Material Integration Low Dimensional Quantum Materia


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
An optically pumped 2.5 μm GeSn laser on Si operating at 110 K S Al-Kabi, SA Ghetmiri, J Margetis, T Pham, Y Zhou, W Dou, B Collier, ... Applied Physics Letters 109 (17), 2016	253	2016
Direct-bandgap GeSn grown on silicon with 2230 nm photoluminescence SA Ghetmiri, W Du, J Margetis, A Mosleh, L Cousar, BR Conley, ... Applied Physics Letters 105 (15), 2014	239	2014
Extended performance GeSn/Si (100) pin photodetectors for full spectral range telecommunication applications J Mathews, R Roucka, J Xie, SQ Yu, J Menéndez, J Kouvetakis Applied physics letters 95 (13), 2009	235	2009
Si-based GeSn photodetectors toward mid-infrared imaging applications H Tran, T Pham, J Margetis, Y Zhou, W Dou, PC Grant, JM Grant, ... Acs Photonics 6 (11), 2807-2815, 2019	224	2019
Electrically injected GeSn lasers on Si operating up to 100 K SQY Yiyin Zhou, Yuanhao Miao, Solomon Ojo, Huong Tran, Grey Abernathy ... Optica 7 (8), 924-928, 2020	215	2020
Si-based GeSn lasers with wavelength coverage of 2–3 μm and operating temperatures up to 180 K J Margetis, S Al-Kabi, W Du, W Dou, Y Zhou, T Pham, P Grant, S Ghetmiri, ... ACs Photonics 5 (3), 827-833, 2017	211	2017
Systematic study of Ge1− xSnx absorption coefficient and refractive index for the device applications of Si-based optoelectronics H Tran, W Du, SA Ghetmiri, A Mosleh, G Sun, RA Soref, J Margetis, J Tolle, ... Journal of Applied Physics 119 (10), 2016	166	2016
Systematic study of Si-based GeSn photodiodes with 2.6 µm detector cutoff for short-wave infrared detection T Pham, W Du, H Tran, J Margetis, J Tolle, G Sun, RA Soref, HA Naseem, ... Optics express 24 (5), 4519-4531, 2016	156	2016
Investigation of GeSn strain relaxation and spontaneous composition gradient for low-defect and high-Sn alloy growth W Dou, M Benamara, A Mosleh, J Margetis, P Grant, Y Zhou, S Al-Kabi, ... Scientific reports 8 (1), 5640, 2018	153	2018
Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si) GeSn semiconductors O Moutanabbir, S Assali, X Gong, E O'Reilly, CA Broderick, B Marzban, ... Applied Physics Letters 118 (11), 2021	151	2021
Optically pumped GeSn lasers operating at 270 K with broad waveguide structures on Si Y Zhou, W Dou, W Du, S Ojo, H Tran, SA Ghetmiri, J Liu, G Sun, R Soref, ... Acs Photonics 6 (6), 1434-1441, 2019	143	2019
Group IV photonics: driving integrated optoelectronics R Soref, D Buca, SQ Yu optics and photonics news 27 (1), 32-39, 2016	130	2016
Room-temperature electroluminescence from Ge/Ge1-xSnx/Ge diodes on Si substrates W Du, Y Zhou, SA Ghetmiri, A Mosleh, BR Conley, A Nazzal, RA Soref, ... Applied Physics Letters 104 (24), 2014	108	2014
Competition of optical transitions between direct and indirect bandgaps in Ge1− xSnx W Du, SA Ghetmiri, BR Conley, A Mosleh, A Nazzal, RA Soref, G Sun, ... Applied Physics Letters 105 (5), 2014	103	2014
Temperature dependent spectral response and detectivity of GeSn photoconductors on silicon for short wave infrared detection BR Conley, A Mosleh, SA Ghetmiri, W Du, RA Soref, G Sun, J Margetis, ... Optics express 22 (13), 15639-15652, 2014	102	2014
Growth and characterization of epitaxial Ge1-XSnx alloys and heterostructures using a commercial CVD system J Margetis, SA Ghetmiri, W Du, BR Conley, A Mosleh, R Soref, G Sun, ... ECS Transactions 64 (6), 711, 2014	101	2014
Systematic study of GeSn heterostructure-based light-emitting diodes towards mid-infrared applications Y Zhou, W Dou, W Du, T Pham, SA Ghetmiri, S Al-Kabi, A Mosleh, M Alher, ... Journal of Applied Physics 120 (2), 2016	97	2016
Si based GeSn photoconductors with a 1.63 A/W peak responsivity and a 2.4 μm long-wavelength cutoff BR Conley, J Margetis, W Du, H Tran, A Mosleh, SA Ghetmiri, J Tolle, ... Applied Physics Letters 105 (22), 2014	97	2014
Molecular beam epitaxial growth of Bi2Te3 and Sb2Te3 topological insulators on GaAs (111) substrates: a potential route to fabricate topological insulator pn junction Z Zeng, TA Morgan, D Fan, C Li, Y Hirono, X Hu, Y Zhao, JS Lee, J Wang, ... AIP Advances 3 (7), 2013	92	2013
Optically pumped lasing at 3 μm from compositionally graded GeSn with tin up to 22.3% W Dou, Y Zhou, J Margetis, SA Ghetmiri, S Al-Kabi, W Du, J Liu, G Sun, ... Optics letters 43 (19), 4558-4561, 2018	91	2018

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори