Michael Povolotskyi

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	2163	799
h-індекс	25	14
i10-індекс	64	30

240

120

180

2005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420258 16 13 32 34 48 59 42 73 109 157 223 160 221 156 223 181 157 111 115 12

Доступні для всіх

Переглянути всі

31 стаття

7 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Aldo Di CarloProf. of Opto&Nano-electronics, University of Rome Tor Vergata. Consiglio Nazionale delle RicercheПідтверджена електронна адреса в uniroma2.it
Mark J.W. RodwellProfessor of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa BarbaraПідтверджена електронна адреса в ece.ucsb.edu
Yaohua TanUniversity of VirginiaПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Matthias Auf der MaurUniversity of Rome "Tor Vergata"Підтверджена електронна адреса в ing.uniroma2.it
Alessandro PecchiaCNR-ISMNПідтверджена електронна адреса в ismn.cnr.it
James E FonsecaPurdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Giuseppe RomanoResearch Scientist, MITПідтверджена електронна адреса в mit.edu
Saumitra MehrotraNXP SemiconductorsПідтверджена електронна адреса в nxp.com
Ganesh HegdeAdvanced Logic Lab, Samsung Semiconductor IncПідтверджена електронна адреса в ssi.samsung.com
Gabriele PenazziR&D EngineerПідтверджена електронна адреса в synopsys.com
Dr. Stefan Birnernextnano GmbH, GermanyПідтверджена електронна адреса в nextnano.com
Arvind AjoyAssociate Professor, Indian Institute of Technology PalakkadПідтверджена електронна адреса в iitpkd.ac.in
Mark LundstromProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
James Jeremy MacDonald LawGener8Підтверджена електронна адреса в gener8.net
Prof. Lang ZengProfessor in School of Integrated Circuits Science and Engineering, Beihang UniversityПідтверджена електронна адреса в buaa.edu.cn
Jean-Marc JancuProfesseur des universités INSA RennesПідтверджена електронна адреса в insa-rennes.fr
Gerhard AbstreiterTU München, Walter Schottky Institut, Institute for Advanced StudyПідтверджена електронна адреса в wsi.tum.de
Doron Cohen EliasResearch Scientist , SNRCПідтверджена електронна адреса в soreq.gov.il
Mehdi Salmani JelodarLead Data Scientist at BCG (The Boston Consulting Group)Підтверджена електронна адреса в bcg.com

Підписатись

Michael Povolotskyi

Jacobs Technologies

Підтверджена електронна адреса в jacobs.com

Physics device modelling nanostructures high performace computing


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
NEMO5: A parallel multiscale nanoelectronics modeling tool S Steiger, M Povolotskyi, HH Park, T Kubis, G Klimeck IEEE Transactions on Nanotechnology 10 (6), 1464-1474, 2011	239	2011
Efficient and realistic device modeling from atomic detail to the nanoscale JE Fonseca, T Kubis, M Povolotskyi, B Novakovic, A Ajoy, G Hegde, ... Journal of Computational Electronics 12 (4), 592-600, 2013	124	2013
Tight-binding analysis of Si and GaAs ultrathin bodies with subatomic wave-function resolution YP Tan, M Povolotskyi, T Kubis, TB Boykin, G Klimeck Physical Review B 92 (8), 085301, 2015	82	2015
Transferable tight-binding model for strained group IV and III-V materials and heterostructures Y Tan, M Povolotskyi, T Kubis, TB Boykin, G Klimeck Physical Review B 94 (4), 045311, 2016	79	2016
Carrier-confinement effects in nanocolumnar quantum disks grown by molecular-beam epitaxy J Ristić, C Rivera, E Calleja, S Fernández-Garrido, M Povoloskyi, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (8), 085330, 2005	71	2005
Engineering Nanowire n-MOSFETs at SR Mehrotra, SG Kim, T Kubis, M Povolotskyi, MS Lundstrom, G Klimeck IEEE Transactions on Electron Devices 60 (7), 2171-2177, 2013	59	2013
Elasticity theory of pseudomorphic heterostructures grown on substrates of arbitrary thickness M Povolotskyi, A Di Carlo Journal of Applied Physics 100 (6), 2006	53	2006
Electronic and transport properties of silicon nanowires F Sacconi, MP Persson, M Povolotskyi, L Latessa, A Pecchia, A Gagliardi, ... Journal of Computational Electronics 6, 329-333, 2007	52	2007
TiberCAD: Towards multiscale simulation of optoelectronic devices M Auf der Maur, M Povolotskyi, F Sacconi, A Pecchia, G Romano, ... Optical and quantum electronics 40, 1077-1083, 2008	44	2008
Effects of strain and confinement on the emission wavelength of InAs quantum dots due to a capping layer O Schumann, S Birner, M Baudach, L Geelhaar, H Eisele, L Ivanova, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 71 (24), 245316, 2005	44	2005
Simulation Study of Thin-Body Ballistic n-MOSFETs Involving Transport in Mixed-L Valleys SR Mehrotra, M Povolotskyi, DC Elias, T Kubis, JJM Law, MJW Rodwell, ... IEEE electron device letters 34 (9), 1196-1198, 2013	41	2013
Design principles for HgTe based topological insulator devices P Sengupta, T Kubis, Y Tan, M Povolotskyi, G Klimeck Journal of Applied Physics 114 (4), 2013	40	2013
Empirical tight binding parameters for GaAs and MgO with explicit basis through DFT mapping Y Tan, M Povolotskyi, T Kubis, Y He, Z Jiang, G Klimeck, TB Boykin Journal of Computational Electronics 12, 56-60, 2013	39	2013
Control of interlayer physics in 2H transition metal dichalcogenides KC Wang, TK Stanev, D Valencia, J Charles, A Henning, VK Sangwan, ... Journal of applied physics 122 (22), 2017	38	2017
Enhanced valence force field model for the lattice properties of gallium arsenide S Steiger, M Salmani-Jelodar, D Areshkin, A Paul, T Kubis, M Povolotskyi, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (15), 155204, 2011	38	2011
Incoherent transport in NEMO5: realistic and efficient scattering on phonons J Charles, P Sarangapani, R Golizadeh-Mojarad, R Andrawis, D Lemus, ... Journal of Computational Electronics 15, 1123-1129, 2016	36	2016
Grain-boundary resistance in copper interconnects: from an atomistic model to a neural network D Valencia, E Wilson, Z Jiang, GA Valencia-Zapata, KC Wang, G Klimeck, ... Physical review applied 9 (4), 044005, 2018	34	2018
High-Current Tunneling FETs With ( 1\bar {1}0 ) Orientation and a Channel Heterojunction GKMJWR P. Long, J. Z. Huang, M. Povolotskyi IEEE Electron Device Letters 37 (3), 345-348, 2016	34	2016
MoS₂ for Enhanced Electrical Performance of Ultrathin Copper Films T Shen, D Valencia, Q Wang, KC Wang, M Povolotskyi, MJ Kim, ... ACS applied materials & interfaces 11 (31), 28345-28351, 2019	30	2019
An environment-dependent semi-empirical tight binding model suitable for electron transport in bulk metals, metal alloys, metallic interfaces, and metallic nanostructures. I … G Hegde, M Povolotskyi, T Kubis, T Boykin, G Klimeck Journal of Applied Physics 115 (12), 2014	29	2014

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори