Dimosthenis Peftitsis

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	3217	1535
h-індекс	29	21
i10-індекс	57	41

360

180

270

20112012201320142015201620172018201920202021202220232024202526 75 168 190 206 254 237 251 253 223 285 289 358 352 27

Доступні для всіх

Переглянути всі

17 статей

8 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Jacek RabkowskiKTH Royal Institute of Technology/Warsaw University of TechnologyПідтверджена електронна адреса в ee.pw.edu.pl
Hans-Peter NeeProfessor power electronicsПідтверджена електронна адреса в kth.se
Georg TolstoykthПідтверджена електронна адреса в kth.se
M BakowskiПідтверджена електронна адреса в acreo.se
Juan ColmenaresPhD - KTH Royal Institute of TechnologyПідтверджена електронна адреса в kth.se
Jang-Kwon LimSenior Research Scientist at RISE Research Institutes of SwedenABПідтверджена електронна адреса в ri.se
Andreas GiannakisNorwegian University of Science and Technology, NTNU, TrondheimПідтверджена електронна адреса в ntnu.no
Diane-Perle SadikPost Doctoral Fellow, Royal Institute of TechnologyПідтверджена електронна адреса в kth.se
Andrei BlinovPh.D.Підтверджена електронна адреса в ieee.org
Ole Christian SproNorwegian University of Science and TechnologyПідтверджена електронна адреса в sintef.no
Antonios AntonopoulosScientist, ABB Corporate Research CenterПідтверджена електронна адреса в se.abb.com
Gard RødalThe Norwegian University of Science and TechnologyПідтверджена електронна адреса в ntnu.no
Dmitri VinnikovResearch Professor, Head of Power Electronics Group at TalTech, IEEE FellowПідтверджена електронна адреса в taltech.ee
Dr Konstantinos PapastergiouCERN Technology DepartmentПідтверджена електронна адреса в cern.ch
Salvatore D'ArcoSINTEF Energy ResearchПідтверджена електронна адреса в sintef.no
Mariusz ZdanowskiWarsaw University of TechnologyПідтверджена електронна адреса в ee.pw.edu.pl
Yoganandam Vivekanandham Pushp...Norwegian University of Science and TechnologyПідтверджена електронна адреса в ntnu.no
J. BielaLaboratory for High Power Electronic Systems (HPE), ETH ZurichПідтверджена електронна адреса в ethz.ch
Anastasios BalouktsisProfessor, Electrical and Mechanical Engineering , Mathematician, International Hellenic UniversityПідтверджена електронна адреса в ihu.gr
Krister HaugenScientist at IFEПідтверджена електронна адреса в ife.no

Підписатись

Dimosthenis Peftitsis

Professor of Power Electronics at NTNU, Norwegian University of Science and Technology

Підтверджена електронна адреса в ntnu.no - Домашня сторінка

Power Electronics Silicon Carbide DC breakers MV converters Reliability of power semiconductors


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Silicon carbide power transistors: A new era in power electronics is initiated J Rabkowski, D Peftitsis, HP Nee IEEE Industrial Electronics Magazine 6 (2), 17-26, 2012	480	2012
High-power modular multilevel converters with SiC JFETs D Peftitsis, G Tolstoy, A Antonopoulos, J Rabkowski, JK Lim, M Bakowski, ... IEEE Transactions on Power Electronics 27 (1), 28-36, 2011	232	2011
Short-circuit protection circuits for silicon-carbide power transistors DP Sadik, J Colmenares, G Tolstoy, D Peftitsis, M Bakowski, J Rabkowski, ... IEEE transactions on industrial electronics 63 (4), 1995-2004, 2015	190	2015
Challenges regarding parallel connection of SiC JFETs D Peftitsis, R Baburske, J Rabkowski, J Lutz, G Tolstoy, HP Nee IEEE Transactions on Power Electronics 28 (3), 1449-1463, 2012	150	2012
Gate and base drivers for silicon carbide power transistors: An overview D Peftitsis, J Rabkowski IEEE Transactions on Power Electronics 31 (10), 7194-7213, 2015	132	2015
Experimental investigations of static and transient current sharing of parallel-connected silicon carbide MOSFETs DP Sadik, J Colmenares, D Peftitsis, JK Lim, J Rabkowski, HP Nee 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE), 1-10, 2013	112	2013
Low-loss high-performance base-drive unit for SiC BJTs J Rabkowski, G Tolstoy, D Peftitsis, HP Nee IEEE Transactions on Power Electronics 27 (5), 2633-2643, 2011	110	2011
High-efficiency 312-kVA three-phase inverter using parallel connection of silicon carbide MOSFET power modules J Colmenares, D Peftitsis, J Rabkowski, DP Sadik, G Tolstoy, HP Nee IEEE Transactions on Industry Applications 51 (6), 4664-4676, 2015	77	2015
Parallel-operation of discrete SiC BJTs in a 6-kW/250-kHz DC/DC boost converter J Rabkowski, D Peftitsis, HP Nee IEEE transactions on power electronics 29 (5), 2482-2491, 2013	72	2013
MVDC distribution grids and potential applications: Future trends and protection challenges A Giannakis, D Peftitsis 2018 20th european conference on power electronics and applications (EPE'18 …, 2018	70	2018
An experimental evaluation of SiC switches in soft-switching converters P Ranstad, HP Nee, J Linner, D Peftitsis IEEE Transactions on Power Electronics 29 (5), 2527-2538, 2013	62	2013
Analysis and experimental verification of the influence of fabrication process tolerances and circuit parasitics on transient current sharing of parallel-connected SiC JFETs JK Lim, D Peftitsis, J Rabkowski, M Bakowski, HP Nee IEEE transactions on power electronics 29 (5), 2180-2191, 2013	61	2013
Design steps toward a 40-kVA SiC JFET inverter with natural-convection cooling and an efficiency exceeding 99.5% J Rabkowski, D Peftitsis, HP Nee IEEE Transactions on Industry Applications 49 (4), 1589-1598, 2013	60	2013
Design steps towards a 40-kVA SiC inverter with an efficiency exceeding 99.5% J Rabkowski, D Peftitsis, HP Nee 2012 Twenty-Seventh Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and …, 2012	59	2012
Self-powered gate driver for normally on silicon carbide junction field-effect transistors without external power supply D Peftitsis, J Rabkowski, HP Nee IEEE Transactions on Power Electronics 28 (3), 1488-1501, 2012	56	2012
On the design process of a 6-kVA quasi-Z-inverter employing SiC power devices M Zdanowski, D Peftitsis, S Piasecki, J Rabkowski IEEE Transactions on Power Electronics 31 (11), 7499-7508, 2016	48	2016
Optimized design of multi-MHz frequency isolated auxiliary power supply for gate drivers in medium-voltage converters OC Spro, P Lefranc, S Park, JM Rivas-Davila, D Peftitsis, OM Midtgård, ... IEEE Transactions on Power Electronics 35 (9), 9494-9509, 2020	47	2020
High gain DC–AC high-frequency link inverter with improved quasi-resonant modulation A Blinov, O Korkh, A Chub, D Vinnikov, D Peftitsis, S Norrga, I Galkin IEEE Transactions on Industrial Electronics 69 (2), 1465-1476, 2021	45	2021
Auxiliary power supply for medium-voltage modular multilevel converters D Peftitsis, M Antivachis, J Biela 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 …, 2015	45	2015
A discretized proportional base driver for silicon carbide bipolar junction transistors G Tolstoy, D Peftitsis, J Rabkowski, PR Palmer, HP Nee IEEE Transactions on Power Electronics 29 (5), 2408-2417, 2013	39	2013

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори