Hesameddin Ilatikhameneh

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	2425	1200
h-індекс	27	18
i10-індекс	42	32

360

180

270

20142015201620172018201920202021202220232024202517 113 223 254 348 261 292 305 235 177 168 23

Доступні для всіх

Переглянути всі

20 статей

2 статті

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Rajib RahmanProfessor of Physics, University of New South WalesПідтверджена електронна адреса в unsw.edu.au
Tarek AmeenComponent Design Engineer at IntelПідтверджена електронна адреса в intel.com
Joerg AppenzellerProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Michael PovolotskyiJacobs TechnologiesПідтверджена електронна адреса в jacobs.com
Fan ChenSamsungПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Yaohua TanUniversity of VirginiaПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Zhihong ChenPurdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Jun Z. HuangBroadcom Inc.Підтверджена електронна адреса в purdue.edu
James E FonsecaPurdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Zhengping JiangSamsung Semiconductor Inc.Підтверджена електронна адреса в samsung.com
Patrick Fayelectrical engineering, University of Notre DameПідтверджена електронна адреса в nd.edu
Harshad SahasrabudheThe MathWorks, Inc.Підтверджена електронна адреса в mathworks.com
Chin-Yi ChenPurdue UniversityПідтверджена електронна адреса в purdue.edu
Mehdi Salmani JelodarLead Data Scientist at BCG (The Boston Consulting Group)Підтверджена електронна адреса в bcg.com
Debdeep JenaCornell UniversityПідтверджена електронна адреса в cornell.edu
Arvind AjoyAssociate Professor, Indian Institute of Technology PalakkadПідтверджена електронна адреса в iitpkd.ac.in
Ramon B SalazarQualcommПідтверджена електронна адреса в qti.qualcomm.com
Peng WU山东理工大学Підтверджена електронна адреса в stumail.sdut.edu.cn
Wenjun LiGlobalfoundries US Inc.Підтверджена електронна адреса в alumni.nd.edu

Підписатись

Hesameddin Ilatikhameneh

Amazon

Немає підтвердженої електронної адреси

ML accelerators AI frameworks HPC Performance optimization Electronic devices


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Tunnel field-effect transistors in 2-D transition metal dichalcogenide materials H Ilatikhameneh, Y Tan, B Novakovic, G Klimeck, R Rahman, ... IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 1 …, 2015	250	2015
Electrically Tunable Bandgaps in Bilayer MoS₂ T Chu, H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman, Z Chen Nano letters 15 (12), 8000-8007, 2015	223	2015
Efficient and realistic device modeling from atomic detail to the nanoscale JE Fonseca, T Kubis, M Povolotskyi, B Novakovic, A Ajoy, G Hegde, ... Journal of Computational Electronics 12 (4), 592-600, 2013	124	2013
Few-layer phosphorene: An ideal 2D material for tunnel transistors TA Ameen, H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman Scientific reports 6 (1), 28515, 2016	121	2016
Understanding contact gating in Schottky barrier transistors from 2D channels A Prakash, H Ilatikhameneh, P Wu, J Appenzeller Scientific reports 7 (1), 12596, 2017	120	2017
Dielectric engineered tunnel field-effect transistor H Ilatikhameneh, TA Ameen, G Klimeck, J Appenzeller, R Rahman IEEE Electron Device Letters 36 (10), 1097-1100, 2015	109	2015
Polarization-engineered III-nitride heterojunction tunnel field-effect transistors W Li, S Sharmin, H Ilatikhameneh, R Rahman, Y Lu, J Wang, X Yan, ... IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 1 …, 2015	107	2015
Complementary black phosphorus tunneling field-effect transistors P Wu, T Ameen, H Zhang, LA Bendersky, H Ilatikhameneh, G Klimeck, ... ACS nano 13 (1), 377-385, 2018	100	2018
Optimum high-k oxide for the best performance of ultra-scaled double-gate MOSFETs M Salmani-Jelodar, H Ilatikhameneh, S Kim, K Ng, P Sarangapani, ... IEEE Transactions on Nanotechnology 15 (6), 904-910, 2016	98	2016
Saving Moore’s Law Down To 1 nm Channels With Anisotropic Effective Mass H Ilatikhameneh, T Ameen, N Bozidar, Y Tan, G Klimeck, R Rahman Scientific Reports 6 (doi:10.1038/srep31501), 31501, 2016	95	2016
Direct Observation of 2D Electrostatics and Ohmic Contacts in Template-Grown Graphene/WS₂ Heterostructures C Zheng, Q Zhang, B Weber, H Ilatikhameneh, F Chen, H Sahasrabudhe, ... ACS nano 11 (3), 2785-2793, 2017	91	2017
Thickness engineered tunnel field-effect transistors based on phosphorene FW Chen, H Ilatikhameneh, TA Ameen, G Klimeck, R Rahman IEEE Electron Device Letters 38 (1), 130-133, 2016	75	2016
Scaling theory of electrically doped 2D transistors H Ilatikhameneh, G Klimeck, J Appenzeller, R Rahman IEEE Electron Device Letters 36 (7), 726-728, 2015	53	2015
Configurable electrostatically doped high performance bilayer graphene tunnel FET FW Chen, H Ilatikhameneh, G Klimeck, Z Chen, R Rahman IEEE Journal of the Electron Devices Society 4 (3), 124-128, 2016	52	2016
From Fowler–Nordheim to nonequilibrium Green’s function modeling of tunneling H Ilatikhameneh, RB Salazar, G Klimeck, R Rahman, J Appenzeller IEEE Transactions on Electron Devices 63 (7), 2871-2878, 2016	49	2016
Can homojunction tunnel FETs scale below 10 nm? H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman IEEE Electron Device Letters 37 (1), 115-118, 2015	48*	2015
Dramatic impact of dimensionality on the electrostatics of PN junctions and its sensing and switching applications H Ilatikhameneh, T Ameen, F Chen, H Sahasrabudhe, G Klimeck, ... IEEE Transactions on Nanotechnology 17 (2), 293-298, 2018	46*	2018
Design guidelines for sub-12 nm nanowire MOSFETs M Salmani-Jelodar, SR Mehrotra, H Ilatikhameneh, G Klimeck IEEE Transactions on Nanotechnology 14 (2), 210-213, 2015	45	2015
Switching mechanism and the scalability of vertical-TFETs F Chen, H Ilatikhameneh, Y Tan, G Klimeck, R Rahman IEEE Transactions on Electron Devices 65 (7), 3065-3068, 2018	42	2018
A predictive analytic model for high-performance tunneling field-effect transistors approaching non-equilibrium Green's function simulations RB Salazar, H Ilatikhameneh, R Rahman, G Klimeck, J Appenzeller Journal of Applied Physics 118 (16), 2015	41	2015

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори