Arnab Bhattacharya

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	3634	1370
h-індекс	30	18
i10-індекс	77	32

300

150

225

199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202511 38 68 73 74 76 35 55 59 56 52 31 44 66 68 63 84 81 116 126 129 154 211 218 246 266 298 284 268 219 34

Доступні для всіх

Переглянути всі

18 статей

0 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

A Azizur RahmanScientific Officer, Tata Institute of Fundamental ResearchПідтверджена електронна адреса в tifr.res.in
LUKE MAWSTUniversity of WisconsinПідтверджена електронна адреса в wisc.edu
D. BotezPhilip Dunham Reed Professor, University of Wisconsin-MadisonПідтверджена електронна адреса в engr.wisc.edu
Brij Mohan AroraVisiting Professor , Indian Institute of Technology BombayПідтверджена електронна адреса в ee.iitb.ac.in
Kadir AbdulSingapore-MIT Alliance for Research and TechnologyПідтверджена електронна адреса в smart.mit.edu
Nirupam HatuiUC Santa BarbaraПідтверджена електронна адреса в ucsb.edu
Mandar M. DeshmukhCondensed Matter Physics and Materials Science, TIFR, Mumbai 400005 IndiaПідтверджена електронна адреса в tifr.res.in
Amit P ShahDCMP & MS, Tata Institute of Fundamental ResearchПідтверджена електронна адреса в tifr.res.in
Arumugam ThamizhavelProfessor, Tata Institute of Fundamental Research, Colaba, Mumbai, IndiaПідтверджена електронна адреса в tifr.res.in
Mahesh GokhaleDCMP & MS Tata Institute of Fundamental ResearchПідтверджена електронна адреса в tifr.res.in
Masihhur LaskarUniversity of Wisconsin-MadisonПідтверджена електронна адреса в wisc.edu
Priti GuptaCrayoNano ASПідтверджена електронна адреса в crayonano.com
Markus WeyersDept. Head Materials Technology, Ferdinand-Braun-InstitutПідтверджена електронна адреса в fbh-berlin.de
Sajal DharaAssistant ProfessorПідтверджена електронна адреса в phy.iitkgp.ernet.in
Emroj HossainVisicon Power ElectronicsПідтверджена електронна адреса в visiconpower.com
Bhakti JariwalaPostdoc FellowПідтверджена електронна адреса в psu.edu
Sandip GhoshTata Institute of Fundamental ResearchПідтверджена електронна адреса в tifr.res.in
Carina B MaliakkalKarlsruhe Institute of TechnologyПідтверджена електронна адреса в kit.edu
Vibhor SinghIndian Institute of Science, BangaloreПідтверджена електронна адреса в iisc.ac.in
Ashish AroraAssistant Professor, IISER Pune (ResID AAN-2736-2020)Підтверджена електронна адреса в iiserpune.ac.in

Підписатись

Arnab Bhattacharya

Professor, Dept. of CMPMS, Tata Institute of Fundamental Research

Підтверджена електронна адреса в tifr.res.in - Домашня сторінка

Semiconductors epitaxial growth nitrides 2D layered materials Science education


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Gate Leakage Mechanisms in AlGaN/GaN and AlInN/GaN HEMTs: Comparison and Modeling S Turuvekere, N Karumuri, AA Rahman, A Bhattacharya, A DasGupta, ... IEEE Transactions on Electron Devices 60 (10), 3157-3165, 2013	285	2013
8 W continuous wave front‐facet power from broad‐waveguide Al‐free 980 nm diode lasers LJ Mawst, A Bhattacharya, J Lopez, D Botez, DZ Garbuzov, L DeMarco, ... Applied Physics Letters 69 (11), 1532-1534, 1996	242	1996
8 W continuous wave front‐facet power from broad‐waveguide Al‐free 980 nm diode lasers LJ Mawst, A Bhattacharya, J Lopez, D Botez, DZ Garbuzov, L DeMarco, ... Applied physics letters 69 (11), 1532-1534, 1996	240	1996
Synthesis and characterization of ReS2 and ReSe2 layered chalcogenide single crystals AB Bhakti Jariwala, Damien Voiry, Apoorv Jindal, Bhagyashree A Chalke ... Chemistry of Materials, 10.1021/acs.chemmater.6b00364, 2016	218*	2016
Highly Anisotropic in-Plane Excitons in Atomically Thin and Bulklike 1T′-ReSe₂ A Arora, J Noky, M Drüppel, B Jariwala, T Deilmann, R Schneider, ... Nano letters 17 (5), 3202-3207, 2017	159	2017
66% CW wallplug efficiency from Al-free 0.98 μm-emitting diode lasers D Botez, LJ Mawst, A Bhattacharya, J Lopez, J Li, TF Kuech, VP Iakovlev, ... Electronics Letters 32 (21), 2012-2013, 1996	124	1996
A facile process for soak-and-peel delamination of CVD graphene from substrates using water P Gupta, PD Dongare, S Grover, S Dubey, H Mamgain, A Bhattacharya, ... Scientific reports 4 (1), 3882, 2014	119	2014
Layered transition metal dichalcogenides: promising near-lattice-matched substrates for GaN growth P Gupta, AA Rahman, S Subramanian, S Gupta, A Thamizhavel, T Orlova, ... Scientific Reports 6, 23708, 2016	111	2016
Magnetotransport properties of individual InAs nanowires S Dhara, HS Solanki, V Singh, A Narayanan, P Chaudhari, M Gokhale, ... Physical Review B 79 (12), 121311, 2009	106	2009
Recharging and rejuvenation of decontaminated N95 masks E Hossain, S Bhadra, H Jain, S Das, A Bhattacharya, S Ghosh, D Levine Physics of Fluids 32 (9), 093304, 2020	101	2020
MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene P Gupta, AA Rahman, N Hatui, MR Gokhale, MM Deshmukh, ... Journal of Crystal Growth 372, 105-108, 2013	91	2013
Correlation of InGaP (001) surface structure during growth and bulk ordering M Zorn, P Kurpas, AI Shkrebtii, B Junno, A Bhattacharya, K Knorr, ... Physical Review B 60 (11), 8185, 1999	85	1999
Nanostructured MoS2/BiVO4 Composites for Energy Storage Applications Y Arora, AP Shah, S Battu, CB Maliakkal, S Haram, A Bhattacharya, ... Scientific Reports 6, 36294, 2016	65	2016
Study of sputtered molybdenum nitride as a diffusion barrier NG Anitha, V.P., Bhattacharya, A., Patil, M S. Thin Solid Films 236 (1), 306-310, 1993	62	1993
Distorted wurtzite unit cells: Determination of lattice parameters of nonpolar a-plane AlGaN and estimation of solid phase Al content MR Laskar, T Ganguli, AA Rahman, A Mukherjee, N Hatui, MR Gokhale, ... Journal of Applied Physics 109 (1), 013107-013107-8, 2011	61	2011
Quantum-confined stark effect in localized luminescent centers within InGaN/GaN quantum-well based light emitting diodes S De, A Layek, S Bhattacharya, D Kumar Das, A Kadir, A Bhattacharya, ... Applied Physics Letters 101 (12), 121919, 2012	60	2012
Two Distinct Origins of Highly Localized Luminescent Centers within InGaN/GaN Quantum‐Well Light‐Emitting Diodes S De, A Layek, A Raja, A Kadir, MR Gokhale, A Bhattacharya, S Dhar, ... Advanced Functional Materials 21 (20), 3828-3835, 2011	59	2011
High continuous wave output power InGaAs/InGaAsP/InGaP diode lasers: Effect of substrate misorientation LJ Mawst, A Bhattacharya, M Nesnidal, J Lopez, D Botez, JA Morris, ... Applied physics letters 67 (20), 2901-2903, 1995	59	1995
Three-core ARROW-type diode laser: novel high-power, single-mode device, and effective master oscillator for flared antiguided MOPA's C Zmudzinski, D Botez, LI Mawst, A Bhattacharya, M Nesnidal, RF Nabiev IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 1 (2), 129-137, 1995	59	1995
Inductively coupled plasma reactive-ion etching of β-Ga₂O₃: Comprehensive investigation of plasma chemistry and temperature AP Shah, A Bhattacharya Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35 (4 …, 2017	58	2017

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори