Felix Palumbo

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	2074	1143
h-індекс	19	14
i10-індекс	34	21

300

150

225

20042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420258 14 21 32 39 53 38 43 51 67 75 88 71 109 110 101 143 185 234 252 287 42

Доступні для всіх

Переглянути всі

46 статей

13 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Salvatore LombardoCNR-IMMПідтверджена електронна адреса в imm.cnr.it
Fernando Leonel AguirreSenior Device Engineer, Intrinsic Semiconductor Technologies Ltd.Підтверджена електронна адреса в intrinsicsemi.com
Moshe EizenbergTechnion and Guangdong Technion- Israel Institute of TechnologyПідтверджена електронна адреса в technion.ac.il
Enrique MirandaUniversitat Autonoma de BarcelonaПідтверджена електронна адреса в uab.cat
James StathisIBM ResearchПідтверджена електронна адреса в us.ibm.com
Barry P. LinderResearch Staff Member, IBMПідтверджена електронна адреса в us.ibm.com
Sebania LibertinoCNR- IMM SedeПідтверджена електронна адреса в imm.cnr.it
Igor KrylovTechnion-Israel Institute of TechnologyПідтверджена електронна адреса в technion.ac.il
Pedro JulianUniversidad Nacional del SurПідтверджена електронна адреса в ieee.org
Kechao TangPeking UniversityПідтверджена електронна адреса в pku.edu.cn
Paul McIntyreProfessor of Materials Science and Engineering, Stanford UniversityПідтверджена електронна адреса в stanford.edu
Roy WinterPhD. in Materials Science & EngineeringПідтверджена електронна адреса в tx.technion.ac.il
Roberto PaganoPostDoc - ECEM, University of British ColumbiaПідтверджена електронна адреса в cfri.ca
Calogero PaceUniversity of CalabriaПідтверджена електронна адреса в unical.it
Sivan FadidaElectronic Materials Group, Department of Materials Science and Engineering, TechnionПідтверджена електронна адреса в tx.technion.ac.il
Raoul VelazcoTIMA - CNRSПідтверджена електронна адреса в imag.fr
Cynthia P. QuinterosCONICET researcher @ San Martín University, ArgentinaПідтверджена електронна адреса в unsam.edu.ar
Pini ShekhterNanotechnology Center, Tel-Aviv UniversityПідтверджена електронна адреса в tauex.tau.ac.il
Claudio FedericoPesquisador do Instituto de Estudos Avançados do Departamento de Ciência e Tecnologia AeroespacialПідтверджена електронна адреса в ieav.cta.br
Linda V.E. CaldasPesquisadora IPENПідтверджена електронна адреса в ipen.br

Підписатись

Felix Palumbo

Consejo de Investigaciones Cientificas y Tecnicas - UTN

Підтверджена електронна адреса в conicet.gov.ar - Домашня сторінка


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Dielectric breakdown mechanisms in gate oxides S Lombardo, JH Stathis, BP Linder, KL Pey, F Palumbo, CH Tung Journal of applied physics 98 (12), 2005	560	2005
A Review on Dielectric Breakdown in Thin Dielectrics: Silicon Dioxide, High‐k, and Layered Dielectrics F Palumbo, C Wen, S Lombardo, S Pazos, F Aguirre, M Eizenberg, F Hui, ... Advanced Functional Materials 30 (18), 1900657, 2020	225	2020
Standards for the characterization of endurance in resistive switching devices M Lanza, R Waser, D Ielmini, JJ Yang, L Goux, J Suñe, AJ Kenyon, ... ACS nano 15 (11), 17214-17231, 2021	197	2021
Percolation path and dielectric-breakdown-induced-epitaxy evolution during ultrathin gate dielectric breakdown transient CH Tung, KL Pey, LJ Tang, MK Radhakrishnan, WH Lin, F Palumbo, ... Applied Physics Letters 83 (11), 2223-2225, 2003	113	2003
On the thermal models for resistive random access memory circuit simulation JB Roldán, G González-Cordero, R Picos, E Miranda, F Palumbo, ... Nanomaterials 11 (5), 1261, 2021	68	2021
Dielectric breakdown in chemical vapor deposited hexagonal boron nitride L Jiang, Y Shi, F Hui, K Tang, Q Wu, C Pan, X Jing, H Uppal, F Palumbo, ... ACS Applied Materials & Interfaces 9 (45), 39758-39770, 2017	58	2017
Continuous High-Altitude Measurements of Cosmic Ray Neutrons and SEU/MCU at Various Locations: Correlation and Analyses Based-On MUSCA SEP G Hubert, R Velazco, C Federico, A Cheminet, C Silva-Cardenas, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 60 (4), 2418-2426, 2013	49	2013
150 nm× 200 nm cross‐point hexagonal boron nitride‐based memristors B Yuan, X Liang, L Zhong, Y Shi, F Palumbo, S Chen, F Hui, X Jing, ... Advanced Electronic Materials 6 (12), 1900115, 2020	43	2020
A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks R Pagano, S Lombardo, F Palumbo, P Kirsch, SA Krishnan, C Young, ... Microelectronics Reliability 48 (11-12), 1759-1764, 2008	42	2008
Physical mechanism of progressive breakdown in gate oxides F Palumbo, S Lombardo, M Eizenberg Journal of Applied Physics 115 (22), 2014	40	2014
Temperature of conductive nanofilaments in hexagonal boron nitride based memristors showing threshold resistive switching M Lanza, F Palumbo, Y Shi, F Aguirre, S Boyeras, B Yuan, E Yalon, ... Advanced Electronic Materials 8 (8), 2100580, 2022	32	2022
Application of the quasi-static memdiode model in cross-point arrays for large dataset pattern recognition FL Aguirre, SM Pazos, F Palumbo, J Suñé, E Miranda IEEE Access 8, 202174-202193, 2020	29	2020
Radiation hardness of silicon photomultipliers under 60Co γ-ray irradiation R Pagano, S Lombardo, F Palumbo, D Sanfilippo, G Valvo, G Fallica, ... Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators …, 2014	28	2014
Hf-based high-k dielectrics for p-Ge MOS gate stacks S Fadida, F Palumbo, L Nyns, D Lin, S Van Elshocht, M Caymax, ... Journal of Vacuum Science & Technology B 32 (3), 2014	25	2014
Degradation characteristics of metal/Al2O3/n-InGaAs capacitors F Palumbo, M Eizenberg Journal of Applied Physics 115 (1), 2014	25	2014
Analytic expression for the Fowler–Nordheim V–I characteristic including the series resistance effect E Miranda, F Palumbo Solid-state electronics 61 (1), 93-95, 2011	22	2011
Formation and Characterization of Filamentary Current Paths in-Based Resistive Switching Structures F Palumbo, E Miranda, G Ghibaudo, V Jousseaume IEEE electron device letters 33 (7), 1057-1059, 2012	21	2012
Hardware implementation of a true random number generator integrating a hexagonal boron nitride memristor with a commercial microcontroller S Pazos, W Zheng, T Zanotti, F Aguirre, T Becker, Y Shen, K Zhu, Y Yuan, ... Nanoscale 15 (5), 2171-2180, 2023	20	2023
Bimodal dielectric breakdown in electronic devices using chemical vapor deposited hexagonal boron nitride as dielectric F Palumbo, X Liang, B Yuan, Y Shi, F Hui, MA Villena, M Lanza Advanced Electronic Materials 4 (3), 1700506, 2018	19	2018
Structure and conductance of the breakdown spot during the early stages of progressive breakdown G Condorelli, SA Lombardo, F Palumbo, KL Pey, CH Tung, LJ Tang IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 6 (4), 534-541, 2006	19	2006

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори