Juan A. López-Villanueva

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	3559	803
h-індекс	32	15
i10-індекс	75	24

200

100

150

1994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202517 20 45 91 59 59 51 90 99 123 113 116 82 122 123 101 113 103 128 185 118 135 177 181 129 139 149 152 144 160 168 28

Доступні для всіх

Переглянути всі

21 стаття

12 статей

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Francisco GamizProfessor of ElectronicsПідтверджена електронна адреса в ugr.es
Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)Підтверджена електронна адреса в ugr.es
Alberto J PalmaFull Professor of Electronics (Univ of Granada - Spain)Підтверджена електронна адреса в ugr.es
salvador RODRIGUEZ BOLIVARUniversidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в go.ugr.es
Jesús BanqueriUniversity of GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
Andres GodoyUniversidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
Almudena RivadeneyraRamón y Cajal fellow, Department of Electronics and Computer Technology, University of GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
José F. SalmerónPhD ResearcherПідтверджена електронна адреса в tum.de
Luis Fermin Capitan-VallveyUniversity of GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
Pedro Cartujo CassinelloProfesor de Electrónica, Universidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
MJ DeenDistinguished University Professor, McMaster UniversityПідтверджена електронна адреса в mcmaster.ca
Manuel Agudo AcemelHp IncПідтверджена електронна адреса в hp.com
Pilar Lopez VaroPostDoc, IPVFПідтверджена електронна адреса в ipvf.fr
Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
K.M. AwawdehPalestine Technical University-KadoorieПідтверджена електронна адреса в ptuk.edu.ps
LUIS PARRILLAUniversidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в go.ugr.es
M.A. CarvajalUniversidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
Antonio M. LallenaCatedrático. Universidad de GranadaПідтверджена електронна адреса в ugr.es
Nathan JacksonUniversity of New Mexico, Arizona State University, Tyndall National InstituteПідтверджена електронна адреса в asu.edu
Alan MathewsonUniversity College Cork , NMRC, Tyndall National InstituteПідтверджена електронна адреса в tyndall.ie

Підписатись

Juan A. López-Villanueva

Catedrático de Tecnología Electrónica, Universidad de Granada

Підтверджена електронна адреса в ugr.es

Dispositivos semiconductores dispositivos para generación y almacenamiento de energía sensores


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Quantum two-dimensional calculation of time constants of random telegraph signals in metal-oxide–semiconductor structures A Palma, A Godoy, JA Jimenez-Tejada, JE Carceller, ... Physical Review B 56 (15), 9565, 1997	168	1997
Design and characterization of a low thermal drift capacitive humidity sensor by inkjet-printing A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 195, 123-131, 2014	164	2014
Surface roughness at the interfaces in fully depleted silicon-on-insulator inversion layers F Gámiz, JB Roldán, JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, ... Journal of Applied Physics 86 (12), 6854-6863, 1999	158	1999
Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures F Jiménez-Molinos, A Palma, F Gámiz, J Banqueri, JA López-Villanueva Journal of Applied Physics 90 (7), 3396-3404, 2001	130	2001
Direct and trap-assisted elastic tunneling through ultrathin gate oxides F Jiménez-Molinos, F Gámiz, A Palma, P Cartujo, JA López-Villanueva Journal of Applied Physics 91 (8), 5116-5124, 2002	116	2002
Evaluation of a low-cost commercial mosfet as radiation dosimeter LJ Asensio, MA Carvajal, JA Lopez-Villanueva, M Vilches, AM Lallena, ... Sensors and Actuators A: Physical 125 (2), 288-295, 2006	113	2006
A novel electrode structure compared with interdigitated electrodes as capacitive sensor A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, J Banqueri, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 204, 552-560, 2014	110	2014
Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's F Gámiz, JA López-Villanueva, JB Roldán, JE Carceller, P Cartujo IEEE Transactions on Electron Devices 45 (5), 1122-1126, 1998	103	1998
A comprehensive model for Coulomb scattering in inversion layers F Gámiz, JA López‐Villanueva, JA Jiménez‐Tejada, I Melchor, A Palma Journal of applied physics 75 (2), 924-934, 1994	102	1994
Effects of the inversion-layer centroid on the performance of double-gate MOSFETs JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, F Gámiz, J Banqueri, ... IEEE Transactions on Electron Devices 47 (1), 141-146, 2002	101	2002
Effects of the inversion layer centroid on MOSFET behavior JA Lopez-Villanueva, P Cartujo-Casinello, J Banqueri, F Gamiz, ... IEEE Transactions on Electron Devices 44 (11), 1915-1922, 1997	98	1997
Printed electrodes structures as capacitive humidity sensors: A comparison A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo-Acemel, ... Sensors and Actuators A: Physical 244, 56-65, 2016	89	2016
A simple subthreshold swing model for short channel MOSFETs A Godoy, JA López-Villanueva, JA Jiménez-Tejada, A Palma, F Gámiz Solid-State Electronics 45 (3), 391-397, 2001	81	2001
Role of surface-roughness scattering in double gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JA López-Villanueva, ... Journal of Applied Physics 89 (3), 1764-1770, 2001	80	2001
A Monte Carlo study on the electron‐transport properties of high‐performance strained‐Si on relaxed Si_1−xGe_x channel MOSFETs JB Roldán, F Gámiz, JA López‐Villanueva, JE Carceller Journal of applied physics 80 (9), 5121-5128, 1996	75	1996
Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET JB Roldan, F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, JE Carceller IEEE Transactions on Electron Devices 44 (5), 841-846, 1997	74	1997
Universality of electron mobility curves in MOSFETs: A Monte Carlo study F Gamiz, JA López-Villanueva, J Banqueri, JE Carceller, P Cartujo IEEE transactions on electron devices 42 (2), 258-265, 2002	72	2002
Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JE Carceller, ... Journal of applied physics 86 (11), 6269-6275, 1999	67	1999
Recent advances in printed capacitive sensors A Rivadeneyra, JA López-Villanueva Micromachines 11 (4), 367, 2020	62	2020
Hole confinement and energy subbands in a silicon inversion layer using the effective mass theory S Rodrıguez, JA López-Villanueva, I Melchor, JE Carceller Journal of applied physics 86 (1), 438-444, 1999	59	1999

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори