Christian Wetzel

Посилання

	Усі	З 2020
Цитування	7004	977
h-індекс	42	16
i10-індекс	104	27

360

180

270

19931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202525 12 61 101 101 172 277 315 328 267 284 222 226 179 229 223 249 238 283 239 347 272 251 274 315 232 254 230 208 193 160 161 25

Доступні для всіх

Переглянути всі

16 статей

3 статті

доступні

недоступні

За умовами фінансування

Співавтори

Hiroshi AMANO (天野　浩)Nagoya University (名古屋大学)Підтверджена електронна адреса в nuee.nagoya-u.ac.jp
Bruno K MeyerJustus Liebig University GiessenПідтверджена електронна адреса в mailbox.tu-berlin.de
Mingwei ZhuApplied MaterialsПідтверджена електронна адреса в amat.com
Yufeng Li (李虞锋)Xi'an Jiaotong UniveristyПідтверджена електронна адреса в mail.xjtu.edu.cn
Yong XiaRensselaer Polytechnic InstituteПідтверджена електронна адреса в alum.rpi.edu
Shi YouRensselaer Polytechnic InstituteПідтверджена електронна адреса в globalfoundries.com
Wenting HouRensselaer Polytechnic InstituteПідтверджена електронна адреса в rpi.edu
Liang ZhaoRPIПідтверджена електронна адреса в alum.rpi.edu
Edward PrebleRTI InternationalПідтверджена електронна адреса в rti.org
Joel W. Ager IIISenior Staff Scientist, Lawrence Berkeley Nat. Laboratory and Adjunct Professor, MSE, UC BerkeleyПідтверджена електронна адреса в lbl.gov
Motoaki IwayaMeijo UniversityПідтверджена електронна адреса в meijo-u.ac.jp
S. R. J. BrueckDistinguished Professor of Electical and Computer Engineering, Emeritus, University of New MexicoПідтверджена електронна адреса в chtm.unm.edu
E. Fred SchubertRensselaer Polytechnic InstituteПідтверджена електронна адреса в rpi.edu
Tania PaskovaECE Dept. NCSUПідтверджена електронна адреса в ncsu.edu
T. Paul ChowProfessor, Rensselaer Polytechnic InstituteПідтверджена електронна адреса в rpi.edu
Alexander L. EfrosNaval Research LaboratoryПідтверджена електронна адреса в nrl.navy.mil
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of BerlinПідтверджена електронна адреса в tu-berlin.de
Arya ChatterjeeIntel CorporationПідтверджена електронна адреса в intel.com
Sufei ShiAssociate Professor at Carnegie Mellon UniversityПідтверджена електронна адреса в andrew.cmu.edu
Pawel SobkowiczNOMATEN Centre of Excellence, National Centre for Nuclear ResearchПідтверджена електронна адреса в ncbj.gov.pl

Підписатись

Christian Wetzel

Rensselaer Polytechnic Institute

Підтверджена електронна адреса в ieee.org - Домашня сторінка

optoelectronics wide bandgap nitrides energy


Назва Сортувати за цитуваннями Сортувати за роком Сортувати за назвою	Посилання Посилання	Рік
Determination of piezoelectric fields in strained GaInN quantum wells using the quantum-confined Stark effect T Takeuchi, C Wetzel, S Yamaguchi, H Sakai, H Amano, I Akasaki, ... Applied physics letters 73 (12), 1691-1693, 1998	830	1998
On p‐type doping in GaN—acceptor binding energies S Fischer, C Wetzel, EE Haller, BK Meyer Applied physics letters 67 (9), 1298-1300, 1995	377	1995
Pressure induced deep gap state of oxygen in GaN C Wetzel, T Suski, JW Ager III, ER Weber, EE Haller, S Fischer, BK Meyer, ... Physical review letters 78 (20), 3923, 1997	310	1997
Reduction of etch pit density in organometallic vapor phase epitaxy-grown GaN on sapphire by insertion of a low-temperature-deposited buffer layer between high-temperature … M Iwaya, T Takeuchi, S Yamaguchi, C Wetzel, H Amano, I Akasaki Japanese Journal of Applied Physics 37 (3B), L316, 1998	270	1998
Optical band gap in Ga1−xInxN (0< x< 0.2) on GaN by photoreflection spectroscopy C Wetzel, T Takeuchi, S Yamaguchi, H Katoh, H Amano, I Akasaki Applied physics letters 73 (14), 1994-1996, 1998	251	1998
Defect-reduced green GaInN/GaN light-emitting diode on nanopatterned sapphire Y LI, SHI YOU, M ZHU, L ZHAO, W HOU, T DETCHPROHM, ... Applied Physics Letters 98 (15), 151102, 2011	245	2011
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors JH Edgar, S Strite, I Akasaki, H Amano, C Wetzel INSPEC, IEE, London, UK, (ISBN 0 85296 953 8), 1999	179*	1999
Structural properties of InN on GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy S Yamaguchi, M Kariya, S Nitta, T Takeuchi, C Wetzel, H Amano, ... Journal of applied physics 85 (11), 7682-7688, 1999	167	1999
Anomalous features in the optical properties of on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy S Yamaguchi, M Kariya, S Nitta, T Takeuchi, C Wetzel, H Amano, ... Applied Physics Letters 76 (7), 876-878, 2000	159	2000
Monolithic integration of light-emitting diodes and power metal-oxide-semiconductor channel high-electron-mobility transistors for light-emitting power integrated circuits in … Z Li, J Waldron, T Detchprohm, C Wetzel, RF Karlicek, TP Chow Applied physics letters 102 (19), 2013	149	2013
GaN epitaxial layers grown on 6H‐SiC by the sublimation sandwich technique C Wetzel, D Volm, BK Meyer, K Pressel, S Nilsson, EN Mokhov, ... Applied physics letters 65 (8), 1033-1035, 1994	138	1994
Piezoelectric franz–keldysh effect in strained gainn/gan heterostructures C Wetzel, T Takeuchi, H Amano, I Akasaki Journal of applied physics 85 (7), 3786-3791, 1999	130	1999
Structural and optical properties of AlInN and AlGaInN on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy S Yamaguchi, M Kariya, S Nitta, H Kato, T Takeuchi, C Wetzel, H Amano, ... Journal of crystal growth 195 (1-4), 309-313, 1998	124	1998
Carrier localization of as-grown n-type gallium nitride under large hydrostatic pressure C Wetzel, W Walukiewicz, EE Haller, J Ager III, I Grzegory, S Porowski, ... Physical Review B 53 (3), 1322, 1996	120	1996
Control of dislocations and stress in AlGaN on sapphire using a low temperature interlayer H Amano, M Iwaya, N Hayashi, T Kashima, S Nitta, C Wetzel, I Akasaki physica status solidi (b) 216 (1), 683-689, 1999	107	1999
Green light emitting diodes on a-plane GaN bulk substrates T Detchprohm, M Zhu, Y Li, Y Xia, C Wetzel, EA Preble, L Liu, T Paskova, ... Applied Physics Letters 92 (24), 2008	105	2008
Dynamics of bound‐exciton luminescences from epitaxial GaN L Eckey, JC Holst, P Maxim, R Heitz, A Hoffmann, I Broser, BK Meyer, ... Applied physics letters 68 (3), 415-417, 1996	99	1996
GaInN∕ GaN growth optimization for high-power green light-emitting diodes C Wetzel, T Salagaj, T Detchprohm, P Li, JS Nelson Applied physics letters 85 (6), 866-868, 2004	95	2004
Ultrasensitive tunability of the direct bandgap of 2D InSe flakes via strain engineering Y Li, T Wang, M Wu, T Cao, Y Chen, R Sankar, RK Ulaganathan, F Chou, ... 2D Materials 5 (2), 021002, 2018	94	2018
Strongly localized excitons in gallium nitride C Wetzel, S Fischer, J Krüger, EE Haller, RJ Molnar, TD Moustakas, ... Applied physics letters 68 (18), 2556-2558, 1996	91	1996

У даний момент система не може виконати операцію. Спробуйте пізніше.

Статті 1–20

Кількість бібліографічних посилань на рік

Повторювані посилання

Об’єднані посилання

Додати співавторівСпівавтори

Підписатись

Посилання

Співавтори