Theresia Knobloch

Trích dẫn bởi

	Tất cả	Từ 2020
Trích dẫn	3149	2876
h-index	20	20
i10-index	29	28

960

480

240

720

20172018201920202021202220232024202537 88 136 190 272 539 723 960 187

Truy cập công khai

Xem tất cả

40 bài viết

6 bài viết

có sẵn

không có sẵn

Dựa trên yêu cầu tài trợ

Đồng tác giả

Tibor GrasserProfessor at TU Wien, Head of Institute for Microelectronics, Fellow IEEEEmail được xác minh tại iue.tuwien.ac.at
Yury Illarionov (Юрий Юрьевич Илла...Southern University of Science and Technology (SUSTech)Email được xác minh tại sustech.edu.cn
Michael WaltlFull Professor at TU Wien, Vienna, AustriaEmail được xác minh tại iue.tuwien.ac.at
Thomas MuellerVienna University of TechnologyEmail được xác minh tại tuwien.ac.at
Gerhard RzepaGlobal TCAD SolutionsEmail được xác minh tại globaltcad.com
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of SingaporeEmail được xác minh tại kaust.edu.sa
Nikolai SokolovLeader of research group at Ioffe Institute of Russian Academy of SciencesEmail được xác minh tại fl.ioffe.ru
Dominic WaldhörPostdoctoral Researcher, Institute for Microelectronics, TU WienEmail được xác minh tại iue.tuwien.ac.at
Max C. LemmeProfessor, RWTH Aachen University, Germany, Director, AMO GmbHEmail được xác minh tại eld.rwth-aachen.de
Dmitry PolyushkinPhotonics Institute, TU WienEmail được xác minh tại tuwien.ac.at
Alexander Grillprinciple researcher, imecEmail được xác minh tại imec.be
Ben KaczerimecEmail được xác minh tại imec.be
Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACEmail được xác minh tại stanford.edu
Joerg AppenzellerProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityEmail được xác minh tại purdue.edu
Saptarshi DasAckley Professor of Engineering, Pennsylvania State UniversityEmail được xác minh tại psu.edu
Deji AkinwandeThe University of Texas at Austin, IEEE, MRS, APS, AAS FellowEmail được xác minh tại ece.utexas.edu
Mathieu LuisierETH ZurichEmail được xác minh tại iis.ee.ethz.ch
Zhihong ChenPurdue UniversityEmail được xác minh tại purdue.edu
Uygar E. AvciComponents Research, Intel Corp.Email được xác minh tại intel.com
Fabian DucryETH ZurichEmail được xác minh tại imec.be

Theo dõi

Theresia Knobloch

Researcher, TU Wien

Email được xác minh tại iue.tuwien.ac.at - Trang chủ

Nanoelectronics Defects 2D Materials Device Modeling Reliability


Tiêu đề Sắp xếp theo số lượt trích dẫn Sắp xếp theo năm Sắp xếp theo tiêu đề	Trích dẫn bởi Trích dẫn bởi	Năm
Transistors based on two-dimensional materials for future integrated circuits S Das, A Sebastian, E Pop, CJ McClellan, AD Franklin, T Grasser, ... Nature Electronics 4 (11), 786-799, 2021	666	2021
Insulators for 2D nanoelectronics: the gap to bridge YY Illarionov, T Knobloch, M Jech, M Lanza, D Akinwande, MI Vexler, ... Nature communications 11 (1), 3385, 2020	434	2020
The performance limits of hexagonal boron nitride as an insulator for scaled CMOS devices based on two-dimensional materials T Knobloch, YY Illarionov, F Ducry, C Schleich, S Wachter, K Watanabe, ... Nature Electronics 4 (2), 98-108, 2021	293	2021
Ultrathin calcium fluoride insulators for two-dimensional field-effect transistors YY Illarionov, AG Banshchikov, DK Polyushkin, S Wachter, T Knobloch, ... Nature Electronics 2 (6), 230-235, 2019	255	2019
The role of charge trapping in MoS2/SiO2 and MoS2/hBN field-effect transistors YY Illarionov, G Rzepa, M Waltl, T Knobloch, A Grill, MM Furchi, T Mueller, ... 2D Materials 3 (3), 035004, 2016	247	2016
Comphy—A compact-physics framework for unified modeling of BTI G Rzepa, J Franco, B O’Sullivan, A Subirats, M Simicic, G Hellings, ... Microelectronics Reliability 85, 49-65, 2018	194	2018
Improved Hysteresis and Reliability of MoS₂ Transistors With High-Quality CVD Growth and Al₂O₃ Encapsulation YY Illarionov, KKH Smithe, M Waltl, T Knobloch, E Pop, T Grasser IEEE Electron Device Letters 38 (12), 1763-1766, 2017	124	2017
Improving stability in two-dimensional transistors with amorphous gate oxides by Fermi-level tuning T Knobloch, B Uzlu, YY Illarionov, Z Wang, M Otto, L Filipovic, M Waltl, ... Nature Electronics 5 (6), 356-366, 2022	81	2022
Characterization of Single Defects in Ultrascaled MoS₂ Field-Effect Transistors B Stampfer, F Zhang, YY Illarionov, T Knobloch, P Wu, M Waltl, A Grill, ... ACS nano 12 (6), 5368-5375, 2018	79	2018
Energetic mapping of oxide traps in MoS2 field-effect transistors YY Illarionov, T Knobloch, M Waltl, G Rzepa, A Pospischil, DK Polyushkin, ... 2D Materials 4 (2), 025108, 2017	77	2017
A Physical Model for the Hysteresis in MoS₂ Transistors T Knobloch, G Rzepa, YY Illarionov, M Waltl, F Schanovsky, B Stampfer, ... IEEE Journal of the Electron Devices Society 6, 972-978, 2018	69	2018
Highly-stable black phosphorus field-effect transistors with low density of oxide traps YY Illarionov, M Waltl, G Rzepa, T Knobloch, JS Kim, D Akinwande, ... npj 2D Materials and Applications 1 (1), 23, 2017	67	2017
Dielectric Properties of Ultrathin CaF₂ Ionic Crystals C Wen, AG Banshchikov, YY Illarionov, W Frammelsberger, T Knobloch, ... Advanced Materials 32 (34), 2002525, 2020	66	2020
Reliability of scalable MoS2 FETs with 2 nm crystalline CaF2 insulators YY Illarionov, AG Banshchikov, DK Polyushkin, S Wachter, T Knobloch, ... 2D Materials 6 (4), 045004, 2019	43	2019
Perspective of 2D integrated electronic circuits: Scientific pipe dream or disruptive technology? M Waltl, T Knobloch, K Tselios, L Filipovic, B Stampfer, Y Hernandez, ... Advanced Materials 34 (48), 2201082, 2022	40	2022
Impact of layer and substrate properties on the surface acoustic wave velocity in scandium doped aluminum nitride based SAW devices on sapphire M Gillinger, K Shaposhnikov, T Knobloch, M Schneider, M Kaltenbacher, ... Applied physics letters 108 (23), 2016	40	2016
Piezoelectricity in two dimensions: Graphene vs. molybdenum disulfide X Song, F Hui, T Knobloch, B Wang, Z Fan, T Grasser, X Jing, Y Shi, ... Applied Physics Letters 111 (8), 2017	35	2017
Efficient physical defect model applied to PBTI in high-κ stacks G Rzepa, J Franco, A Subirats, M Jech, A Chasin, A Grill, M Waltl, ... 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), XT-11.1-XT-11.6, 2017	34	2017
Challenges for nanoscale CMOS logic based on two-dimensional materials T Knobloch, S Selberherr, T Grasser Nanomaterials 12 (20), 3548, 2022	30	2022
Incorporating Niobium in MoS₂ at BEOL‐Compatible Temperatures and its Impact on Copper Diffusion Barrier Performance R Zhao, CL Lo, F Zhang, RK Ghosh, T Knobloch, M Terrones, Z Chen, ... Advanced Materials Interfaces 6 (22), 1901055, 2019	22	2019

Hệ thống không thể thực hiện thao tác ngay bây giờ. Hãy thử lại sau.

Bài viết 1–20

Trích dẫn mỗi năm

Trích dẫn trùng lặp

Trích dẫn được hợp nhất

Thêm đồng tác giảĐồng tác giả

Theo dõi

Trích dẫn bởi

Đồng tác giả