Các bài viết có thể truy cập công khai - Claudiu V. FalubTìm hiểu thêm
Không có ở bất kỳ nơi nào: 2
Self-aligned Ge and SiGe three-dimensional epitaxy on dense Si pillar arrays
R Bergamaschini, F Isa, CV Falub, P Niedermann, E Müller, G Isella, ...
Surface science reports 68 (3-4), 390-417, 2013
Các cơ quan ủy nhiệm: Fondazione Cariplo
Growth temperature dependent strain in relaxed Ge microcrystals
M Meduňa, CV Falub, F Isa, H von Känel
Thin Solid Films 664, 115-123, 2018
Các cơ quan ủy nhiệm: Swiss National Science Foundation
Có tại một số nơi: 13
Ge crystals on Si show their light
F Pezzoli, F Isa, G Isella, CV Falub, T Kreiliger, M Salvalaglio, ...
Physical Review Applied 1 (4), 044005, 2014
Các cơ quan ủy nhiệm: Government of Italy
GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale
AG Taboada, M Meduňa, M Salvalaglio, F Isa, T Kreiliger, CV Falub, ...
Journal of Applied Physics 119 (5), 2016
Các cơ quan ủy nhiệm: Swiss National Science Foundation
Monolithic integration of optical grade GaAs on Si (001) substrates deeply patterned at a micron scale
S Bietti, A Scaccabarozzi, C Frigeri, M Bollani, E Bonera, CV Falub, ...
Applied Physics Letters 103 (26), 2013
Các cơ quan ủy nhiệm: Fondazione Cariplo
Strain relaxation of GaAs/Ge crystals on patterned Si substrates
AG Taboada, T Kreiliger, CV Falub, F Isa, M Salvalaglio, L Wewior, ...
Applied Physics Letters 104 (2), 2014
Các cơ quan ủy nhiệm: Government of Spain
3D heteroepitaxy of mismatched semiconductors on silicon
CV Falub, T Kreiliger, F Isa, AG Taboada, M Meduňa, F Pezzoli, ...
Thin Solid Films 557, 42-49, 2014
Các cơ quan ủy nhiệm: Government of Italy
SiGe quantum well infrared photodetectors on pseudosubstrate
P Rauter, T Fromherz, C Falub, D Grützmacher, G Bauer
Applied Physics Letters 94 (8), 2009
Các cơ quan ủy nhiệm: Austrian Science Fund
Three-dimensional epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC crystals on deeply patterned Si substrates
H von Känel, F Isa, CV Falub, EJ Barthazy, EM Gubler, D Chrastina, ...
ECS Transactions 64 (6), 631, 2014
Các cơ quan ủy nhiệm: Swiss National Science Foundation
Kinetic growth mode of epitaxial GaAs on Si (001) micro-pillars
R Bergamaschini, S Bietti, A Castellano, C Frigeri, CV Falub, ...
Journal of Applied Physics 120 (24), 2016
Các cơ quan ủy nhiệm: Fondazione Cariplo
Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates
R Bergamaschini, M Salvalaglio, A Scaccabarozzi, F Isa, CV Falub, ...
Journal of Crystal Growth 440, 86-95, 2016
Các cơ quan ủy nhiệm: Swiss National Science Foundation
Interdiffusion in SiGe alloys with Ge contents of 25% and 50% studied by X‐ray reflectivity
M Meduna, J Novak, G Bauer, CV Falub, D Grützmacher
physica status solidi (a) 205 (10), 2441-2448, 2008
Các cơ quan ủy nhiệm: Austrian Science Fund
Lattice bending in three-dimensional Ge microcrystals studied by X-ray nanodiffraction and modelling
M Meduňa, CV Falub, F Isa, A Marzegalli, D Chrastina, G Isella, L Miglio, ...
Applied Crystallography 49 (3), 976-986, 2016
Các cơ quan ủy nhiệm: Swiss National Science Foundation
Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high‐resolution X‐ray diffraction
J Rozbořil, M Meduňa, CV Falub, F Isa, H von Känel
physica status solidi (a) 213 (2), 463-469, 2016
Các cơ quan ủy nhiệm: Swiss National Science Foundation
Three dimensional heteroepitaxy: A new path for monolithically integrating mismatched materials with silicon
CV Falub, T Kreiliger, AG Taboada, F Isa, D Chrastina, G Isella, E Müller, ...
CAS 2012 (International Semiconductor Conference) 1, 45-50, 2012
Các cơ quan ủy nhiệm: Fondazione Cariplo
Chương trình máy tính sẽ tự động xác định thông tin xuất bản và thông tin về nhà tài trợ