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[HTML][HTML] A 37–40 GHz 6-Bits Switched-Filter Phase Shifter Using 150 nm GaN HEMT
In this paper, we present a 6-bit phase shifter designed and fabricated using the 150 nm
GaN HEMT process. The designed phase shifter operates within the n260 (37~ 40 GHz) …
GaN HEMT process. The designed phase shifter operates within the n260 (37~ 40 GHz) …
High temperature RF transceiver design for high-speed downhole communications
This paper presents a design of high-speed downhole system based on radio over fiber and
frequency division multiplexing techniques. Furthermore, the design of a high temperature …
frequency division multiplexing techniques. Furthermore, the design of a high temperature …
p-GaN Platform for Next-Generation GaNComplementary Transistors and Circuits
Q **e - 2024 - dspace.mit.edu
Gallium nitride (GaN) integrated circuits (ICs) are receiving increasing attention because
they offer compactness, reduced parasitics, and higher performance compared to discrete …
they offer compactness, reduced parasitics, and higher performance compared to discrete …
[HTML][HTML] 26.5∼ 29.5 GHz 6-Bit Switched-Filter Phase Shifter
요약 본 논문은 150-nm GaN HEMT 공정으로 설계 및 제작된 6 비트의 위상천이기에 관한
내용이다. 5G NR 표준 중 n257 (26.5∼ 29.5 GHz) 대역에서 동작하는 스위치 필터형 …
내용이다. 5G NR 표준 중 n257 (26.5∼ 29.5 GHz) 대역에서 동작하는 스위치 필터형 …
A Passive Temperature Compensation Phase Shifter Based on Titanate Substrate
X Wang, L Zhang, X Zhao, J Peng, Y Tan… - 2022 IEEE MTT-S …, 2022 - ieeexplore.ieee.org
This paper presents a passive temperature compensated phase shifter based on a titanate
substrate. The temperature compensated phase shifter utilizes the high dielectric constant …
substrate. The temperature compensated phase shifter utilizes the high dielectric constant …
[PDF][PDF] 26.5∼ 29.5 GHz 6 비트 스위치 필터형 위상천이기
송재혁， 임정택， 이재은， 손정택， 김준형， 백민석… - 한국전자파학회 …, 2023 - jkiees.org
요 약본 논문은 150-nm GaN HEMT 공정으로 설계 및 제작된 6 비트의 위상천이기에 관한
내용이다. 5G NR 표준 중 n257 (26.5∼ 29.5 GHz) 대역에서 동작하는 스위치 필터형 …
내용이다. 5G NR 표준 중 n257 (26.5∼ 29.5 GHz) 대역에서 동작하는 스위치 필터형 …