Electron drift velocity in lattice-matched AlInN/AlN/GaN channel at high electric fields
L Ardaravičius, M Ramonas, J Liberis… - Journal of Applied …, 2009 - pubs.aip.org
Hot-electron transport was probed by nanosecond-pulsed measurements for a nominally
undoped two-dimensional channel confined in a nearly lattice-matched Al 0.82 In 0.18 …
undoped two-dimensional channel confined in a nearly lattice-matched Al 0.82 In 0.18 …
[PDF][PDF] Перспективы применения нитридов галлия, индия и алюминия для функциональных устройств на волнах пространственного заряда
СА Сергеев, АИ Михайлов… - Ученые записки …, 2014 - uzmu.phys.msu.ru
Перспективным классом функциональных микроэлектронных устройств СВЧ
диапазона являются устройства на волнах пространственного заряда (ВПЗ) в …
диапазона являются устройства на волнах пространственного заряда (ВПЗ) в …
Hot electrons in wurtzite indium nitride
NA Masyukov, AV Dmitriev - Journal of Applied Physics, 2011 - pubs.aip.org
In this paper we study hot electron transport in bulk wurtzite n-InN using an iterative
numerical method. We calculate field dependence of the electron drift velocity using several …
numerical method. We calculate field dependence of the electron drift velocity using several …
Transient transport in III-nitrides: interplay of momentum and energy relaxation times
CG Rodrigues, ÁR Vasconcellos… - Journal of Physics …, 2007 - iopscience.iop.org
The ultrafast transient transport in wide-gap polar III-nitride semiconductors in electric fields
is considered. A nonlinear and time-dependent (on the evolution of the nonequilibrium …
is considered. A nonlinear and time-dependent (on the evolution of the nonequilibrium …
[PDF][PDF] Граничная частота усиления волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе нитрида индия
СА Сергеев, ОС Сенатов… - Ученые Записки …, 2015 - uzmu.phys.sunmarket.com
Устройства на волнах пространственного заряда (ВПЗ) в тонкопленочных
полупроводниковых структурах (ТПС) с отрицательной дифференциальной …
полупроводниковых структурах (ТПС) с отрицательной дифференциальной …
[PDF][PDF] Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе нитридов индия, галлия и алюминия
СА Сергеев, АИ Михайлов… - Ученые записки …, 2014 - uzmu.phys.sunmarket.com
Функциональная электроника представляет собой перспективную область
современной интегральной электроники, в которой изучается возникновение и …
современной интегральной электроники, в которой изучается возникновение и …
Influence of a two-dimensional electron gas on current-voltage characteristics of Al0. 3Ga0. 7 N/GaN high electron mobility transistors
D Ji, B Liu, YW Lu, M Zou, BL Fan - Chinese Physics B, 2012 - iopscience.iop.org
The J—V characteristics of Al t Ga 1− t N/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are
investigated and simulated using the self-consistent solution of the Schrödinger and Poisson …
investigated and simulated using the self-consistent solution of the Schrödinger and Poisson …
A balance equations approach for the study of the dynamic response and electronic noise in graphene
A computationally efficient modelling approach for the study of the small-signal and high-
frequency noise properties of graphene is presented. The method combines stationary …
frequency noise properties of graphene is presented. The method combines stationary …
Investigation on effectiveness of a prefabricated vertical drain during cyclic loading
B Indraratna, J Ni… - IOP Conference Series …, 2010 - iopscience.iop.org
The effectiveness of prefabricated vertical drains (PVDs) in enhancing the stability of soft
soils during cyclic loading was investigated using triaxial cyclic loading tests. Both …
soils during cyclic loading was investigated using triaxial cyclic loading tests. Both …
Noise temperature in graphene at high frequencies
A numerical method for obtaining the frequency-dependent noise temperature in monolayer
graphene is presented. From the mobility and diffusion coefficient values provided by Monte …
graphene is presented. From the mobility and diffusion coefficient values provided by Monte …