Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors
TN Shchurova, ND Savchenko, AB Kondrat… - Photoelectronics, 2008 - elibrary.ru
We have calculated the surface bending of energy bands for binary ZnS (Se), GeS (Se) 2, As
2 S (Se) 3, Sb 2 S (Se) 3 alloys. The calculations were based on the methods of linear …
2 S (Se) 3, Sb 2 S (Se) 3 alloys. The calculations were based on the methods of linear …
Depth profiling of the near-surface layer for Ge33As12Se55 thin films
TN Shchurova, ND Savchenko… - Хімія, фізика та …, 2010 - dspace.nbuv.gov.ua
Depth profiles of the near-surface region and chemical composition for amorphous films
deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months …
deposited from Ge33As12Se55 bulk glasses and their changes resulting from six months …
[PDF][PDF] Дослідження впливу матеріалу електродів на перенесення носіїв заряду в структурах Si–Ge33As12Se55
МІ Довгошей, ОБ Кондрат, МД Савченко… - Фізика і хімія твердого …, 2000 - page.if.ua
Досліджені вольт-амперні характеристики p-Si, плівок Ge33As12Se55 і гетероструктур
p-Si–Ge33As12Se55 з блокуючими (In) та інжектуючими (Sb) контактами. Встановлено …
p-Si–Ge33As12Se55 з блокуючими (In) та інжектуючими (Sb) контактами. Встановлено …
Визначення профілів розподілу елементів по глибині приповерхневого шару тонких плівок Ge 33 As 12 Se 55
TN Shchurova, ND Savchenko, KO Popovic… - Хімія, фізика та …, 2010 - cpts.com.ua
Анотація Методами Оже-електронної спектроскопії і рентгенівської фотоелектронної
спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого …
спектроскопії досліджувалися профілі розподілу елементів по глибині приповерхневого …