Combination of ultrafast time-resolved spectroscopy techniques for the analysis of electron dynamics of heliumlike impurity centers in silicon
N Dessmann, SG Pavlov, A Pohl, VB Shuman… - Physical Review B, 2022 - APS
We have combined ultrafast time-resolved techniques, available at European infrared free-
electron laser facilities (HFML-FELIX and ELBE), for the analysis of intracenter relaxation …
electron laser facilities (HFML-FELIX and ELBE), for the analysis of intracenter relaxation …
Large substitutional impurity isotope shift in infrared spectra of boron-doped diamond
Isotopic enrichment offers cutting-edge properties of materials. In semiconductors,
contributions to physical properties from different isotopes can be routinely and precisely …
contributions to physical properties from different isotopes can be routinely and precisely …
Intracenter dipole transitions of a hydrogen-like boron acceptor in diamond: Oscillator strengths and line broadening
Substitutional boron in diamond acts as an acceptor center with the ionization energy of
about 372 meV. Unlike its analogues in elemental semiconductors (silicon, germanium) …
about 372 meV. Unlike its analogues in elemental semiconductors (silicon, germanium) …
Laser-Induced Luminescence of Boron-Doped Synthetic Diamond at Various Laser Pulse Durations
Excitation of type IIb synthetic diamond by ultrashort laser pulses in the visible range causes
broadband luminescence in the UV visible range; the observed luminescence band can be …
broadband luminescence in the UV visible range; the observed luminescence band can be …
[PDF][PDF] Multi-phonon resonant and nonresonant scattering of electrons in doped semiconductors with diamond-type-lattices
S Pavlov, N Deßmann, A Pohl, NV Abrosimov… - 2024 - elib.dlr.de
Conference title, upper and lower case, bolded, 18 point type, centered Page 1 Multi-phonon
resonant and nonresonant scattering of electrons in doped semiconductors with diamond-type-lattices …
resonant and nonresonant scattering of electrons in doped semiconductors with diamond-type-lattices …
Dynamics of Terahertz Excitations in Group-IV Semiconductors Doped by Hydrogen-Like Impurity Centers
S Pavlov, N Deßmann, A Pohl, RK Zhukavin… - 2019 - elib.dlr.de
The hydrogen-like impurity centers are the major contributors to electrical and infrared
properties of the group-IV semiconductors. Dynamics of nonequilibrium charge carriers …
properties of the group-IV semiconductors. Dynamics of nonequilibrium charge carriers …
On the two-phonon relaxation of excited states of boron acceptors in diamond
NA Bekin - Semiconductors, 2019 - Springer
The relaxation of holes from excited states of boron acceptors in diamond with the emission
of two optical phonons is studied theoretically. To describe the wave function of acceptor …
of two optical phonons is studied theoretically. To describe the wave function of acceptor …
Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе
НА Бекин - Физика и техника полупроводников, 2019 - mathnet.ru
Теоретически исследуется релаксация дырок, находящихся в возбужденных
состояниях акцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Для …
состояниях акцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Для …
[PDF][PDF] Лазерно-индуцированная люминесценция синтетического алмаза, легированного бором, при различной длительности лазерного импульса
ЕА Олейничук, ПА Данилов, ВН Леднев… - Оптика и …, 2022 - scholar.archive.org
Возбуждение синтетического алмаза IIb-типа ультракороткими лазерными импульсами
видимого диапазона вызывает широкополосную люминесценцию УФ видимого …
видимого диапазона вызывает широкополосную люминесценцию УФ видимого …
Тип: статья в журнале-научная статья Язык: русский Том: 130 Номер: 4 Год: 2022
ЕА ОЛЕЙНИЧУК, ПА ДАНИЛОВ, ВН ЛЕДНЕВ… - elib.spbstu.ru
Возбуждение синтетического алмаза IIb-типа ультракороткими лазерными импульсами
видимого диапазона вызывает широкополосную люминесценцию УФ видимого …
видимого диапазона вызывает широкополосную люминесценцию УФ видимого …