Turnitin
降AI改写
早检测系统
早降重系统
Turnitin-UK版
万方检测-期刊版
维普编辑部版
Grammarly检测
Paperpass检测
checkpass检测
PaperYY检测
Ga-driven mechanochemical reactions at GaAs/SiO2 Interfaces: Crystallographic anisotropy dependence and insights from DFT calculations
C **ao, H Peng, J Gao, Y Jiang, YY Lu, Y Wang, J Liu… - Wear, 2025 - Elsevier
In this study, nanoscale wear tests were conducted on GaAs surfaces with diverse
crystallographic orientations under varied relative humidity conditions, using atomic force …
crystallographic orientations under varied relative humidity conditions, using atomic force …
Epitaxial III-V-Bismide Materials for Space Power Generation
MA Stevens - 2020 - search.proquest.com
To push beyond the present limitations on space exploration, researchers must develop
long-lasting, lightweight, and efficient energy sources to support long-term missions and in …
long-lasting, lightweight, and efficient energy sources to support long-term missions and in …
[PDF][PDF] ВЛИЯНИЕ СОДЕРЖАНИЯ ВИСМУТА НА СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА GaAs1-yBiy: РАСЧЕТЫ ИЗ ПЕРВЫХ ПРИНЦИПОВ
ОВ Девицкий - 2023 - researchgate.net
DOI: 10.26456/pcascnn/2023.15. 404 Аннотация: Представлено теоретическое
исследование влияния концентрации висмута на структурные и электронные свойства …
исследование влияния концентрации висмута на структурные и электронные свойства …