Improved p-type Contact to WSe 2 Using a α-RuCl 3 Charge-Transfer Interface

Turnitin 降AI改写 早检测系统 早降重系统 Turnitin-UK版 万方检测-期刊版 维普编辑部版 Grammarly检测 Paperpass检测 checkpass检测 PaperYY检测
[Free GPT-4]
[DeepSeek]
[PDF] escholarship.org

Low Resistance Contact to P-Type Monolayer WSe2

J **e, Z Zhang, H Zhang, V Nagarajan, W Zhao… - Nano Letters, 2024 - ACS Publications
Advanced microelectronics in the future may require semiconducting channel materials
beyond silicon. Two-dimensional (2D) semiconductors, with their atomically thin thickness …
Зберегти Послатися Цитовано в 20 джерелах Пов’язані статті Кількість версій: 6
[Free GPT-4]
[DeepSeek]
[PDF] arxiv.org

Low Resistance Ohmic Contact to P-type Monolayer WSe2

J **e, Z Zhang, H Zhang, V Nagarajan, W Zhao… - arxiv preprint arxiv …, 2023 - arxiv.org
Advanced microelectronics in the future may require semiconducting channel materials
beyond silicon. Two-dimensional (2D) semiconductors, characterized by their atomically thin …
Зберегти Послатися Цитовано в 3 джерелах Пов’язані статті Кількість версій: 2 Показати у форматі HTML