Formation of Hexagonal Phase 9R-Si in SiO/Si System upon Kr Ion Implantation
Hexagonal silicon polytypes have attracted significant attention within the scientific
community due to their potential applications in next-generation electronics and photonics …
community due to their potential applications in next-generation electronics and photonics …
[HTML][HTML] Thermally stable photoluminescence centers at 1240 nm in silicon obtained by irradiation of the SiO2/Si system
The study of light-emitting defects in silicon created by ion implantation has gained renewed
interest with the development of quantum optical devices. Improving techniques for creating …
interest with the development of quantum optical devices. Improving techniques for creating …
DISPERSION OF LONGITUDINAL WAVES PROPAGATING IN MATERIALS WITH POINT DEFECTS
VI Erofeev, AV Leonteva, AV Shekoyan - PNRPU Mechanics Bulletin, 2023 - ered.pstu.ru
The paper investigates the propagation of harmonic waves in materials with point defects.
The problem is described by a system of differential equations, which includes a dynamic …
The problem is described by a system of differential equations, which includes a dynamic …
[HTML][HTML] ДИСПЕРСИЯ ПРОДОЛЬНЫХ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МАТЕРИАЛАХ С ТОЧЕЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ
ВИ Ерофеев, АВ Леонтьева… - Вестник Пермского …, 2023 - cyberleninka.ru
Исследуется распространение гармонических волн в материалах с точечными
дефектами. Задача описывается системой дифференциальных уравнений …
дефектами. Задача описывается системой дифференциальных уравнений …
[HTML][HTML] Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+
АА Никольская, ДС Королев… - … . Серия 3. Физика …, 2023 - cyberleninka.ru
Гексагональные политипы кремния привлекают большое внимание научного
сообщества в связи с их потенциальным использованием в электронике и фотонике …
сообщества в связи с их потенциальным использованием в электронике и фотонике …