[HTML][HTML] Porous silicon for electrical isolation in radio frequency devices: A review
The increasing expansion of telecommunication applications leads to the integration of
complete system-on-chip associating analog and digital processing units. Besides, the …
complete system-on-chip associating analog and digital processing units. Besides, the …
Porous silicon in microelectronics: From academic studies to industry
Historically, electronics was the first discipline that sought to exploit the unique electrical
properties of porous silicon (PSi) in the mid 70's (1). Then, the capability of PSi to be used …
properties of porous silicon (PSi) in the mid 70's (1). Then, the capability of PSi to be used …
Crystalline and Porous Silicon
G Ayvazyan - Black Silicon: Formation, Properties, and Application, 2024 - Springer
Abstract Crystalline Si (c-Si) has many advantages over other semiconductor materials: low
cost, nontoxicity, practically unlimited availability, and decades of experience in purification …
cost, nontoxicity, practically unlimited availability, and decades of experience in purification …
Evaluation of mesoporous silicon substrates strain for the integration of radio frequency circuits
Mesoporous silicon can be used as isolating substrate for the integration of radiofrequency
(RF) passive devices. The higher is the porous silicon (PS) thickness, the better are the RF …
(RF) passive devices. The higher is the porous silicon (PS) thickness, the better are the RF …
Измерение локальных остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
СФ Сенько, ВА Зеленин - Приборы и методы измерений, 2018 - cyberleninka.ru
Распределение остаточных напряжений в многослойной полупроводниковой структуре
носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и …
носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и …
[PDF][PDF] Control of local stress in semiconductor silicon structures
SF Sianko, VA Zelenin - ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ, 2018 - pimi.bntu.by
Residual stress distribution in multilayer semiconductor structure is complicated and has a
significant impact on device characteristics and yield, therefore their study is one of the …
significant impact on device characteristics and yield, therefore their study is one of the …
[PDF][PDF] Об определении внутренних напряжений в системе пленка-подложка
ГЕ Айвазян - ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Տեխնիկական գիտություններ, 2000 - 93.187.165.86
σ,(2) где E, ν-модуль Юнга и коэффициент Пуассона подложки; h, r-толщина и радиус
подложки; t-толщина пленки; x-текущая координата, отсчитываемая от границы …
подложки; t-толщина пленки; x-текущая координата, отсчитываемая от границы …
[PDF][PDF] Реєстрація модуляційно-поляризаційним методом механічних напружень в поверхневих плівках на твердотільній підкладці
В статті представлена модуляційнополяризаційна методика реєстрації областей
стиснення-розтягнення в плівкових покриттях оптичнопрозорих твердотільних …
стиснення-розтягнення в плівкових покриттях оптичнопрозорих твердотільних …
[PDF][PDF] APPLIED PHYSICS REVIEWS—FOCUSED REVIEW
G Gautier, P Leduc - J. Vac. Sci. Technol. A, 2004 - researchgate.net
The increasing expansion of telecommunication applications leads to the integration of
complete system-on chip (SOC) associating analog and digital processing units. Such …
complete system-on chip (SOC) associating analog and digital processing units. Such …
Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
СФ Сенько, ВА Зеленин - 2018 - rep.bntu.by
Распределение остаточных напряжений в многослойной полупроводниковой структуре
носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и …
носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и …