Effect of high radiation doses (MGy) on light Emitting Diodes and optical glasses
T Allanche - 2020 - theses.hal.science
The CAMRAD project responds to the PIA call for proposals from the French National
Agency for Radioactive Waste Management with the aim of finding new solutions for …
Agency for Radioactive Waste Management with the aim of finding new solutions for …
Degradation of InGaN LEDs by Proton Radiation
Light-emitting diodes (LEDs) made of nitride are appealing because they can withstand high
temperatures and be used in harsh environments. The degradation behaviour of the device …
temperatures and be used in harsh environments. The degradation behaviour of the device …
The Emission Spectra of Pristine and Electron-Irradiated InGaN UV LEDs at Different Temperatures and Injection Currents
RM Vernydub, TI Mosiuk, IV Petrenko… - … on Nanotechnology and …, 2024 - Springer
The electroluminescence profile of the LED based on the In x Ga 1− x N (x≤ 0.1) solid
solutions was studied in detail. The emission spectrum at 300 K consists of three bands: the …
solutions was studied in detail. The emission spectrum at 300 K consists of three bands: the …
[PDF][PDF] Spectral features of pristine and irradiated white emitting InGaN LEDs with quantum wells
OP Budnyk, ME Chumak, DP Stratilat… - Semiconductor …, 2024 - journal-spqeo.org.ua
The emission spectra of InGaN/GaN white light emitting diodes (WLEDs) were measured.
The main emission components were a LED blue line with λmax= 443 nm and a wide …
The main emission components were a LED blue line with λmax= 443 nm and a wide …
Особливості фізичних характеристик вихідних і опромінених електронами з енергією Е= 2 МеВ гомо-та гетероперехідних світлодіодів
ТІ Мосюк - 2024 - enpuir.npu.edu.ua
Дисертаційна робота присвячена дослідженню електрофізичних та оптичних
характеристик вихідних та опромінених електронами з енергією E= 2 МеВ …
характеристик вихідних та опромінених електронами з енергією E= 2 МеВ …
Sensor de cores RGB para determinações colorimétricas: avaliação e análise quantitativa de soluções coloridas
GC Oliveira - 2022 - repositorio.ufu.br
In this work a RGB sensor has been evaluated for quantitative analysis of colored solutions.
The response ability of the sensor to different colored solutions was carefully evaluated for a …
The response ability of the sensor to different colored solutions was carefully evaluated for a …
[PDF][PDF] Characteristics of the radiation spectra of initial and electron-iradiated UV InGaN LEDs
R Vernydub, T Mosiuk, I Petrenko… - … Editorial board ВП …, 2023 - iscs-journal.npu.edu.ua
Light-emitting diodes (LEDs) grown on the basis of InxGa1-xN solid solutions (x≤ 0.1) were
investigated. It was found that the radiation spectrum of the studied samples at 300K …
investigated. It was found that the radiation spectrum of the studied samples at 300K …
ОСОБЛИВОСТІ СПЕКТРІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ ВИХІДНИХ ТА ОПРОМІНЕНИХ ЕЛЕКТРОНАМИ УФ СД InGaN
Анотація Досліджувались світлодіоди (СД), вирощені на основі твердих розчинів In x Ga
1-x N (х≤ 0, 1). Виявлено, що спектр випромінювання досліджуваних зразків при 300К …
1-x N (х≤ 0, 1). Виявлено, що спектр випромінювання досліджуваних зразків при 300К …
Особливостi спектрiв випромiнювання вихiдних та опромiнених електронами УФ СД InGaN
Дослiджувались свiтлодiоди (СД), вирощенi на основi твердих розчинiв InxGa1− xN (x≤
0, 1). Виявлено, що спектр випромiнювання до-слiджуваних зразкiв при 300К …
0, 1). Виявлено, що спектр випромiнювання до-слiджуваних зразкiв при 300К …
ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕКТРОНАМИ З Е= 2 МеВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗЕЛЕНИХ InGaN/GaN СВІТЛОДІОДІВ.
Досліджувались світлодіоди (СД) із квантовими ямами, виготовлені на основі твердого
розчину In0. 21Ga0. 79 N. Проведено вимірювання вольт-амперних характеристик …
розчину In0. 21Ga0. 79 N. Проведено вимірювання вольт-амперних характеристик …