Turnitin
降AI改写
早检测系统
早降重系统
Turnitin-UK版
万方检测-期刊版
维普编辑部版
Grammarly检测
Paperpass检测
checkpass检测
PaperYY检测
Технологические особенности формирования плат со встроенной системой межсоединений в подложках анодного
ГВ Литвинович, ДЛ Шиманович - … университета информатики и …, 2013 - cyberleninka.ru
Изложен результат исследований создания системы межсоединений в процессе
формирования подложки анодного оксида алюминия. Варьируя параметрами процесса …
формирования подложки анодного оксида алюминия. Варьируя параметрами процесса …
Технологии формирования и применение нанослоев и нанопористых композиций Аl 2О 3 для микрои нанотехники
Рассмотрены основные технологические подходы формирования нанослоев и
композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно …
композиций с различными характеристиками на основе оксида алюминия, а именно …
Технологические приемы формирования Al-Al2O3 микроструктур для мощных электромеханических систем
ВА Сокол, ДЛ Шиманович… - Доклады Белорусского …, 2012 - cyberleninka.ru
В результате проделанной работы получены алюмооксидные структуры Al-Al2O3,
особенностью которых является значительная высота алюминиевых контактных …
особенностью которых является значительная высота алюминиевых контактных …
THE OPTICAL PROPERTIES OF ANODIC ALUMINA SUBSTRATES AS THE BASIS OF THRESHOLD DETECTORS
IV Gasenkova, NI Mukhurov, YM Vahioh - Doklady BGUIR, 2016 - doklady.bsuir.by
The results of optical and photoluminescence properties of anodic alumina formed in the
acidic electrolyte and subjected to high-temperature heat treatment are described in article …
acidic electrolyte and subjected to high-temperature heat treatment are described in article …
Technological particularities of the circuit board with the built-in interconnection system formation for the anode alumina substrate
GV Litvinovich, DL Shimanovich - Doklady BGUIR, 2013 - doklady.bsuir.by
Results of the interconnection system formation during substrate anode alumina processing
are presented. It is proved that anode Al 2 O 3 substrate, interconnection system in the bulk …
are presented. It is proved that anode Al 2 O 3 substrate, interconnection system in the bulk …
Преобразование поляризации света с использованием нанопористых пленок оксида алюминия
ВА Длугунович, АЮ Жумарь, СН Курилкина… - Журнал прикладной …, 2015 - elibrary.ru
Теоретически и экспериментально исследованы особенности преобразования
состояния поляризации света при его взаимодействии с нанопористыми пленками …
состояния поляризации света при его взаимодействии с нанопористыми пленками …
Электромагнитные экраны на основе алюминия, его оксидов и углеродных волокон. Технологии, конструкции и свойства
ХДА Абдулхади, ЕАА Аль-Машатт, ВА Богуш… - 2021 - elibrary.ru
Электромагнитные экраны находят широкое применение в таких областях как: 1)
обеспечение электромагнитной совместимости радиоэлектронного оборудования; 2) …
обеспечение электромагнитной совместимости радиоэлектронного оборудования; 2) …
Люминесценция ионов Eu3+ и Tb3+ в структуре микропористый ксерогель/мезопористый анодный оксид алюминия
НВ Гапоненко, ИС Молчан, СВ Гапоненко… - Журнал прикладной …, 2003 - elibrary.ru
Исследованы люминесценция, возбуждение люминесценции и пропускание пленок
ксерогелей, легированных тербием и европием, сформированных на гладкой и …
ксерогелей, легированных тербием и европием, сформированных на гладкой и …
Люминесценция тербия и европия в структурах ксерогель-пористый анодный оксид алюминия
НВ Гапоненко, ИС Молчан, АА Лютич… - Доклады …, 2004 - cyberleninka.ru
Установлены закономерности формирования методом центрифугирования пленок
ксерогелей в мезоскопических порах анодного оксида алюминия. Исследованы …
ксерогелей в мезоскопических порах анодного оксида алюминия. Исследованы …
Technological techniques of Al-al 2 O 3 microstructures formation for powerful electromechanical systems
VA Sokol, DL Shimanovich, GV Litvinovich - Doklady BGUIR, 2012 - doklady.bsuir.by
Abstract Thus, Al-Al 2 O 3 structures characteristic features of which are the considerable
height (300-450 μm) of contact pads and conducting lines, the high thickness (150-600 μm) …
height (300-450 μm) of contact pads and conducting lines, the high thickness (150-600 μm) …